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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMC31D5UDAQ-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDAQ-7B 0.0357
RFQ
 ECAD 3868 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMC31 MOSFET （金属 o化物） 370MW（TA） X2-DFN0806-6 下载 31-DMC31D5UDAQ-7B Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 30V 400mA（TA），220mA（ta） 1.5OHM @ 100mA，4.5V，5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.38NC @ 4.5V，0.35NC @ 4.5V 22.6pf @ 15V，21.8pf @ 15V 标准
DMP2100UCB9-7 Diodes Incorporated DMP2100UCB9-7 -
RFQ
 ECAD 8111 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-Ufbga，Wlbga DMP2100 MOSFET （金属 o化物） 800MW U-WLB1515-9 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双）共同来源 20V 3a 100mohm @ 1A，4.5V 900mv @ 250µA 4.2nc @ 4.5V 310pf @ 10V 逻辑级别门
DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated DMC2038LVTQ-7 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2038 MOSFET （金属 o化物） 800MW（TA） TSOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 3.7a（ta），2.6a（ta） 35MOHM @ 4A，4.5V，74MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 250µA 5.7nc @ 4.5V，10NC @ 4.5V 530pf @ 10V，705pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
SI9936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9936BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI9936 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 4.5a 35mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 10V - 逻辑级别门
AOSD21313C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD21313C 0.8800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AOSD213 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 5.7A（ta） 32MOHM @ 5.7A，10V 2.2V @ 250µA 33nc @ 10V 1100pf @ 15V -
FQS4900TF Fairchild Semiconductor FQS4900TF 0.5800
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FQS4900 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 n和p通道 60V，300V 1.3a，300mA 550MOHM @ 650mA，10V 1.95V @ 20mA 2.1nc @ 5V - -
PSMN013-60HSX Nexperia USA Inc. PSMN013-60HSX 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN013 MOSFET （金属 o化物） 64W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 40a（ta） 10mohm @ 10a，10v 4V @ 1mA 30.1nc @ 10V 2163pf @ 25V -
SIZ240DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ240DT-T1-GE3 1.3100
RFQ
 ECAD 2831 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ240 MOSFET （金属 o化物） 4.3W（TA），33W（tc） 8-Powerpair®（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SIZ240DT-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 17.2a（ta），48a tc），16.9a ta（47a ta）（47a tc） 8.05mohm @ 10a，10v，8.41Mohm @ 10a，10v 2.4V @ 250µA 23nc @ 10v，22nc @ 10v 1180pf @ 20v，1070pf @ 20V -
SI5509DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5509DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5509 MOSFET （金属 o化物） 4.5W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 6.1a，4.8a 52MOHM @ 5A，4.5V 2V @ 250µA 6.6nc @ 5V 455pf @ 10V 逻辑级别门
NTTFD9D0N06HLTWG onsemi nttfd9d0n06hltwg 2.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-PowerWQFN NTTFD9 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（ta），26W（26W）TC） 12-wqfn（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V （9A）（ta），38a tc（TC） 9mohm @ 10a，10v 2V @ 50µA 13.5nc @ 10V 948pf @ 30V -
MSCSM170AM15CT3AG Microchip Technology MSCSM170AM15CT3AG 457.5500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 862W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170AM15CT3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 181a（TC） 15mohm @ 90a，20v 3.2V @ 7.5mA 534NC @ 20V 9900pf @ 1000V -
AON2801L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2801L -
RFQ
 ECAD 8076 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 AON280 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 6-DFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3A（3A） 120MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 250µA 6.5nc @ 4.5V 700pf @ 10V -
DMC2053UVT-13 Diodes Incorporated DMC2053UVT-13 0.4200
RFQ
 ECAD 3692 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2053 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 20V 4.6A（ta），3.2a（ta） 35MOHM @ 5A，4.5V，74MOHM @ 3.5A，4.5V 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5V，5.9nc @ 4.5V 369pf @ 10V，440pf @ 10V -
DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated DMP1055UFDB-7 0.2035
RFQ
 ECAD 2725 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP1055 MOSFET （金属 o化物） 1.36W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 3.9a 59mohm @ 3.6A，4.5V 1V @ 250µA 20.8NC @ 8V 1028pf @ 6V -
AONX38320 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONX38320 1.0012
RFQ
 ECAD 1640年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 AONX383 MOSFET （金属 o化物） 4.1W（TA），24W tc（TC），4.4W ta（73w ta）（73W（tc） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AONX38320TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 27a（27a），66A（tc（66a），57a（ta（233a tc）（TC） 3.5MOHM @ 20a，10v，800µhm @ 20a，10v 2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 26nc @ 10v，123nc @ 10v 1220pf @ 15V，6260pf @ 15V 标准
CTLDM7003T-M563D BK Central Semiconductor Corp CTLDM7003T-M563D BK -
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 CTLDM7003T MOSFET （金属 o化物） 350MW TLM563D 下载 1514-CTLDM7003T-M563DBK Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 50V 280mA 1.5OHM @ 50mA，5V 1.2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
FDMS9410L Fairchild Semiconductor FDMS9410L -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDMS9410 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
UPA2590T1H-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2590T1H-T1-AT 0.5500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 UPA2590 MOSFET （金属 o化物） 1.24W 8-VSOF 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 4.5a 50MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 10V 310pf @ 10V 逻辑级别门
SP8M21HZGTB Rohm Semiconductor SP8M21HZGTB 2.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M21 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 45V 6a（6a），4a ta（4a ta） 25mohm @ 6a，10v，46mohm @ 4a，10v 2.5V @ 1mA 21.6nc @ 5v，28nc @ 5v 1400pf @ 10V，2400pf @ 10V -
MSCSM70HM19CT3AG Microchip Technology MSCSM70HM19CT3AG 253.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 365W（TC） SP3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70HM19CT3AG Ear99 8541.29.0095 1 4 n通道 700V 124A（TC） 19mohm @ 40a，20v 2.4V @ 4mA 215nc @ 20V 4500pf @ 700V -
DMT3020UFDB-7 Diodes Incorporated DMT3020UFDB-7 0.1815
RFQ
 ECAD 3821 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT3020 MOSFET （金属 o化物） 860MW U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMT3020UFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 6.5A（TA） 21mohm @ 6a，10v 1.7V @ 250µA 8.8nc @ 10V 383pf @ 15V -
EMH2407-TL-H onsemi EMH2407-TL-H -
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 EMH2407 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
EFC4K105NUZTDG onsemi EFC4K105NUZTDG 0.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 EFC4K105 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 10-wlcsp （3.4x1.96） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 22V 25A（TA） 3.55MOHM @ 5A，4.5V 1.3V @ 1mA 43nc @ 3.8V - 逻辑水平门，2.5V
BSC072N04LDATMA1 Infineon Technologies BSC072N04LDATMA1 1.7800
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 Infineon技术 Optimos™-T2 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn BSC072 MOSFET （金属 o化物） 65W（TC） PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 40V 20A（TC） 7.2mohm @ 17a，10v 2.2V @ 30µA 52NC @ 10V 3990pf @ 20V 逻辑级别门
PMDPB30XN,115 Nexperia USA Inc. PMDPB30XN，115 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB30 MOSFET （金属 o化物） 490MW 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4a 40mohm @ 3A，4.5V 900mv @ 250µA 21.7nc @ 4.5V 660pf @ 10V 逻辑级别门
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ914 MOSFET （金属 o化物） 22.7W，100W 8-PowerPair® 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 16a，40a 6.4mohm @ 19a，10v 2.4V @ 250µA 26NC @ 10V 1208pf @ 15V 逻辑级别门
AO6800 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6800 0.1823
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO680 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.4a 60mohm @ 3.4a，10v 1.5V @ 250µA 10NC @ 10V 235pf @ 15V 逻辑级别门
TPCL4201(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4201（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 4-xflga TPCL4201 MOSFET （金属 o化物） 500MW 4芯片lga（1.59x1.59） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（半桥） - - - 1.2V @ 200µA - 720pf @ 10V -
CAR600M17HN6 Wolfspeed, Inc. CAR600M17HN6 3.0000
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAR600 （SIC） 50MW 模块 下载 不适用 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（半桥） 1700V（（1.7kV） 986a（TC） - - - 55700pf @ 0v -
EPC2110ENGRT EPC EPC2110engrt 2.2600
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 ECAD 2847 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 死 EPC211 ganfet（n化岩） - 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0040 2,500 2 n 通道（双）公共来源 120V 3.4a 60mohm @ 4a，5v 2.5V @ 700µA 0.8NC @ 5V 80pf @ 60V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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