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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMTH6015LDVWQ-13 | 0.3410 |  | 2298 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | DMTH6015 | MOSFET （金属 o化物） | 1.46W（TA） | PowerDI3333-8（类型UXD） | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMTH6015LDVWQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 9.2A（TA），24.5A （TC） | 20.5Mohm @ 10a，10v | 2.5V @ 250µA | 14.3nc @ 10V | 825pf @ 30V | - | |||
 | DMC3730UFL3-7 | 0.4800 | | 13 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | DMC3730 | MOSFET （金属 o化物） | 390MW | x2-dfn1310-6（b型） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 1.1a，700mA | 460MOHM @ 200MA，4.5V | 950mv @ 250µA | 0.9NC @ 4.5V | 65.9pf @ 25V | - | ||
 | DMN33D8LDW-7 | 0.3700 | | 11 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN33 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 250mA | 2.4OHM @ 250mA，10V | 1.5V @ 100µA | 1.23nc @ 10V | 48pf @ 5V | - | ||
 | FDMJ1028N | - | | 7640 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | FDMJ1028 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | Microfet 2x2薄 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 3.2a | 90MOHM @ 3.2A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 3NC @ 4.5V | 200pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | SI1023CX-T1-GE3 | 0.4500 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1023 | MOSFET （金属 o化物） | 220MW | SC-89（SOT-563F） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | - | 756mohm @ 350mA，4.5V | 1V @ 250µA | 2.5NC @ 4.5V | 45pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| AOCA24106E | 0.9900 | | 1175 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | AOCA24106 | MOSFET （金属 o化物） | 2.7W（TA） | 6-Alphadfn（1.9x1.6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 12V | 20A（TA） | 5.6MOHM @ 4A，4.5V | 1.1V @ 250µA | 18NC @ 4.5V | - | - | ||
| NVMFD5C668NLWFT1G | 1.5361 | | 3506 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | - | - | NVMFD5 | - | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| NXV08B800DT1 | - | | 9677 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 17-PowerDip 模块（1.390英寸，35.30毫米） | NXV08 | MOSFET （金属 o化物） | - | APM17-MDC | 下载 | 488-NXV08B800DT1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 80V | - | 0.46MOHM @ 160A，12V | 4.6V @ 1mA | 502NC @ 12V | 30150pf @ 40V | - | |||||
 | SI3439KDWA-TP | 0.4200 | | 31 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI3439 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 750mA，600mA | 300MOHM @ 500mA，4.5V，850MOHM @ 500mA，4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.8NC @ 4.5V，0.86NC @ 4.5V | 33pf @ 16V，40pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
| MSCSM70TAM10TPAG | 624.8900 | | 9415 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM70 | （SIC） | 674W（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM70TAM10TPAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 通道（相腿） | 700V | 238a（TC） | 9.5MOHM @ 80a，20V | 2.4V @ 8mA | 430NC @ 20V | 9000pf @ 700V | - | |
 | DMC1028UVT-13 | 0.1360 | | 2158 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | DMC1028 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | TSOT-26 | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMC1028UVT-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 12V，20V | 6.1a（ta），3.5a ta（3.5a） | 25mohm @ 5.2a，4.5V，80mohm @ 3.8a，4.5V | 1V @ 250µA | 18.5nc @ 8v，11.5nc @ 8v | 787pf @ 6v，576pf @ 10V | - | |||
 | APTM120TDU57PG | - | | 3362 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM120 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | sp6-p | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 1200V（1.2kV） | 17a | 684MOHM @ 8.5A，10V | 5V @ 2.5mA | 187nc @ 10V | 5155pf @ 25V | - | |||
 | FDG6332C-F085 | - | | 7047 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FDG6332 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-88 （SC-70-6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 700mA，600mA | 300MOHM @ 700mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.5NC @ 4.5V | 113pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 | 144.5800 | | 19 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | DF8MR12 | （SIC） | 20mw | ag-easy1b | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 n通道 | 1200V | 45a | 16.2MOHM @ 50a，18V | 5.15V @ 20mA | 149nc @ 18V | 4400pf @ 800V | （SIC） | ||
 | CAB008A12GM3T | 338.4400 | | 2287 | 0.00000000 | Wolfspeed，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | CAB008 | （SIC） | 10MW | 模块 | 下载 | 不适用 | 1697-CAB008A12GM3T | 18 | 2 n 通道（半桥） | 1200V | 182a（TJ） | 10.4mohm @ 150a，15v | 3.6V @ 46mA | 472nc @ 15V | 13600pf @ 800V | （SIC） | |||||
| SMC6280p | 0.1800 | | 9 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | SMC6280 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | ||||||||||||||
 | BUK9K25-40EX | 0.9400 | | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q100，Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | BUK9K25 | MOSFET （金属 o化物） | 32W | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 18.2a | 24mohm @ 5a，10v | 2.1V @ 1mA | 6.3nc @ 5V | 701pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | BSC0921NDIATMA1 | 1.7400 | | 29 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSC0921 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | PG-Tison-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 17a，31a | 5mohm @ 20a，10v | 2V @ 250µA | 8.9nc @ 4.5V | 1025pf @ 15V | 逻辑级别门，4.5V驱动器 | ||
| APTM100H35FT3G | 163.4313 | | 3444 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTM100 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4（n n 通道（半桥） | 1000V （1kV） | 22a | 420MOHM @ 11a，10v | 5V @ 2.5mA | 186nc @ 10V | 5200pf @ 25V | - | ||
 | BSO615NGXUMA1 | 1.1700 | | 27 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，SIPMOS® | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | BSO615 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | PG-DSO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 2.6a | 150MOHM @ 2.6a，4.5V | 2V @ 20µA | 20NC @ 10V | 380pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | NVMFD5C466NLT1G | 2.0100 | | 9330 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | （3W）（40W）（40W）TC） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 40V | （14A）（52A（ta）（TC） | 7.4mohm @ 10a，10v | 2.2V @ 30µA | 7NC @ 4.5V | 997pf @ 25V | - | ||
| 94-3449 | - | | 7978 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF7342 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2（p 通道（双） | 55V | 3.4a | 105MOHM @ 3.4A，10V | 1V @ 250µA | 38nc @ 10V | 690pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | PJS6603_S2_00001 | 0.4300 | | 19 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | PJS6603 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W（TA） | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 30V | 4.4a（ta），2.9a（2.9a）（ta） | 48mohm @ 4.4a，10v，110mohm @ 2.9a，10v | 2.1V @ 250µA | 5.8nc @ 10v，9.8nc @ 10V | 235pf @ 15V，396pf @ 15V | - | ||
| RF1S50N06SM9AS2551 | 1.0300 | | 653 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | RF1 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
| UPA2382T1P-E1-A YK1 | - | | 6277 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 托盘 | 过时的 | UPA2382 | - | - | 559-UPA2382T1P-E1-A YK1 | 过时的 | 1 | - | |||||||||||||||||
 | SI4214DDY-T1-E3 | 0.9600 | | 4356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4214 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 8.5a | 19.5mohm @ 8a，10v | 2.5V @ 250µA | 22nc @ 10V | 660pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
| NXH040P120MNF1PG | 80.7204 | | 7391 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | NXH040 | （SIC） | 74W | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NXH040P120MNF1PG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 2 n 通道（双）公共来源 | 1200V（1.2kV） | 30A（TC） | 56mohm @ 25a，20v | 4.3V @ 10mA | 122.1NC @ 20V | 1505pf @ 800V | - | |
 | SI1563DH-T1-GE3 | - | | 8658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1563 | MOSFET （金属 o化物） | 570MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 1.13a，880mA | 280MOHM @ 1.13A，4.5V | 1V @ 100µA | 2NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
| FDC6301N_G | - | | 4764 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6301 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 220mA | 4ohm @ 400mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.7NC @ 4.5V | 9.5pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | SIZ328DT-T1-GE3 | 0.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ328 | MOSFET （金属 o化物） | 2.9W（TA），15W tc），3.6W（ta（16.2W ta）（TC）TC） | 8-Power33（3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 11.1a（ta），25.3a tc），15a（ta（30a t tc），TC） | 15mohm @ 5a，10v，10mohm @ 5a，10v | 2.5V @ 250µA | 6.9nc @ 10v，11.3nc @ 10v | 325pf @ 10V，600pf @ 10V | - |
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