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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
ECH8691-TL-W onsemi ECH8691-TL-W 0.9500
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - - ECH8691 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
AONX36320 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONX36320 1.0012
RFQ
 ECAD 9566 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 AONX363 MOSFET （金属 o化物） 4.1W（24W）（24W tc），5W ta），75W ta（75W tc）（TC） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AONX36320TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 22a（22a），22a（tc（22a tc），60a ta（60a），85a tc（85a tc） 4.25mohm @ 20a，10v，820µHom @ 30a，10v 2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 25nc @ 10v，150nc @ 10V 1070pf @ 15V，5550pf @ 15V 标准
FDS3912 onsemi FDS3912 -
RFQ
 ECAD 2068 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS39 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 3a 125mohm @ 3a，10v 4V @ 250µA 20NC @ 10V 632pf @ 50V 逻辑级别门
ALD210800APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800APCL 9.7600
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD210800 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1216 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 80mA 25欧姆 10MV @ 10µA - 15pf @ 5V 逻辑级别门
SP8K22FRATB Rohm Semiconductor SP8K22FRATB 0.8080
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K22 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 45V 4.5A（ta） 46mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5V 550pf @ 10V -
SIB911DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB911DK-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-75-6L双重 SIB911 MOSFET （金属 o化物） 3.1W POWERPAK®SC-75-6L双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.6a 295MOHM @ 1.5A，4.5V 1V @ 250µA 4NC @ 8V 115pf @ 10V -
APTC60AM35SCTG Microchip Technology APTC60AM35SCTG 176.5014
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 ECAD 2610 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 416W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 600V 72a 35mohm @ 36a，10v 3.9V @ 2mA 518nc @ 10V 14000pf @ 25V -
FDMC8200S onsemi FDMC8200 1.2400
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 ECAD 5 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMC82 MOSFET （金属 o化物） 700MW，1W 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6a，8.5a 20mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 10V 660pf @ 15V 逻辑级别门
TSM6963SDCA Taiwan Semiconductor Corporation TSM6963SDCA 0.8294
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 ECAD 8786 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） TSM6963 MOSFET （金属 o化物） 1.14W（TA） 8-tssop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM6963SDCATR Ear99 8541.29.0095 12,000 2个p通道 20V 4.5A（ta） 30mohm @ 4.5A，4.5V 1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1500pf @ 10V 标准
SI7220DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7220DN-T1-E3 2.5000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7220 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 3.4a 60mohm @ 4.8A，10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 逻辑级别门
NTMFD4C20NT3G onsemi NTMFD4C20NT3G -
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD4 MOSFET （金属 o化物） 1.09W，1.15W 8-dfn（5x6）（SO8FL二偶有型号） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 9.1A，13.7A 7.3mohm @ 10a，10v 2.1V @ 250µA 9.3nc @ 4.5V 970pf @ 15V -
FDMB3900AN Fairchild Semiconductor FDMB3900AN 1.0000
RFQ
 ECAD 4924 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMB3900 MOSFET （金属 o化物） 800MW 8-MLP，微型FOFET （3x1.9） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 25V 7a 23mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 17NC @ 10V 890pf @ 13V 逻辑级别门
SI5943DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5943DU-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5943 MOSFET （金属 o化物） 8.3W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 6a 64mohm @ 3.6A，4.5V 1V @ 250µA 15nc @ 8V 460pf @ 6V 逻辑级别门
DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated DMN2036UCB4-7 0.2187
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 ECAD 7012 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLBGA DMN2036 MOSFET （金属 o化物） 1.45W X2-WLB1616-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 12.6nc @ 4.5V - -
BUK7K45-100EX NXP USA Inc. BUK7K45-100EX -
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 ECAD 8750 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K45 MOSFET （金属 o化物） 53W LFPAK56D 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 21.4a 37.6mohm @ 5A，10V 4V @ 1mA 25.9NC @ 10V 1533pf @ 25V -
AOC2840 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2840 -
RFQ
 ECAD 8351 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 AOC284 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AOC2840TR 过时的 3,000 -
DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated DMN2028UFU-7 0.4400
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2028 MOSFET （金属 o化物） 900MW U-DFN2030-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 7.5a 20.2MOHM @ 4.5A，4.5V 1V @ 250µA 18.4NC @ 8V 887pf @ 10V -
SI7252ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7252ADP-T1-GE3 1.6400
RFQ
 ECAD 9983 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7252 MOSFET （金属 o化物） 3.6W（TA），33.8W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SI7252ADP-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 9.3A（ta），28.7a tc） 18.6mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 26.5nc @ 10V 1266pf @ 50V -
DMN2053UVT-13 Diodes Incorporated DMN2053UVT-13 0.0889
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2053 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 4.6a（ta） 35mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5V 369pf @ 10V -
APTMC120AM55CT1AG Microchip Technology APTMC120AM55CT1AG -
RFQ
 ECAD 5088 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTMC120 （SIC） 250W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 55A（TC） 49mohm @ 40a，20v 2.2V @ 2mA tovice（typ） 98nc @ 20V 1900pf @ 1000V -
DMTH6016LPD-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPD-13 0.4292
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH6016 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA），37.5W（tc） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 9.2A（ta），33.2a （TC） 19mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 17NC @ 10V 864pf @ 30V -
AON2801L#A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2801L＃a -
RFQ
 ECAD 7828 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 AON280 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 6-DFN（2x2） - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 20V 3a 120MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 250µA 6.5nc @ 4.5V 700pf @ 10V 逻辑级别门
SI1029X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1029X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3438 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1029 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 60V 305mA，190mA 1.4OHM @ 500mA，10V 2.5V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V 30pf @ 25V 逻辑级别门
MSCSM170HM45CT3AG Microchip Technology MSCSM170HM45CT3AG 320.5900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 319W（TC） - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170HM45CT3AG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（全桥） 1700V（（1.7kV） 64A（TC） 45mohm @ 30a，20v 3.2V @ 2.5mA 178nc @ 20V 3300pf @ 1000V -
F423MR12W1M1B76BPSA1 Infineon Technologies F423MR12W1M1B76BPSA1 -
RFQ
 ECAD 6743 0.00000000 Infineon技术 EASYPACK™COOLSIC™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 F423MR （SIC） - Ag-Easy1b-2 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 45A（TJ） 22.5mohm @ 50a，15v 5.55V @ 20mA 124nc @ 15V 3680pf @ 800V -
AUIRF7379QTR International Rectifier AUIRF7379QTR -
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7379 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 3V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V 逻辑级别门
SI4922BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4922BDY-T1-GE3 1.6400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4922 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 16mohm @ 5A，10V 1.8V @ 250µA 62NC @ 10V 2070pf @ 15V -
BUK762R0-40C Nexperia USA Inc. BUK762R0-40C -
RFQ
 ECAD 5371 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 Buk762 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
SI4562DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4562DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3337 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4562 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 20V - 25mohm @ 7.1a，4.5V 1.6V @ 250µA 50nc @ 4.5V - 逻辑级别门
QS8M13TCR Rohm Semiconductor QS8M13TCR -
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 ECAD 2213 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8M13 MOSFET （金属 o化物） 1.5W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 6a，5a 28mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 5.5nc @ 5V 390pf @ 10V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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