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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMC31D5UDA-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDA-7B 0.0820
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMC31 MOSFET （金属 o化物） 370MW（TA） X2-DFN0806-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC31D5UDA-7BDI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 30V 400mA（TA） 1.5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.38NC @ 4.5V 22.6pf @ 15V -
APTM100H45FT3G Microchip Technology APTM100H45FT3G 153.0300
RFQ
 ECAD 1310 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 357W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 18a 540MOHM @ 9A，10V 5V @ 2.5mA 154NC @ 10V 4350pf @ 25V -
FX30KMJ-06#B00 Renesas Electronics America Inc FX30KMJ-06 ＃B00 2.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FX30 KMJ - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
UPA1915TE(0)-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA1915TE（0）-T1-at 0.2500
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 UPA1915 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 3,000 -
SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-E3 1.5100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4963 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4.9a 32MOHM @ 6.5A，4.5V 1.4V @ 250µA 21nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SQJB90EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB90EP-T1_GE3 1.4100
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB90 MOSFET （金属 o化物） 48W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 80V 30A（TC） 21.5mohm @ 10a，10v 3.5V @ 250µA 25nc @ 10V 1200pf @ 25V -
NTZD3154NT1H onsemi NTZD3154NT1H -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3154 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 540mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V -
FS50KM-06#B00 Renesas Electronics America Inc FS50km-06 ＃B00 2.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS50公里 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
QS6K1FRATR Rohm Semiconductor QS6K1FRATR 0.6000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 QS6K1 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TC） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 1A（1A） 238mohm @ 1A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 77pf @ 10V 逻辑水平门，2.5V
IRF7506TRPBF Infineon Technologies IRF7506TRPBF -
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） IRF7506 MOSFET （金属 o化物） 1.25W micro8™ 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 1.7a 270MOHM @ 1.2A，10V 1V @ 250µA 11NC @ 10V 180pf @ 25V 逻辑级别门
HAF1002-90L Renesas Electronics America Inc HAF1002-90L 1.0000
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 haf1002 - 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
HAT1095C-EL-E Renesas Electronics America Inc HAT1095C-EL-E 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 HAT1095 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 3,000 -
APTM10TAM09FPG Microchip Technology APTM10TAM09FPG 272.8700
RFQ
 ECAD 1900 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 390W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 100V 139a 10mohm @ 69.5a，10v 4V @ 2.5mA 350NC @ 10V 9875pf @ 25V -
SIA914ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA914ADJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9137 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA914 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.5a 43mohm @ 3.7A，4.5V 900mv @ 250µA 12.5nc @ 8v 470pf @ 10V 逻辑级别门
AUIRF7379QTR Infineon Technologies AUIRF7379QTR -
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7379 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001520160 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 3V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7757TRPBF Infineon Technologies IRF7757TRPBF -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF7757 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001566434 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 4.8a 35mohm @ 4.8A，4.5V 1.2V @ 250µA 23nc @ 4.5V 1340pf @ 15V 逻辑级别门
SI9936DY Fairchild Semiconductor SI9936DY -
RFQ
 ECAD 1573年 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI9936 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC - rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5a 50mohm @ 5a，10v 1V @ 250µA 35nc @ 10V 525pf @ 15V -
SPF0004 Sanken SPF0004 7.0100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 桑肯 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 20-Powersoic（0.295英寸，7.50mm宽度） SPF00 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC） 20-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,400 2 n 通道（双） 275V 6a（6a） 260MOHM @ 6A，10V 2.6V @ 1mA - 960pf @ 10V -
APTM20TAM16FPG Microchip Technology APTM20TAM16FPG 268.0300
RFQ
 ECAD 3146 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 390W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 200V 104a 19mohm @ 52a，10v 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7220pf @ 25V -
SP8K32MB1TB1 Rohm Semiconductor SP8K32MB1TB1 -
RFQ
 ECAD 8387 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K32 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8K32MB1TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 4.5A（ta） 65mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 10NC @ 5V 500pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
IPG20N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L07ATMA1 1.9100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 65W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 40V 20a 7.2mohm @ 17a，10v 2.2V @ 30µA 50NC @ 10V 3980pf @ 25V 逻辑级别门
PSMN2R0-60ES Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60ES -
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PSMN2R0 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
FDMC0228 Fairchild Semiconductor FDMC0228 0.1500
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDMC02 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
ALD310700SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310700SCL 6.0054
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD310700 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1287 Ear99 8541.21.0095 50 4个p通道，匹配对 8V - - 20mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
PJS6812_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6812_S1_00001 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 PJS6812 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3.7a（ta） 56mohm @ 3.7A，4.5V 1.2V @ 250µA 4.57NC @ 4.5V 350pf @ 10V -
AO4801AL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4801AL -
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 30V 5a 48mohm @ 5a，10v 1.3V @ 250µA 9NC @ 4.5V 780pf @ 15V 逻辑级别门
DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated DMC1015UPD-13 0.7400
RFQ
 ECAD 3923 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMC1015 MOSFET （金属 o化物） 2.3W PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 12V 9.5a，6.9a 17mohm @ 11.8a，4.5V 1.5V @ 250µA 15.6nc @ 4.5V 1495pf @ 6V -
FDMS3668S Fairchild Semiconductor FDMS3668S 0.9100
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3668 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-pqfn（5x6） 下载 Ear99 8542.39.0001 330 2 n 通道（双） 30V 13a，18a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1765pf @ 15V 逻辑级别门
PMPB215ENEA,115 Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA，115 -
RFQ
 ECAD 9327 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
DMC31D5UDAQ-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDAQ-7B 0.0357
RFQ
 ECAD 3868 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMC31 MOSFET （金属 o化物） 370MW（TA） X2-DFN0806-6 下载 31-DMC31D5UDAQ-7B Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 30V 400mA（TA），220mA（ta） 1.5OHM @ 100mA，4.5V，5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.38NC @ 4.5V，0.35NC @ 4.5V 22.6pf @ 15V，21.8pf @ 15V 标准
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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