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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDMD8900 Fairchild Semiconductor FDMD8900 0.9900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-Powerwdfn FDMD89 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 12-Power3.3x5 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 19a，17a 4mohm @ 19a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2605pf @ 15V -
AO4803AL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4803AL -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO4803 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 30V 5a 46mohm @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 11NC @ 10V 520pf @ 15V 逻辑级别门
AO8804_100 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8804_100 -
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） AO880 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共排水 20V - 13mohm @ 8a，10v 1V @ 250µA 17.9nc @ 4.5V 1810pf @ 10V 逻辑级别门
DMG1029SV-7-50 Diodes Incorporated DMG1029SV-7-50 0.0630
RFQ
 ECAD 3701 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1029 MOSFET （金属 o化物） 450MW（TA） SOT-563 下载 31-DMG1029SV-7-50 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 60V 500mA（ta），360mA（ta） 1.7ohm @ 500mA，10v，4ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 0.3NC @ 4.5V，0.28NC @ 4.5V 30pf @ 25V，25pf @ 25V 标准
NDS9936 Fairchild Semiconductor NDS9936 0.5400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS993 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5a 50mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 35nc @ 10V 525pf @ 15V 逻辑级别门
SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4282EY-T1_BE3 1.5100
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4282 MOSFET （金属 o化物） 3.9W（TC） 8-SOIC 下载 （1 （无限） 742-SQ4282EY-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8A（TC） 12.3mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 47NC @ 10V 2367pf @ 15V -
UPA2301T1P-E1-A#YK1 Renesas Electronics America Inc UPA2301T1P-E1-A YK1 -
RFQ
 ECAD 9846 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 托盘 过时的 UPA2301 - - 559-UPA2301T1P-E1-A YK1 过时的 1 -
BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies BSC155N06NDATMA1 1.5500
RFQ
 ECAD 5754 0.00000000 Infineon技术 Optimos™-T2 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn BSC155 MOSFET （金属 o化物） 50W（TC） PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 20A（TC） 15.5mohm @ 17a，10v 4V @ 20µA 29nc @ 10V 2250pf @ 30V -
FS03MR12A6MA1BBPSA1 Infineon Technologies FS03MR12A6MA1BBPSA1 2.0000
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Infineon技术 HybridPack™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FS03MR12 （SIC） 20mw Ag-Hybridd-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 6 n通道（3相桥） 1200V（1.2kV） 400A（TJ） 3.7MOHM @ 400A，15V 5.55V @ 240mA 1320nc @ 15V 42500pf @ 600V -
SI4923DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4923DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4923 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 6.2a 21mohm @ 8.3a，10v 3V @ 250µA 70NC @ 10V - 逻辑级别门
MKE38P600TLB-TRR IXYS MKE38P600TLB-TRR -
RFQ
 ECAD 8430 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 - 表面安装 9-SMD模块 MKE38 - - ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
FS5AS-06-T13#B21 Renesas Electronics America Inc FS5AS-06-T13 ＃B21 0.6800
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS5AS - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
FDMD8240L onsemi FDMD8240L 3.6600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-Powerwdfn FDMD8240 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 12-Power3.3x5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 23a 2.6MOHM @ 23A，10V 3V @ 250µA 56nc @ 10V 4230pf @ 20V -
SIZ256DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ256DT-T1-GE3 1.3100
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ256 MOSFET （金属 o化物） 4.3W（TA），33W（tc） 8-Powerpair®（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） 742-SIZ256DT-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 70V 11.5A（TA），31.8A （TC） 17.6mohm @ 7A，4.5V 1.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1060pf @ 35V -
DMN61D9UDWQ-13 Diodes Incorporated DMN61D9UDWQ-13 0.0381
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN61 MOSFET （金属 o化物） 370MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN61D9UDWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 60V 318ma（ta） 2ohm @ 50mA，5v 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 39pf @ 30V -
DMN2004VK-7B Diodes Incorporated DMN2004VK-7B 0.0673
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN2004 MOSFET （金属 o化物） 250MW（TA） SOT-563 下载 到达不受影响 31-DMN2004VK-7BTR Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 540ma（ta） 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA - 150pf @ 16V -
MSCSM120TAM11CTPAG Microchip Technology MSCSM120TAM11CTPAG 1.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1.042kW（TC） sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120TAM11CTPAG Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 1200V（1.2kV） 251A（TC） 10.4mohm @ 120A，20V 2.8V @ 3mA 696nc @ 20V 9060pf @ 1000V -
CPH5614-TL-E-ON onsemi CPH5614-TL-E-ON 0.3200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 CPH5614 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 -
FDMS7608S Fairchild Semiconductor FDMS7608 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS7608 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 Ear99 8542.39.0001 589 2 n 通道（双） 30V 12a，15a 10mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1510pf @ 15V 逻辑级别门
KGF20N035D Renesas Electronics America Inc KGF20N035D -
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - kgf20 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 559-KGF20N035DTR Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
STL40DN3LLH5 STMicroelectronics STL40DN3LLH5 1.4700
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL40 MOSFET （金属 o化物） 60W PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 40a 18mohm @ 5.5a，10v 1.5V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 475pf @ 25V -
SI2129DW-TP Micro Commercial Co SI2129DW-TP 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI2129 MOSFET （金属 o化物） 243MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1a 140MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 327pf @ 10V -
DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated DMC3021LSD-13 0.5500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC3021 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 8.5a，7a 21mohm @ 7a，10v 2.1V @ 250µA 16.1nc @ 10V 767pf @ 10V 逻辑级别门
SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA921EDJ-T1-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA921 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a 59mohm @ 3.6A，4.5V 1.4V @ 250µA 23nc @ 10V - 逻辑级别门
DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4-13 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD DMC3021 MOSFET （金属 o化物） 2.7W TO-252-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道，普通排水 30V 9.4a，6.8a 21mohm @ 7a，10v 2.1V @ 250µA 17.4NC @ 10V 751pf @ 10V 逻辑级别门
FMM65-015P IXYS FMM65-015p -
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM65 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 2 n 通道（双） 150V 65a 22mohm @ 50a，10v 4V @ 1mA 230nc @ 10V - -
SI4914BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4914 MOSFET （金属 o化物） 2.7W，3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 8.4a，8a 21mohm @ 8a，10v 2.7V @ 250µA 10.5NC @ 4.5V - -
FDS3601 onsemi FDS3601 -
RFQ
 ECAD 4652 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS36 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 1.3a 480MOHM @ 1.3A，10V 4V @ 250µA 5NC @ 10V 153pf @ 50V 逻辑级别门
DMN2029USD-13 Diodes Incorporated DMN2029USD-13 0.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN2029 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.8a 25mohm @ 6.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 18.6nc @ 8v 1171pf @ 10V 逻辑级别门
SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU，LXH 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N7002 MOSFET （金属 o化物） 285MW（TA） US6 下载 （1 （无限） 264-SSM6N7002KFULXHCT Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 300mA（TA） 1.5OHM @ 100mA，10v 2.1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 40pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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