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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
AO8807 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8807 -
RFQ
 ECAD 3053 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） AO880 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 6.5a 20mohm @ 6.5a，4.5V 850mv @ 250µA 23nc @ 4.5V 2100pf @ 6V 逻辑级别门
IXFN130N90SK IXYS IXFN130N90SK 143.6650
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN130 MOSFET （金属 o化物） - SOT-227B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfn130n90sk Ear99 8541.29.0095 10 2 n 通道（双） 900V - - - - - -
STD1056T4-ON onsemi STD1056T4-ON 0.2700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 STD1056 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
SQJ570EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ570EP-T1_BE3 1.1000
RFQ
 ECAD 7498 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ570 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） 742-SQJ570EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 100V （15A）（TC），9.5A （TC） 45mohm @ 6a，10v，146Mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 15nc @ 10v，20nc @ 10V 600pf @ 25V，650pf @ 25V -
BUK7K89-100EX NXP USA Inc. BUK7K89-100EX 1.0000
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K89 MOSFET （金属 o化物） 38W LFPAK56D 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 13a 82.5MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 13.6nc @ 10V 811pf @ 25V -
MSCSM70HM19T3AG Microchip Technology MSCSM70HM19T3AG 203.5900
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 365W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70HM19T3AG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（全桥） 700V 124A（TC） 19mohm @ 40a，20v 2.4V @ 4mA 215nc @ 20V 4500pf @ 700V -
MSCSM120AM042CT6AG Microchip Technology MSCSM120AM042CT6AG 848.0250
RFQ
 ECAD 5595 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 2.031kW（TC） SP6C 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM042CT6AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 495a（TC） 5.2MOHM @ 240A，20V 2.8V @ 6mA 1392NC @ 20V 18.1pf @ 1000V -
NXH040P120MNF1PTG onsemi NXH040P120MNF1PTG 96.3000
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 ECAD 6471 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH040 （SIC） 74W - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH040P120MNF1PTG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 30A（TC） 56mohm @ 25a，20v 4.3V @ 10mA 122.1NC @ 20V 1505pf @ 800V -
SI7958DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7958DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7958 MOSFET （金属 o化物） 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 7.2a 16.5MOHM @ 11.3A，10V 3V @ 250µA 75nc @ 10V - 逻辑级别门
GSFK3420 Good-Ark Semiconductor GSFK3420 0.3800
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 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET （金属 o化物） 275MW（TC） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n和p通道互补 30V 800mA（TC），400mA （TC） 450MOHM @ 300mA，4.5V，1 OHM @ 300mA，4.5V 1.2V @ 250µA 5.2nc @ 4.5V，6.2nc @ 4.5V 146pf @ 15V 标准
FDMS3606S onsemi FDMS3606S 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3606 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 13a，27a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1785pf @ 15V 逻辑级别门
OP524,005 WeEn Semiconductors OP524,005 0.1922
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 Ween半导体 * 托盘 积极的 OP524 - - （1 （无限） 0000.00.0000 1 -
SI1912EDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1912EDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2372 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1912 MOSFET （金属 o化物） 570MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.13a 280MOHM @ 1.13A，4.5V 450mv @ 100µA（100µA）） 1NC @ 4.5V - 逻辑级别门
NTGD4161PT1G onsemi NTGD4161PT1G -
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 NTGD41 MOSFET （金属 o化物） 600MW 6-TSOP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 1.5a 160MOHM @ 2.1a，10V 3V @ 250µA 7.1nc @ 10V 281pf @ 15V 逻辑级别门
BSL214NL6327 Infineon Technologies BSL214NL6327 -
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 ECAD 2749 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL214 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 20V 1.5a 140MOHM @ 1.5A，4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.8NC @ 5V 143pf @ 10V 逻辑级别门
DMP22D5UDR4-7 Diodes Incorporated DMP22D5UDR4-7 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 DMP22 MOSFET （金属 o化物） 380MW（TA） X2-DFN1010-6（UXC） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 5,000 2（p 通道（双） 20V 360ma（ta） 1.9OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.3NC @ 4.5V 17pf @ 16V 标准
SQJB70EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJB70EP-T1_BE3 0.8700
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB70 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） 742-SQJB70EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 11.3A（TC） 95MOHM @ 4A，10V 3.5V @ 250µA 7NC @ 10V 220pf @ 25V -
BSS138AKDW-TPQ2 Micro Commercial Co BSS138AKDW-TPQ2 0.1001
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-363 下载 353-BSS138AKDW-TPQ2 Ear99 8541.21.0095 1 2 n通道 50V 220mA 2ohm @ 500mA，10v 1.45V @ 250µA - 22.8pf @ 25V 标准
NTTFS5C658NLTAG onsemi NTTFS5C658NLTAG 3.0200
RFQ
 ECAD 9578 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - - - NTTFS5 - - - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 - - - - - - - -
PJQ5844_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5844_R2_00001 0.3969
RFQ
 ECAD 1400 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN PJQ5844 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA），32W（tc） DFN5060B-8 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 3757-PJQ5844_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 10a（10A），45a（tc） 8mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1759pf @ 25V -
NXH010P120MNF1PG onsemi NXH010P120MNF1PG -
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH010 （SIC） 250W（TJ） - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH010P120MNF1PG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 114a（TC） 14mohm @ 100a，20v 4.3V @ 40mA 454NC @ 20V 4707pf @ 800V -
SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35FE，LM 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N35 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 180mA 3ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA - 9.5pf @ 3V 逻辑级别门
FMM22-06PF IXYS FMM22-06PF 22.9360
RFQ
 ECAD 6235 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM22 MOSFET （金属 o化物） 130W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 600V 12a 350MOHM @ 11A，10V 5V @ 1mA 58nc @ 10V 3600pf @ 25V -
NTLJD3115PTAG onsemi NTLJD3115PTAG -
RFQ
 ECAD 1956年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD31 MOSFET （金属 o化物） 710MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.3a 100mohm @ 2A，4.5V 1V @ 250µA 6.2nc @ 4.5V 531pf @ 10V 逻辑级别门
FDMC89521L onsemi FDMC89521L 2.0900
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMC89521 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（16W），16W（tc） 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 8.2a（ta） 17mohm @ 8.2a，10v 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1635pf @ 30V 逻辑级别门
GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET （金属 o化物） 275MW（TC） SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2 n通道 30V 800mA（TC） 450MOHM @ 300mA，4.5V 1.2V @ 250µA 5.2nc @ 4.5V 146pf @ 15V 标准
UPA2590T1H-T2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2590T1H-T2-AT 0.5100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 UPA2590 MOSFET （金属 o化物） 1.24W 8-VSOF - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 4.5a 50MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 10V 310pf @ 10V 逻辑级别门
DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated DMN2300UFL4-7 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 DMN2300 MOSFET （金属 o化物） 1.39W x2-dfn1310-6（b型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 2.11a（ta） 195mohm @ 300mA，4.5V 950mv @ 250µA 3.2nc @ 4.5V 128.6pf @ 25V -
ALD1108EPCL Advanced Linear Devices Inc. ALD1108EPCL -
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD1108 MOSFET （金属 o化物） 600MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10V - 500OHM @ 5V 1.01V @ 1µA - 25pf @ 5V -
SI4286DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4286DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2105 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4286 MOSFET （金属 o化物） 2.9W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 7a 32.5MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 250µA 10.5NC @ 10V 375pf @ 20V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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