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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NTZD3155CT5G onsemi NTZD3155CT5G -
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 ECAD 9126 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3155 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n和p通道 20V 540mA，430mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V 逻辑级别门
ECH8659-TL-H onsemi ECH8659-TL-H -
RFQ
 ECAD 1677年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8659 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7a 24mohm @ 3.5A，10V - 11.8nc @ 10V 710pf @ 10V 逻辑级别门
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 155.5811
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 ECAD 4166 0.00000000 Infineon技术 * 托盘 积极的 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 448-FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 18
FDMS8090 onsemi FDMS8090 6.6100
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 ECAD 5148 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS80 MOSFET （金属 o化物） 2.2W 8-MLP（5x6），Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 10a 13mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 27nc @ 10V 1800pf @ 50V 逻辑级别门
MCMNP517-TP Micro Commercial Co MCMNP517-TP -
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 ECAD 2106 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 MCMNP517 MOSFET （金属 o化物） - DFN2020-6U - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V 6a，4.1a 24mohm @ 6a，10v 1V @ 250µA 12nc @ 10V 630pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
HUF76131SK8T_NB82084 Fairchild Semiconductor HUF76131SK8T_NB82084 -
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 ECAD 8464 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 HUF76131 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
SI5902BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5902BDC-T1-GE3 1.3200
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 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5902 MOSFET （金属 o化物） 3.12W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4a 65mohm @ 3.1a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 220pf @ 15V 逻辑级别门
SI4814BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-E3 -
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 ECAD 2310 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4814 MOSFET （金属 o化物） 3.3W，3.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 10a，10.5a 18mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
FDMB3900AN onsemi FDMB3900AN -
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 ECAD 8648 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMB3900 MOSFET （金属 o化物） 800MW 8-MLP，微型FOFET （3x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 7a 23mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 17NC @ 10V 890pf @ 13V 逻辑级别门
NDS8947 Fairchild Semiconductor NDS8947 0.9700
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 ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS894 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 4a 65MOHM @ 4A，10V 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 690pf @ 15V 逻辑级别门
NTMFD0D9N02P1E onsemi NTMFD0D9N02P1E -
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 ECAD 2807 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NTMFD0D9 MOSFET （金属 o化物） （960MW）（1.04W） 8-pqfn（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2832-NTMFD0D9N02P1ETR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V，25V 14a（TA），30a（ta） 3mohm @ 20a，10v，720µHomm @ 41a，10v 2V @ 340µA，2V @ 1mA 9NC @ 4.5V，30nc @ 4.5V 1400pf @ 15V，5050pf @ 13V -
IRF6723M2DTRPBF Infineon Technologies IRF6723M2DTRPBF -
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 ECAD 8736 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 DirectFet™等距 IRF6723 MOSFET （金属 o化物） 2.7W DirectFet™MA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001529196 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 15a 6.6mohm @ 15a，10v 2.35V @ 25µA 14NC @ 4.5V 1380pf @ 15V 逻辑级别门
US6K1TR Rohm Semiconductor US6K1TR 0.6000
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 ECAD 28 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6K1 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 1.5a 240MOHM @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.2nc @ 4.5V 80pf @ 10V 逻辑级别门
SCH2408-TL-E onsemi SCH2408-TL-E -
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 ECAD 3762 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） 600MW（TA） 6-SCH - Rohs不合规 供应商不确定 2156-SCH2408-TL-E-488 1 2 n通道 30V 350mA（ta） 1欧姆 @ 200ma，4V 1.3V @ 100µA 0.87NC @ 4V 28pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
APTM50AM38SCTG Microchip Technology APTM50AM38SCTG 216.1517
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 ECAD 8836 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 （SIC） 694W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 500V 90a 45MOHM @ 45A，10V 5V @ 5mA 246nc @ 10V 11200pf @ 25V -
MSCSM170DUM15T3AG Microchip Technology MSCSM170DUM15T3AG 258.3900
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 ECAD 4 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 862W（TC） SP3F - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170DUM15T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1700V（（1.7kV） 181a（TC） 15mohm @ 90a，20v 3.2V @ 7.5mA 534NC @ 20V 9900pf @ 1000V -
SIL2300A-TP Micro Commercial Co SIL2300A-TP 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 SIL2300 - 1.5W SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 7a 18mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 9.2nc @ 4.5V 900pf @ 10V -
SI1553DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1553DL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1553 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 660mA，410mA 385MOHM @ 660mA，4.5V 600mv @ 250µA（250µA）） 1.2nc @ 4.5V - 逻辑级别门
FDS6892A Fairchild Semiconductor FDS6892A 0.5600
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS68 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 20V 7.5a 18mohm @ 7.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1333pf @ 10V 逻辑级别门
SIX3134K-TP Micro Commercial Co SIX3134K-TP 0.4300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SIX3134 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 750mA 380MOHM @ 650mA，4.5V 1.1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 120pf @ 16V -
AO4821 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4821 -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO482 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 9a 19mohm @ 9a，4.5V 850mv @ 250µA 23nc @ 4.5V 2100pf @ 6V 逻辑级别门
FDW2507N Fairchild Semiconductor FDW2507N 0.5100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 7.5a 19mohm @ 7.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 28nc @ 4.5V 2152pf @ 10V 逻辑级别门
MCACD20N10Y-TP Micro Commercial Co MCACD20N10Y-TP 0.6628
RFQ
 ECAD 1648年 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 8-Powervdfn MCACD20 MOSFET （金属 o化物） 17W DFN5060-8D 下载 353-MCACD20N10Y-TP Ear99 8541.29.0095 1 2 n通道 100V 20a 22mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 16NC @ 10V 1051pf @ 50V 标准
SSFQ6810 Good-Ark Semiconductor SSFQ6810 0.5100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2 n通道 60V 5A（TC） 54mohm @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 21NC @ 10V 1300pf @ 25V 标准
FDS6982 Fairchild Semiconductor FDS6982 -
RFQ
 ECAD 3920 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6.3a，8.6a 28mohm @ 6.3a，10v 3V @ 250µA 12nc @ 5V 760pf @ 10V 逻辑级别门
SI1033X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1033X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9858 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1033 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 145mA 8ohm @ 150mA，4.5V 1.2V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4029SSDQ-13 0.3502
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 ECAD 7696 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4029 MOSFET （金属 o化物） 1.8W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V （9A）（6.5A）（6.5A） 24mohm @ 6a，10v，45mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5V，10.6nc @ 4.5V 1060pf @ 20v，1154pf @ 20V -
UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor UM6K31NFHATCN 0.4900
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6K31 MOSFET （金属 o化物） 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 250mA（ta） 2.4OHM @ 250mA，10V 2.3V @ 1mA - 15pf @ 25V -
MCB30P1200LB-TRR IXYS MCB30P1200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 8033 0.00000000 ixys MCB30P1200LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 9-PowersMD MCB30P1200 （SIC） - 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCB30P1200LB-TRRTR Ear99 8541.29.0095 200 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） - - - - - -
ECH8674-TL-H Sanyo ECH8674-TL-H 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Sanyo - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8674 MOSFET （金属 o化物） 1.3W（TA） SOT-28FL/ECH8 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 5A（5A） 41MOHM @ 3A，4.5V 1.3V @ 1mA 6.9nc @ 4.5V 660pf @ 6V -
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    每日平均RFQ量

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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