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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PJL9811_R2_00001 | 0.6400 |  | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | PJL9811 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 7.8A（ta） | 21MOHM @ 7.8A，10V | 2.5V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | 1169pf @ 15V | - | ||
 | NVMFD5C672NLT1G | 2.3700 | | 6076 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（ta），45W（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | （12A）（ta），49a （TC） | 11.9mohm @ 10a，10v | 2.2V @ 30µA | 5.7nc @ 4.5V | 793pf @ 25V | - | ||
 | BSL806NH6327XTSA1 | - | | 9684 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | BSL806 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | PG-TSOP6-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001101014 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 2.3a（ta） | 57MOHM @ 2.3a，2.5V | 750mv @ 11µA | 1.7nc @ 2.5V | 259pf @ 10V | 逻辑水平门，1.8V | |
 | PMGD130UN，115 | - | | 6093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PMGD1 | MOSFET （金属 o化物） | 390MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 1.2a | 145MOHM @ 1.2A，4.5V | 1V @ 250µA | 1.3nc @ 4.5V | 83pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | ECH8663R-TL-H | 1.8200 | | 4482 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | ECH8663 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-ech | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a | 20.5MOHM @ 4A，4.5V | - | 12.3nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | AUIRF9952Q | - | | 4537 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AUIRF9952 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001519192 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | n和p通道 | 30V | 3.5a，2.3a | 100mohm @ 2.2a，10v | 3V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | SI7223DN-T1-GE3 | 0.9400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®GenIII | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7223 | MOSFET （金属 o化物） | 2.6W（23w），23W（tc） | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 6A（TC） | 26.4mohm @ 8a，10v | 2.5V @ 250µA | 40NC @ 10V | 1425pf @ 15V | - | |||
 | NX6020CAKS，115 | - | | 7755 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | FS03MR12A6MA1LBBPSA1 | 3.0000 | | 5938 | 0.00000000 | Infineon技术 | HybridPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | FS03MR12 | （SIC） | 20mw | Ag-Hybridd-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 6 n通道（3相桥） | 1200V（1.2kV） | 400a | 3.7MOHM @ 400A，15V | 5.55V @ 240mA | 1320nc @ 15V | 42500pf @ 600V | - | ||
 | FDS8984-F085 | - | | 2026 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS89 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 7a | 23mohm @ 7a，10v | 2.5V @ 250µA | 13nc @ 10V | 635pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | SI4834BDY-T1-GE3 | - | | 1812年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4834 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a，10v | 3V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
| SI7501DN-T1-GE3 | - | | 2582 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7501 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道，普通排水 | 30V | 5.4a，4.5a | 35mohm @ 7.7A，10V | 3V @ 250µA | 14NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||
 | FDW2521C | - | | 6264 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW25 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n和p通道 | 20V | 5.5a，3.8a | 21MOHM @ 5.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1082pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | NTMD6601NR2G | - | | 1663年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NTMD66 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 80V | 1.1a | 215mohm @ 2.2a，10v | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | 400pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||
| APTM100H45FT3G | 153.0300 | | 1310 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTM100 | MOSFET （金属 o化物） | 357W | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4（n n 通道（半桥） | 1000V （1kV） | 18a | 540MOHM @ 9A，10V | 5V @ 2.5mA | 154NC @ 10V | 4350pf @ 25V | - | ||
| SLA5096 | - | | 5152 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | 15 sip裸露的选项卡，形成铅 | Sla50 | MOSFET （金属 o化物） | - | 15-zip | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | SLA5096 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 18 | 3n和3p 通道（3相桥） | 55V | 8a | - | - | - | - | - | ||
 | FS50km-06 ＃B00 | 2.1100 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | FS50公里 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | SQJB90EP-T1_GE3 | 1.4100 | | 5507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJB90 | MOSFET （金属 o化物） | 48W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 80V | 30A（TC） | 21.5mohm @ 10a，10v | 3.5V @ 250µA | 25nc @ 10V | 1200pf @ 25V | - | |||
 | NTZD3154NT1H | - | | 5540 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | NTZD3154 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 540mA | 550MOHM @ 540mA，4.5V | 1V @ 250µA | 2.5NC @ 4.5V | 150pf @ 16V | - | ||
 | FX30KMJ-06 ＃B00 | 2.4500 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | FX30 KMJ | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | HAF1002-90L | 1.0000 | | 2131 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | haf1002 | - | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
 | APTMC120AM08CD3AG | - | | 5051 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | D-3模块 | APTMC120 | （SIC） | 1100W | D3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 250A（TC） | 10mohm @ 200a，20v | 2.2V @ 10mA ty（typ） | 490NC @ 20V | 9500pf @ 1000V | - | ||
 | QS6K1FRATR | 0.6000 | | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | QS6K1 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW（TC） | TSMT6（SC-95） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 1A（1A） | 238mohm @ 1A，4.5V | 1.5V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 77pf @ 10V | 逻辑水平门，2.5V | ||
 | IRF7506TRPBF | - | | 1185 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） | IRF7506 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W | micro8™ | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 1.7a | 270MOHM @ 1.2A，10V | 1V @ 250µA | 11NC @ 10V | 180pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| 2SJ325-Z-e1-az | 0.9300 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 2SJ325 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
| RF1K49223 | 0.7300 | | 37 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | RF1K4 | MOSFET （金属 o化物） | - | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2（p 通道（双） | 30V | 2.5a | - | - | - | - | - | ||
| MSCSM70VR1M19C1AG | 124.9100 | | 6770 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM70 | （SIC） | 365W（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM70VR1M19C1AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 700V | 124A（TC） | 19mohm @ 40a，20v | 2.4V @ 4mA | 215nc @ 20V | 4500pf @ 700V | - | |
| ECH8604-TL-E-SY | 0.3100 | | 24 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | ECH8604 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||
 | FDD8424H | 1.3900 | | 8044 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD | FDD8424 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | TO-252（DPAK） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 40V | 9a，6.5a | 24mohm @ 9a，10v | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 1000pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | DMT32M6LDG-13 | 1.4800 | | 3 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | DMT32 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W（TA） | POWERDI3333-8（g型） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 21a（21a），47a（tc） | 2.5MOHM @ 18A，10V | 2.2V @ 400µA | 15.6nc @ 4.5V | 2101pf @ 15V | 标准 |
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