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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 重量（ kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
MCH6620-TL-E Sanyo MCH6620-TL-E 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 MCH6620 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
PJS6839_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6839_S1_00001 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 PJS6839 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） SOT-23-6 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 300mA（TA） 4ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 1.1NC @ 4.5V 51pf @ 25V -
DMN4027SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN4027SSDQ-13 0.4574
RFQ
 ECAD 5050 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN4027 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-sop 下载 到达不受影响 31-DMN4027SSDQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.4A（ta） 27mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 12.9nc @ 10V 604pf @ 20V -
SP8M24HZGTB Rohm Semiconductor SP8M24HZGTB 2.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M24 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SP8M24HZGTBCT Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 45V 4.5A（ta），3.5a（ta） 46mohm @ 4.5a，10v，63mohm @ 3.5a，10v 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5v，18.2nc @ 5v 550pf @ 10V，1700pf @ 10V -
SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R，LF 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N813 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 3.5A（ta） 112MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 100µA 3.6nc @ 4.5V 242pf @ 15V -
MSCSM120TAM11TPAG Microchip Technology MSCSM120TAM11TPAG 938.6500
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1.042kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120TAM11TPAG Ear99 8541.29.0095 1 6 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 251A（TC） 10.4mohm @ 120A，20V 2.8V @ 9mA 696nc @ 20V 9060pf @ 1000V -
DMN53D0LDW-7-52 Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7-52 0.0668
RFQ
 ECAD 8754 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN53 MOSFET （金属 o化物） 310MW（TA） SOT-363 下载 31-DMN53D0LDW-7-52 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n通道 50V 360ma（ta） 1.6ohm @ 500mA，10v 1.5V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 46pf @ 25V 标准
TSM6968DCA Taiwan Semiconductor Corporation TSM6968DCA 0.7714
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） TSM6968 MOSFET （金属 o化物） 1.04W（TA） 8-tssop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM6968DCATR Ear99 8541.29.0095 12,000 2 n通道 20V 6.5A（TA） 22mohm @ 6a，4.5V 1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 950pf @ 10V 标准
DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPDQ-13 1.5200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH6010 MOSFET （金属 o化物） 2.8W PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 13.1A（TA），47.6A （TC） 11mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 40.2NC @ 10V 2615pf @ 30V -
QH8JC5TCR Rohm Semiconductor QH8JC5TCR 1.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8JC5 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 3.5A（ta） 91MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 17.3nc @ 10V 850pf @ 30V -
FDC6310P Fairchild Semiconductor FDC6310P -
RFQ
 ECAD 9172 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6310 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2（p 通道（双） 20V 2.2a 125mohm @ 2.2a，4.5V 1.5V @ 250µA 5.2nc @ 4.5V 337pf @ 10V 逻辑级别门
PMDPB70XP,115 NXP USA Inc. PMDPB70XP，115 1.0000
RFQ
 ECAD 1741年 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB70 MOSFET （金属 o化物） 490MW 6-Huson（2x2） 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 30V 2.9a 87MOHM @ 2.9a，4.5V 1V @ 250µA 7.8NC @ 5V 680pf @ 15V 逻辑级别门
SIZ340BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ340BDT-T1-GE3 0.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ340 MOSFET （金属 o化物） 3.7W（3.7W），16.7W（TC），4.2W（ta（31W），31W（（（ta） 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 16.9a（ta），36a （TC），25.3a ta（69.3a tc）TC（TC） 8.56mohm @ 10a，10v，4.31Mohm @ 20a，10v 2.4V @ 250µA 12.6nc @ 10v，23.5nc @ 10v 550pf @ 15V，1065pf @ 15V -
FDMS3606S Fairchild Semiconductor FDMS3606S -
RFQ
 ECAD 7384 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3606 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-pqfn（5x6） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 13a，27a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1785pf @ 15V 逻辑级别门
BUK9K52-60RAX Nexperia USA Inc. BUK9K52-60RAX 1.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K52 MOSFET （金属 o化物） 32W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 16A（TA） 49mohm @ 5a，10v 2.1V @ 1mA 5.6nc @ 5V 725pf @ 25V 逻辑级别门
PJL9811_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9811_R2_00001 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9811 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 7.8A（ta） 21MOHM @ 7.8A，10V 2.5V @ 250µA 11NC @ 4.5V 1169pf @ 15V -
NVMFD5C672NLT1G onsemi NVMFD5C672NLT1G 2.3700
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（ta），45W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V （12A）（ta），49a （TC） 11.9mohm @ 10a，10v 2.2V @ 30µA 5.7nc @ 4.5V 793pf @ 25V -
BSL806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL806NH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL806 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001101014 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 2.3a（ta） 57MOHM @ 2.3a，2.5V 750mv @ 11µA 1.7nc @ 2.5V 259pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
PMGD130UN,115 NXP USA Inc. PMGD130UN，115 -
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PMGD1 MOSFET （金属 o化物） 390MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.2a 145MOHM @ 1.2A，4.5V 1V @ 250µA 1.3nc @ 4.5V 83pf @ 10V 逻辑级别门
ECH8663R-TL-H onsemi ECH8663R-TL-H 1.8200
RFQ
 ECAD 4482 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8663 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 8a 20.5MOHM @ 4A，4.5V - 12.3nc @ 4.5V - 逻辑级别门
AUIRF9952Q Infineon Technologies AUIRF9952Q -
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF9952 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001519192 Ear99 8541.29.0095 95 n和p通道 30V 3.5a，2.3a 100mohm @ 2.2a，10v 3V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
SI7223DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7223DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®GenIII 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7223 MOSFET （金属 o化物） 2.6W（23w），23W（tc） POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 6A（TC） 26.4mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 40NC @ 10V 1425pf @ 15V -
NX6020CAKS,115 Nexperia USA Inc. NX6020CAKS，115 -
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.21.0095 1
FDS8984-F085 onsemi FDS8984-F085 -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7a 23mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 13nc @ 10V 635pf @ 15V 逻辑级别门
SI4834BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4834BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1812年 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4834 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SI7501DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7501DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2582 0.00000000 Vishay Siliconix - （CT） 过时的 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7501 MOSFET （金属 o化物） 1.6W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道，普通排水 30V 5.4a，4.5a 35mohm @ 7.7A，10V 3V @ 250µA 14NC @ 10V - 逻辑级别门
FDW2521C onsemi FDW2521C -
RFQ
 ECAD 6264 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 20V 5.5a，3.8a 21MOHM @ 5.5A，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1082pf @ 10V 逻辑级别门
NTMD6601NR2G onsemi NTMD6601NR2G -
RFQ
 ECAD 1663年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMD66 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 80V 1.1a 215mohm @ 2.2a，10v 3V @ 250µA 15nc @ 10V 400pf @ 25V 逻辑级别门
APTM100H45FT3G Microchip Technology APTM100H45FT3G 153.0300
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 ECAD 1310 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 357W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 18a 540MOHM @ 9A，10V 5V @ 2.5mA 154NC @ 10V 4350pf @ 25V -
SLA5096 Sanken SLA5096 -
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 ECAD 5152 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 - 通过洞 15 sip裸露的选项卡，形成铅 Sla50 MOSFET （金属 o化物） - 15-zip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5096 DK Ear99 8541.29.0095 18 3n和3p 通道（3相桥） 55V 8a - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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