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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC2053UVTQ-13 | 0.1505 |  | 3823 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | DMC2053 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW（TA） | TSOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 31-DMC2053UVTQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 20V | 4.6A（ta），3.2a（ta） | 35MOHM @ 5A，4.5V，74MOHM @ 3.5A，4.5V | 1V @ 250µA | 3.6nc @ 4.5V，5.9nc @ 4.5V | 369pf @ 10V，440pf @ 10V | - | |
 | DMC2025UFDBQ-13 | 0.1137 | | 1486年 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMC2025 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW（TA） | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMC2025UFDBQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 20V | 6a（6a），3.5a ta（3.5a） | 25mohm @ 4A，4.5V，75MOHM @ 2.9a，4.5V | 1V @ 250µA，1.4V @ 250µA | 12.3nc @ 10v，15nc @ 8v | 486pf @ 10v，642pf @ 10V | - | |||
 | STL8DN10LF3 | 2.8500 | | 6139 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车，AEC-Q101，StripFet™III | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL8 | MOSFET （金属 o化物） | 70W | PowerFlat™（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 20a | 35mohm @ 4A，10V | 3V @ 250µA | 20.5nc @ 10V | 970pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | MSCSM170DUM039AG | 775.6300 | | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM170 | （SIC） | 2400W（TC） | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM170DUM039AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双）公共来源 | 1700V（（1.7kV） | 523a（TC） | 5mohm @ 270a，20v | 3.3V @ 22.5mA | 1602NC @ 20V | 29700pf @ 1000V | - | |
 | NX1029XH | 0.0945 | | 4867 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | NX1029 | MOSFET （金属 o化物） | 330MW（TA），1.09W（tc） | SOT-666 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 934065643125 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道互补 | 50V | 330mA（ta），170mA（ta） | 1.6OHM @ 500mA，10v，7.5Ohm @ 100mA，10v | 2.1V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V，0.35NC @ 5V | 50pf @ 10v，36pf @ 25V | 逻辑级别门 | |
 | SI7904BDN-T1-E3 | 1.3200 | | 8098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7904 | MOSFET （金属 o化物） | 17.8W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 6a | 30mohm @ 7.1a，4.5V | 1V @ 250µA | 24nc @ 8v | 860pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | SQJ500AEP-T1_GE3 | 1.6100 | | 5831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ500 | - | 48W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 40V | 30A（TC） | 27mohm @ 6a，10v | 2.3V @ 250µA | 38.1NC @ 10V | 1850pf @ 20V | - | |||
 | NX6020NBKS115 | 0.0900 | | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||
 | SI1563DH-T1-E3 | - | | 3040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1563 | MOSFET （金属 o化物） | 570MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 1.13a，880mA | 280MOHM @ 1.13A，4.5V | 1V @ 100µA | 2NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | DMT69M9LPDW-13 | 0.4453 | | 3448 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | DMT69 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W（TA），40.3W（tc） | PowerDI5060-8（type UXD） | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMT69M9LPDW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | （11a）（ta），44a （TC） | 12.5MOHM @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 33.5NC @ 10V | 2212pf @ 30V | - | |||
 | FDW2503NZ | - | | 1296 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW25 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | 5.5a | 20mohm @ 5.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1286pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | AOP610 | - | | 2587 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | AOP61 | MOSFET （金属 o化物） | 2.3W | 8-pdip | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n和p通道 | 30V | - | 24mohm @ 7.7a，10v | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | 630pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
| AO8820 | 0.2619 | | 9887 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | AO882 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 7a | 21mohm @ 7a，10v | 1.1V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 500pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | QH8MA2TCR | 0.5900 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | QH8MA2 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 4.5a，3a | 35MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 8.4nc @ 10V | 365pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| APTM50DHM38G | 212.3600 | | 9117 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 694W | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 500V | 90a | 45MOHM @ 45A，10V | 5V @ 5mA | 246nc @ 10V | 11200pf @ 25V | - | ||
 | IPG20N04S408AATMA1 | 1.7900 | | 7 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装，可润湿的侧面 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET （金属 o化物） | 65W | PG-TDSON-8-10 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 20a | 7.6mohm @ 17a，10v | 4V @ 30µA | 36NC @ 10V | 2940pf @ 25V | - | ||
 | PJX8601_R1_00001 | 0.3700 | | 95 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | PJX8601 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW（TA） | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJX8601_R1_00001TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | n和p通道互补 | 20V | 500mA（ta） | 400MOHM @ 500mA，4.5V，1.2OHM @ 500mA，4.5V | 900mv @ 250µA，1V @ 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 67pf @ 10V，38pf @ 10V | - | |
 | SI5944DU-T1-GE3 | - | | 5386 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5944 | MOSFET （金属 o化物） | 10W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 6a | 112MOHM @ 3.3A，10V | 3V @ 250µA | 6.6nc @ 10V | 210pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
| QH8KA1TCR | 0.6300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | QH8KA1 | - | 2.4W | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.5a | 73MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 3NC @ 10V | 125pf @ 15V | - | ||
 | NTHD4508NT1G | 1.2200 | | 6440 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | NTHD4508 | MOSFET （金属 o化物） | 1.13W | chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 3a | 75MOHM @ 3.1a，4.5V | 1.2V @ 250µA | 4NC @ 4.5V | 180pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | AUIRF7343Q | - | | 2519 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AUIRF7343 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001517318 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | n和p通道 | 55V | 4.7a，3.4a | 50mohm @ 4.7A，10V | 1V @ 250µA | 36NC @ 10V | 740pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| APTM20DUM05G | 263.7920 | | 4824 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM20 | MOSFET （金属 o化物） | 1136W | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 200V | 317a | 6mohm @ 158.5a，10v | 5V @ 10mA | 448nc @ 10V | 27400pf @ 25V | - | ||
| CTLDM7003T-M563D TR | - | | 9297 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | CTLDM7003T | MOSFET （金属 o化物） | 350MW | TLM563D | 下载 | 1514-CTLDM7003T-M563DTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 50V | 280mA | 1.5OHM @ 50mA，5V | 1.2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||||
 | SP8M8FD5TB1 | - | | 3307 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8M8 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 846-SP8M8FD5TB1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 6a（6A），4.5a ta（4.5a） | 30mohm @ 6a，10v，56mohm @ 4.5a，10v | 2.5V @ 1mA | 7.2nc @ 5v，8.5nc @ 5V | 520pf @ 10V，850pf @ 10V | 逻辑水平门，4V驱动器 | ||
 | DMN5L06VKQ-7 | - | | 9428 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN5L06 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SOT-563 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 280mA（TA） | 2ohm @ 50mA，5v | 1.2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | PMDXB950UPELZ | 0.4200 | | 39 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | PMDXB950 | MOSFET （金属 o化物） | 380MW | DFN1010B-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 500mA | 1.4OHM @ 500mA，4.5V | 950mv @ 250µA | 2.1nc @ 4.5V | 43pf @ 10V | - | ||
 | AO4606L_DELTA | - | | 3407 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO46 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 6a | 30mohm @ 6a，10v | 2.4V @ 250µA | 6NC @ 10V | 310pf @ 15V | - | |||
| DMP2110UFDB-13 | 0.0912 | | 3497 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMP2110 | MOSFET （金属 o化物） | 820MW（TA） | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMP2110UFDB-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.2A（ta） | 75MOHM @ 2.8a，4.5V | 1V @ 250µA | 12.7nc @ 8v | 443pf @ 10V | - | |||
| NTMFC013NP10M5L | 1.3314 | | 9136 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | NTMFC013 | MOSFET （金属 o化物） | 2.7W（ta），102W（tc） | 8-WDFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 488-NTMFC013NP10M5LTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 100V | （9A）（60a），60a tc），5a ta（5a ta），36a （TC） | 13.4mohm @ 8.5a，10v，36mohm @ 8.5a，10v | 3V @ 158µA，4V @ 158µA | 23nc @ 4.5V，30nc @ 10V | 1345pf @ 50v，2443pf @ 50V | - | |
 | DI0A4N45SQ2 | - | | 2454 | 0.00000000 | diotec半导体 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-so | - | 不适用 | 不适用 | 供应商不确定 | 2796-DI0A4N45SQ2TR | 8541.29.0000 | 1 | 2 n通道 | 450V | 400mA（TA） | 4.5Ohm @ 400mA，10v | 4V @ 250µA | 7NC @ 10V | 160pf @ 25V | 标准 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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