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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
MCQ4503B-TP Micro Commercial Co MCQ4503B-TP 0.4600
RFQ
 ECAD 632 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCQ4503 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 353-MCQ4503B-TPTR Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 5.6a（ta），4.4a（ta） 25mohm @ 5.6A，10V 1.5V @ 250µA，1.4V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V，7.2NC @ 10V 535pf @ 15V，680pf @ 15V -
FAM04V18DT1 onsemi FAM04V18DT1 -
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 FAM04 - 下载 488-FAM04V18DT1 过时的 1 -
DMN53D0LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ-7 0.1069
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN53 MOSFET （金属 o化物） 400MW（TA） SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMN53D0LDWQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 460mA ta） 1.6ohm @ 500mA，10v 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 10V 49.5pf @ 25V -
DMT3020UFDB-13 Diodes Incorporated DMT3020UFDB-13 0.1581
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT3020 MOSFET （金属 o化物） 860MW U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMT3020F.DB-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 30V 6.5A（TA） 21mohm @ 6a，10v 1.7V @ 250µA 8.8nc @ 10V 383pf @ 15V -
VMM85-02F IXYS VMM85-02F -
RFQ
 ECAD 5985 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y4-M6 VMM85 MOSFET （金属 o化物） 370W Y4-M6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 2 n 通道（双） 200V 84a 25mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 450NC @ 10V 15000pf @ 25V -
AOC3870C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3870C 0.8600
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 AOC387 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA） 10-Alphadfn（3.01x1.52） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 25A（TA） 3.8mohm @ 5A，4.5V 1.1V @ 250µA 32nc @ 4.5V - 标准
FDS9933BZ Fairchild Semiconductor FDS9933Bz 0.5100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS99 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4.9a 46mohm @ 4.9A，4.5V 1.5V @ 250µA 15nc @ 4.5V 985pf @ 10V 逻辑级别门
NTHD3102CT1G onsemi NTHD3102CT1G 1.0700
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 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD3102 MOSFET （金属 o化物） 1.1W chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4a，3.1a 45MOHM @ 4.4A，4.5V 1.2V @ 250µA 7.9nc @ 4.5V 510pf @ 10V 逻辑级别门
AON4803_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4803_001 -
RFQ
 ECAD 3652 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 AON480 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-DFN （3x2） - 到达不受影响 785-AON4803_001 过时的 1 2个p通道 20V 3.4a（ta） 90MOHM @ 3.4A，4.5V 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 745pf @ 10V 标准
SI6924AEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6924 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 28V 4.1a 33mohm @ 4.6A，4.5V 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
APTM50AM19STG Microsemi Corporation APTM50AM19STG -
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 ECAD 6793 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 （SIC） 1250W SP4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 500V 170a 19mohm @ 85a，10v 5V @ 10mA 492NC @ 10V 22400pf @ 25V -
DMN3401LDW-7 Diodes Incorporated DMN3401LDW-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN3401 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 800mA（ta） 400MOHM @ 590mA，10V 1.6V @ 250µA 1.2NC @ 10V 50pf @ 15V -
SI4947ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4947ADY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4947 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 3a 80Mohm @ 3.9a，10V 1V @ 250µA（250µA） 8NC @ 5V - 逻辑级别门
MSCMC120AM07CT6LIAG Microchip Technology MSCMC120AM07CT6LIAG -
RFQ
 ECAD 7091 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCMC120 （SIC） 1350W（TC） sp6c li 下载 到达不受影响 150-MSCMC120AM07CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 264a（TC） 8.7MOHM @ 240A，20V 4V @ 60mA 690NC @ 20V 11400pf @ 1000V -
FDY1002PZ-G onsemi FDY1002PZ-G -
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Onmi PowerTrench® 大部分 上次购买 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 MOSFET （金属 o化物） 446MW（TA） SOT-563 - 488-FDY1002PZ-G 1 2个p通道 20V 830mA ta） 500MOHM @ 830mA，4.5V 1V @ 250µA 3.1nc @ 4.5V 135pf @ 10V 逻辑级别门
AO4616L_103 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4616L_103 -
RFQ
 ECAD 4574 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO461 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 8.1a（ta），7.1a（7.1a）（ta） 20mohm @ 8.1a，10v，25mohm @ 7.1a，10v 3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 19.2nc @ 10v，30.9nc @ 10v 1250pf @ 15V，1573pf @ 15V -
DN2625DK6-G Microchip Technology DN2625DK6-G 3.3500
RFQ
 ECAD 1871年 0.00000000 微芯片技术 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 DN2625 MOSFET （金属 o化物） - 8-DFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 490 2 n 通道（双） 250V 1.1a 3.5OHM @ 1A，0V - 7.04NC @ 1.5V 1000pf @ 25V 耗尽模式
DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated DMPH6050SPD-13 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMPH6050 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 26a（TC） 48mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 14.5nc @ 4.5V 1525pf @ 30V -
DMN3013LDG-13 Diodes Incorporated DMN3013LDG-13 0.3080
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3013 MOSFET （金属 o化物） 2.16W（TA） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 9.5A（ta），15a （TC） 14.3MOHM @ 4A，8V 1.2V @ 250µA 5.7nc @ 4.5V 600pf @ 15V -
TC8020K6-G Microchip Technology TC8020K6-G 10.9800
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 微芯片技术 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 56-VFQFN暴露垫 TC8020 MOSFET （金属 o化物） - 56-qfn （8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 6n和6p通道 200V - 8ohm @ 1A，10V 2.4V @ 1mA - 50pf @ 25V -
FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF8MR12W1M1HB11BPSA1 217.5600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 FF8MR12 MOSFET （金属 o化物） - ag-easy1b - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
IRF640S2497 Harris Corporation IRF640S2497 -
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 ECAD 2298 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRF640 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
FDG8842CZ onsemi FDG8842CZ 0.6200
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG8842 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V，25V 750mA，410mA 400MOHM @ 750mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.44NC @ 4.5V 120pf @ 10V 逻辑级别门
SI1036X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1036X-T1-GE3 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1036 MOSFET （金属 o化物） 220MW SC-89-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 610ma（ta） 540MOHM @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 36pf @ 15V -
RFP50N06R4034 Harris Corporation RFP50N06R4034 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFP50 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor SP8K31HZGTB 1.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K31 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SP8K31HZGTBTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.5A（ta） 120MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 5.2nc @ 5V 250pf @ 10V -
NVMFD016N06CT1G onsemi NVMFD016N06CT1G 2.2800
RFQ
 ECAD 8637 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD016 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA），36W（TC） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V （9A）（ta），32a （TC） 16.3mohm @ 5A，10V 4V @ 25µA 6.9nc @ 10V 489pf @ 30V -
MCMNP2065A-TP Micro Commercial Co MCMNP2065A-TP 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 MCMNP2065 MOSFET （金属 o化物） 2W DFN2020-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 6a（6a），4a ta（4a ta） 25mohm @ 5A，4.5V，51MOHM @ 3.4a，4.5V 1V @ 250µA 7.65nc @ 4.5V，5.41NC @ 10V 418pf @ 10V，880pf @ 6v -
SSF2215 Good-Ark Semiconductor SSF2215 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2个p通道 20V 3A（3A） 85MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 510pf @ 15V 标准
MMBT7002DW Diotec Semiconductor MMBT7002DW 0.0520
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MMBT7002 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2796-MMBT7002DWTR 8541.21.0000 3,000 2 n 通道（双） 60V 115ma（ta） 7.5OHM @ 500mA，10V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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