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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJB00EP-T1_GE3 | 1.3100 |  | 9293 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJB00 | MOSFET （金属 o化物） | 48W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 30A（TC） | 13mohm @ 10a，10v | 3.5V @ 250µA | 35nc @ 10V | 1700pf @ 25V | - | |||
 | SI1539DL-T1-GE3 | - | | 9923 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1539 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 540mA，420mA | 480MOHM @ 590mA，10V | 2.6V @ 250µA | 1.4NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
 | DMN3190LDW-13 | 0.4600 | | 3629 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN3190 | MOSFET （金属 o化物） | 320MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 1a | 190MOHM @ 1.3A，10V | 2.8V @ 250µA | 2NC @ 10V | 87pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | PMPB10XNE184 | - | | 2820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PMPB10 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 3,000 | - | ||||||||||||||||
 | NDH8304P | - | | 1745年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm） | NDH8304 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | Supersot™-8 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.7a | 70MOHM @ 2.7a，4.5V | 1V @ 250µA | 23nc @ 4.5V | 865pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
| 2N7002DWS-7 | 0.0854 | | 5793 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 290MW（TA） | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 2N7002DWS-7DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 247ma（ta） | 4ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 250µA | 0.4NC @ 4.5V | 41pf @ 25V | - | |
 | NVMFD5C446NLT1G | 4.3700 | | 3220 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | 3.5W（TA） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 40V | （25a）（TA），145a tc（TC） | 2.65MOHM @ 20A，10V | 2.2V @ 90µA | 25nc @ 4.5V | 3170pf @ 25V | - | ||
 | SIA910EDJ-T1-GE3 | 0.5900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA910 | MOSFET （金属 o化物） | 7.8W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 12V | 4.5a | 28mohm @ 5.2a，4.5V | 1V @ 250µA | 16nc @ 8V | 455pf @ 6V | 逻辑级别门 | |||
 | SI6966DQ-T1-E3 | - | | 2975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6966 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4a | 30mohm @ 4.5A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | APTM50AM38STG | 175.7900 | | 6 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 694W | SP4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 500V | 90a | 45MOHM @ 45A，10V | 5V @ 5mA | 246nc @ 10V | 11200pf @ 25V | - | ||
| Ald1115mal | - | | 4197 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） | ALD1115 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | n和p通道互补 | 10.6V | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | ||
 | SI7842DP-T1-GE3 | - | | 7603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7842 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.3a | 22mohm @ 7.5a，10v | 2.4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
 | SI7212DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 7765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7212 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a，10v | 1.6V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | MCH6662-TL-H | - | | 9982 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，平坦的铅 | MCH6662 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | 6-MCPH | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 2a | 160MOHM @ 1A，4.5V | - | 1.8NC @ 4.5V | 128pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | WAS175M12BM3 | 566.8200 | | 1 | 0.00000000 | Wolfspeed，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | WAS175 | （SIC） | - | - | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 228a（TC） | 10.4mohm @ 175a，15v | 3.6V @ 43mA | 422nc @ 15V | 12900pf @ 800V | - | ||||
| 2N7002DW-7-G | - | | 1101 | 0.00000000 | 二极管合并 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 2N7002 | - | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | 2N7002DW-7-GDI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||
 | DMN3401LVQ-7 | 0.3200 | | 6118 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN3401 | MOSFET （金属 o化物） | 490MW（TA） | SOT-563 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 800mA（ta） | 400MOHM @ 590mA，10V | 1.6V @ 100µA | 1.2NC @ 10V | 50pf @ 15V | 标准 | |||
 | PMCPB55330X，115 | 0.5100 | | 55 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-UFDFN暴露垫 | PMCPB5530 | - | 490MW | 6-Huson（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 4A（4A），3.4a ta（3.4A） | 34mohm @ 3A，4.5V | 900mv @ 250µA | 21.7nc @ 4.5V | 660pf @ 10V | - | ||
 | BSS8402DW-TP | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BSS8402 | MOSFET （金属 o化物） | 200MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 60V，50V | 115mA，130mA | 2ohm @ 500mA，10v，10ohm @ 100mA，5v | 2.5V @ 250µA，2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V，30pf @ 25V | - | ||
 | DMC2700UDMQ-7 | 0.4000 | | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | DMC2700 | MOSFET （金属 o化物） | 1.12W（TA） | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 20V | 1.34A（ta），1.14a（ta） | 400MOHM @ 600mA，4.5V，700MOHM @ 430mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.74NC @ 4.5V，0.62NC @ 4.5V | 60.67pf @ 16V，59.76pf @ 16V | - | ||
 | AOC2806 | 0.6100 | | 391 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-XDFN | AOC280 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | 4-DFN（1.7x1.7） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | - | - | - | - | 12.5nc @ 4.5V | - | - | ||
 | SI4544DY-T1-E3 | - | | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4544 | MOSFET （金属 o化物） | 2.4W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道，普通排水 | 30V | - | 35mohm @ 6.5a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 35nc @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
 | BB304CDW-TL-E | 0.1500 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | BB304 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | - | ||||||||||||||
| SI4933DY-T1-GE3 | - | | 1767年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4933 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9.8a，4.5V | 1V @ 500µA | 70NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
| APTC80H15T1G | 72.9800 | | 1034 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP1 | APTC80 | MOSFET （金属 o化物） | 277W | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4（n n 通道（半桥） | 800V | 28a | 150mohm @ 14a，10v | 3.9V @ 2mA | 180nc @ 10V | 4507pf @ 25V | - | ||
| FDD6N50RTF | - | | 8331 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | FDD6N50 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
 | IRF7762TRLPBF | 1.0000 | | 760 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | IRF7762 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
| 2N7002KDW-TP | 0.4900 | | 1 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 340mA | 5ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 1mA | - | 40pf @ 10V | - | ||
 | SI3900DV-T1-GE3 | 0.9700 | | 3978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3900 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 2a | 125mohm @ 2.4a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 4NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | SI6933DQ | 0.4900 | | 6295 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6933 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW（TA） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,451 | 2（p 通道（双） | 30V | 3.5A（ta） | 45MOHM @ 3.5A，10V | 3V @ 250µA | 30nc @ 10V | 854pf @ 15V | - |
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