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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
MSCSM70HM038CAG Microchip Technology MSCSM70HM038CAG 1.0000
RFQ
 ECAD 4439 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 MSCSM70 - - rohs3符合条件 到达不受影响 150-MSCSM70HM038CAG Ear99 8541.29.0095 1 -
EFC4619R-TR onsemi EFC4619R-Tr 0.5300
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，FCBGA EFC4619 MOSFET （金属 o化物） 1.6W EFCP1616-4CE-022 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） - - - - 21.7nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
APTMC60TLM55CT3AG Microchip Technology APTMC60TLM55CT3AG -
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTMC60 （SIC） 250W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（三级逆变器） 1200V（1.2kV） 48A（TC） 49mohm @ 40a，20v 2.2V @ 2mA tovice（typ） 98nc @ 20V 1900pf @ 1000V -
PMDXB290UNEZ Nexperia USA Inc. PMDXB290Unez 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 PMDXB290 MOSFET （金属 o化物） 280MW（TA），6W（tc） DFN1010B-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 20V 930ma（ta），3.5a tc） 320MOHM @ 1.2A，4.5V 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 43.6pf @ 10V 标准
APTM50DUM38TG Microsemi Corporation APTM50DUM38TG -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 694W SP4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 500V 90a 45MOHM @ 45A，10V 5V @ 5mA 246nc @ 10V 11200pf @ 25V -
DMC10H172SSD-13 Diodes Incorporated DMC10H172SSD-13 0.2585
RFQ
 ECAD 5389 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC10 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） 8-so - 31-DMC10H172SSD-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 2a（2a），1.7a ta（1.7a） 160MOHM @ 1.6A，10V，250MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 19.6nc @ 10v，18nc @ 10v 1145pf @ 50V，1030pf @ 50V 标准
ECH8661-TL-HX onsemi ECH8661-TL-HX -
RFQ
 ECAD 2045 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 - - - ECH8661 - - - - 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
FDS8934A Fairchild Semiconductor FDS8934A 0.6700
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4a 55MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 28nc @ 5V 1130pf @ 10V 逻辑级别门
BSL316CL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL316CL6327HTSA1 -
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 ECAD 3981 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL316 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 1.4a，1.5a 160MOHM @ 1.4A，10V 2V @ 3.7µA 0.6NC @ 5V 94pf @ 15V 逻辑级别门
FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies FF11MR12W1M1B11BOMA1 -
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 ECAD 9815 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF11MR12 （SIC） - 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 100a 11mohm @ 100a，15v 5.55V @ 40mA 250nc @ 15V 7950pf @ 800V -
NTUD3174NZT5G onsemi NTUD3174NZT5G 0.7200
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 NTUD3174 MOSFET （金属 o化物） 125MW（TA） SOT-963 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 220mA（ta） 1.5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 100µA - 12.5pf @ 15V -
PJL9824_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9824_R2_00001 0.4525
RFQ
 ECAD 3339 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9824 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9824_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 13A（TA） 5.5MOHM @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 25nc @ 4.5V 1258pf @ 25V -
DMC4047LSD-13 Diodes Incorporated DMC4047LSD-13 0.6200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4047 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 7a，5.1a 24mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 19.1nc @ 10V 1060pf @ 20V 逻辑级别门
IPG20N04S4L08AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L08AATMA1 1.6200
RFQ
 ECAD 8610 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 54W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 40V 20a 8.2MOHM @ 17a，10v 2.2V @ 22µA 39nc @ 10V 3050pf @ 25V 逻辑级别门
TSM3911DCX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3911DCX6 0.6205
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 TSM3911 MOSFET （金属 o化物） 1.15W（TA） SOT-26 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM3911DCX6TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2个p通道 20V 2.2A（ta） 140MOHM @ 2.2a，4.5V 0.95V @ 250µA 15.23nc @ 4.5V 882.51pf @ 6V 标准
AUIRF7313QTR International Rectifier AUIRF7313QTR 1.0000
RFQ
 ECAD 8983 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7313 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 6.9a 29mohm @ 6.9a，10V 3V @ 250µA 33nc @ 10V 755pf @ 25V 逻辑级别门
FDMA2002NZ onsemi FDMA2002NZ 0.9300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA2002 MOSFET （金属 o化物） 650MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.9a 123mohm @ 2.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 220pf @ 15V 逻辑级别门
MCMNP2065-TP Micro Commercial Co MCMNP2065-TP 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 MCMNP2065 MOSFET （金属 o化物） 2.2W，1.8W DFN2020-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 6a（6a） 25mohm @ 5A，4.5V，42MOHM @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 6.05NC @ 4.5V，10.98NC @ 4.5V 418pf @ 10v，1010pf @ 10V -
FDMS8095AC Fairchild Semiconductor FDMS8095AC -
RFQ
 ECAD 4842 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS8095 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 8-MLP（5x6），Power56 下载 Ear99 8542.39.0001 1 n和p通道 150V 6.2a，1a 30mohm @ 6.2a，10v 4V @ 250µA 30nc @ 10V 2020pf @ 75V -
SP8M6HZGTB Rohm Semiconductor SP8M6HZGTB 1.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5A（5A），3.5a ta（3.5A） 51MOHM @ 5A，10V，90MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v，5.5nc @ 5V 230pf @ 10V，490pf @ 10V -
AO4614BL_DELTA Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4614BL_DELTA -
RFQ
 ECAD 2445 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO4614 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 40V 6a（6a），5a ta（5a ta） 30mohm @ 6A，10V，45MOHM @ 5A，10V 3V @ 250µA 10.8nc @ 10v，22nc @ 10v 650pf @ 20v，1175pf @ 20V -
TC1550TG-G Microchip Technology TC1550TG-G 7.6200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TC1550 MOSFET （金属 o化物） - 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,300 n和p通道 500V - 60ohm @ 50mA，10v 4V @ 1mA - 55pf @ 25V -
IRF7751GTRPBF Infineon Technologies IRF7751GTRPBF -
RFQ
 ECAD 2648 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 4.5a 35MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 44NC @ 10V 1464pf @ 25V 逻辑级别门
SIZ250DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ250DT-T1-GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ250 MOSFET （金属 o化物） 4.3W（TA），33W（tc） 8-Powerpair®（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V （14A）（38A）（TC） 12.2MOHM @ 10a，10v，12.7MOHM @ 10a，10v 2.4V @ 250µA 21NC @ 10V 840pf @ 30v，790pf @ 30V -
SSF2219Y Good-Ark Semiconductor SSF2219Y 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 MOSFET （金属 o化物） 312MW（TC） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2个p通道 20V 400mA（TC） 600MOHM @ 300mA，4.5V 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 78pf @ 10V 标准
G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E 0.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G2K2P MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 4,000 2（p 通道（双） 100V 3.5A（TC） 200mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 10V 1623pf @ 50V -
MSCSM120TLM08CAG Microchip Technology MSCSM120TLM08CAG 1.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1378W（TC） SP6C - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120TLM08CAG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（三级逆变器） 1200V（1.2kV） 333a（TC） 7.8mohm @ 80a，20v 2.8V @ 4mA 928nc @ 20V 12000pf @ 1000V -
APTM120A80FT1G Microsemi Corporation APTM120A80FT1G -
RFQ
 ECAD 5549 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 357W SP1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 14a 960MOHM @ 12A，10V 5V @ 2.5mA 260NC @ 10V 6696pf @ 25V -
NVMFD5877NLT3G onsemi NVMFD5877NLT3G -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5877 MOSFET （金属 o化物） 3.2W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 6a 39mohm @ 7.5a，10v 3V @ 250µA 20NC @ 10V 540pf @ 25V 逻辑级别门
APTC60HM45T1G Microchip Technology APTC60HM45T1G 102.1513
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 600V 49a 45MOHM @ 24.5A，10V 3.9V @ 3mA 150nc @ 10V 7200pf @ 25V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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