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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NXV08B800DT1 onsemi NXV08B800DT1 -
RFQ
 ECAD 9677 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TA） 通过洞 17-PowerDip 模块（1.390英寸，35.30毫米） NXV08 MOSFET （金属 o化物） - APM17-MDC 下载 488-NXV08B800DT1 Ear99 8542.39.0001 1 80V - 0.46MOHM @ 160A，12V 4.6V @ 1mA 502NC @ 12V 30150pf @ 40V -
SI3439KDWA-TP Micro Commercial Co SI3439KDWA-TP 0.4200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI3439 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 750mA，600mA 300MOHM @ 500mA，4.5V，850MOHM @ 500mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V，0.86NC @ 4.5V 33pf @ 16V，40pf @ 16V 逻辑级别门
MSCSM70TAM10TPAG Microchip Technology MSCSM70TAM10TPAG 624.8900
RFQ
 ECAD 9415 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 674W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70TAM10TPAG Ear99 8541.29.0095 1 6 n 通道（相腿） 700V 238a（TC） 9.5MOHM @ 80a，20V 2.4V @ 8mA 430NC @ 20V 9000pf @ 700V -
DMC1028UVT-13 Diodes Incorporated DMC1028UVT-13 0.1360
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC1028 MOSFET （金属 o化物） 800MW TSOT-26 下载 到达不受影响 31-DMC1028UVT-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道互补 12V，20V 6.1a（ta），3.5a ta（3.5a） 25mohm @ 5.2a，4.5V，80mohm @ 3.8a，4.5V 1V @ 250µA 18.5nc @ 8v，11.5nc @ 8v 787pf @ 6v，576pf @ 10V -
FDG6332C-F085 onsemi FDG6332C-F085 -
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6332 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 700mA，600mA 300MOHM @ 700mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 113pf @ 10V 逻辑级别门
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 144.5800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon技术 EasyPack™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 DF8MR12 （SIC） 20mw ag-easy1b - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 2 n通道 1200V 45a 16.2MOHM @ 50a，18V 5.15V @ 20mA 149nc @ 18V 4400pf @ 800V （SIC）
CAB008A12GM3T Wolfspeed, Inc. CAB008A12GM3T 338.4400
RFQ
 ECAD 2287 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB008 （SIC） 10MW 模块 下载 不适用 1697-CAB008A12GM3T 18 2 n 通道（半桥） 1200V 182a（TJ） 10.4mohm @ 150a，15v 3.6V @ 46mA 472nc @ 15V 13600pf @ 800V （SIC）
SMC6280P Fairchild Semiconductor SMC6280p 0.1800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 SMC6280 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
BUK9K25-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K25-40EX 0.9400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K25 MOSFET （金属 o化物） 32W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 18.2a 24mohm @ 5a，10v 2.1V @ 1mA 6.3nc @ 5V 701pf @ 25V 逻辑级别门
BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1 1.7400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN BSC0921 MOSFET （金属 o化物） 1W PG-Tison-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 17a，31a 5mohm @ 20a，10v 2V @ 250µA 8.9nc @ 4.5V 1025pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
APTM100H35FT3G Microchip Technology APTM100H35FT3G 163.4313
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 390W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 22a 420MOHM @ 11a，10v 5V @ 2.5mA 186nc @ 10V 5200pf @ 25V -
BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies BSO615NGXUMA1 1.1700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，SIPMOS® 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO615 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 2.6a 150MOHM @ 2.6a，4.5V 2V @ 20µA 20NC @ 10V 380pf @ 25V 逻辑级别门
94-3449 Infineon Technologies 94-3449 -
RFQ
 ECAD 7978 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7342 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 55V 3.4a 105MOHM @ 3.4A，10V 1V @ 250µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V 逻辑级别门
PJS6603_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6603_S2_00001 0.4300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 PJS6603 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道互补 30V 4.4a（ta），2.9a（2.9a）（ta） 48mohm @ 4.4a，10v，110mohm @ 2.9a，10v 2.1V @ 250µA 5.8nc @ 10v，9.8nc @ 10V 235pf @ 15V，396pf @ 15V -
RF1S50N06SM9AS2551 Harris Corporation RF1S50N06SM9AS2551 1.0300
RFQ
 ECAD 653 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RF1 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
UPA2382T1P-E1-A#YK1 Renesas Electronics America Inc UPA2382T1P-E1-A YK1 -
RFQ
 ECAD 6277 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 托盘 过时的 UPA2382 - - 559-UPA2382T1P-E1-A YK1 过时的 1 -
SI4214DDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-E3 0.9600
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4214 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8.5a 19.5mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 22nc @ 10V 660pf @ 15V 逻辑级别门
NXH040P120MNF1PG onsemi NXH040P120MNF1PG 80.7204
RFQ
 ECAD 7391 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH040 （SIC） 74W - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH040P120MNF1PG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 30A（TC） 56mohm @ 25a，20v 4.3V @ 10mA 122.1NC @ 20V 1505pf @ 800V -
SI1563DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1563DH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1563 MOSFET （金属 o化物） 570MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 1.13a，880mA 280MOHM @ 1.13A，4.5V 1V @ 100µA 2NC @ 4.5V - 逻辑级别门
FDC6301N_G onsemi FDC6301N_G -
RFQ
 ECAD 4764 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6301 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 220mA 4ohm @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V 逻辑级别门
SIZ328DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ328DT-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ328 MOSFET （金属 o化物） 2.9W（TA），15W tc），3.6W（ta（16.2W ta）（TC）TC） 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 11.1a（ta），25.3a tc），15a（ta（30a t tc），TC） 15mohm @ 5a，10v，10mohm @ 5a，10v 2.5V @ 250µA 6.9nc @ 10v，11.3nc @ 10v 325pf @ 10V，600pf @ 10V -
MSCSM70TLM05CAG Microchip Technology MSCSM70TLM05CAG 942.0000
RFQ
 ECAD 1818年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1277W（TC） SP6C - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70TLM05CAG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（三级逆变器） 700V 464a（TC） 4.8mohm @ 160a，20v 2.4V @ 16mA 860NC @ 20V 18000pf @ 700V -
APTC60BBM24T3G Microchip Technology APTC60BBM24T3G 132.3111
RFQ
 ECAD 4620 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） SP3 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 462W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 600V 95a 24mohm @ 47.5A，10V 3.9V @ 5mA 300NC @ 10V 14400pf @ 25V -
SI4622DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4622DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4622 MOSFET （金属 o化物） 3.3W，3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 16mohm @ 9.6a，10V 2.5V @ 1mA 60nc @ 10V 2458pf @ 15V -
AOP609 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOP609 -
RFQ
 ECAD 1285 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） AOP60 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-pdip 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n和p通道 60V - 60mohm @ 4.7a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 570pf @ 30V 逻辑级别门
FDS3890 onsemi FDS3890 1.8500
RFQ
 ECAD 9848 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS38 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 80V 4.7a 44mohm @ 4.7A，10V 4V @ 250µA 35nc @ 10V 1180pf @ 40V 逻辑级别门
DMN6040SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN6040SSDQ-13 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN6040 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5A（5A） 40mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 22.4NC @ 10V 1287pf @ 25V -
UPA2350T1P-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2350T1P-E4-A -
RFQ
 ECAD 3085 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 4-XFBGA UPA2350 MOSFET （金属 o化物） 1.3W（TA） 4-Eflip-LGA（1.62x1.62） - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 6a（6a） 35mohm @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 8.6nc @ 4V 542pf @ 10V 逻辑水平门，2.5V
AO4805L_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4805L_101 -
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 30V 9a 19mohm @ 8a，10v 2.8V @ 250µA 39nc @ 10V 2600pf @ 15V 逻辑级别门
SI9934BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9934BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI9934 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 12V 4.8a 35mohm @ 6.4a，4.5V 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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