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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
PHP225,118-NXP NXP USA Inc. php225,118-nxp -
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PHP225 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 -
EFC4601-M-TR Sanyo EFC4601-m-tr 0.0400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 EFC4601 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 5,000 -
MCB20P1200LB-TRR IXYS MCB20P1200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 1558年 0.00000000 ixys MCB20P1200LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 9-PowersMD MCB20P1200 （SIC） - 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCB20P1200LB-TRRTR Ear99 8541.29.0095 200 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） - - - - - -
SI1563DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1563DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3040 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1563 MOSFET （金属 o化物） 570MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 1.13a，880mA 280MOHM @ 1.13A，4.5V 1V @ 100µA 2NC @ 4.5V - 逻辑级别门
NX1029XH Nexperia USA Inc. NX1029XH 0.0945
RFQ
 ECAD 4867 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NX1029 MOSFET （金属 o化物） 330MW（TA），1.09W（tc） SOT-666 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 934065643125 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道互补 50V 330mA（ta），170mA（ta） 1.6OHM @ 500mA，10v，7.5Ohm @ 100mA，10v 2.1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V，0.35NC @ 5V 50pf @ 10v，36pf @ 25V 逻辑级别门
FDW2503NZ onsemi FDW2503NZ -
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 ECAD 1296 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.5a 20mohm @ 5.5A，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1286pf @ 10V 逻辑级别门
SI7904BDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7904BDN-T1-E3 1.3200
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 ECAD 8098 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7904 MOSFET （金属 o化物） 17.8W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 6a 30mohm @ 7.1a，4.5V 1V @ 250µA 24nc @ 8v 860pf @ 10V 逻辑级别门
NX6020NBKS115 NXP USA Inc. NX6020NBKS115 0.0900
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 ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
QH8MA4TCR Rohm Semiconductor QH8MA4TCR 0.9000
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 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8MA4 MOSFET （金属 o化物） 1.5W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 9a，8a 16mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 15.5nc @ 10V 640pf @ 15V -
APTM20DUM05G Microchip Technology APTM20DUM05G 263.7920
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 ECAD 4824 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 1136W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 200V 317a 6mohm @ 158.5a，10v 5V @ 10mA 448nc @ 10V 27400pf @ 25V -
DMT69M9LPDW-13 Diodes Incorporated DMT69M9LPDW-13 0.4453
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 ECAD 3448 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT69 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA），40.3W（tc） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 到达不受影响 31-DMT69M9LPDW-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V （11a）（ta），44a （TC） 12.5MOHM @ 20A，10V 2V @ 250µA 33.5NC @ 10V 2212pf @ 30V -
AOP610 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOP610 -
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 ECAD 2587 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） AOP61 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 8-pdip 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n和p通道 30V - 24mohm @ 7.7a​​，10v 3V @ 250µA 15nc @ 10V 630pf @ 15V 逻辑级别门
AO4606L_DELTA Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4606L_DELTA -
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO46 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 30V 6a 30mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 6NC @ 10V 310pf @ 15V -
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36TU，LF 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N36 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 500mA（ta） 630mohm @ 200ma，5v 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V 46pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
DMC10H220LSD-13 Diodes Incorporated DMC10H220LSD-13 0.3103
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 ECAD 4992 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC10 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta） 8-so 下载 到达不受影响 31-DMC10H220LSD-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 100V 1.7A（TA） 220MOHM @ 1.6A，10V，250MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 8.3nc @ 10v，17.5nc @ 10V 340pf @ 50V，1030pf @ 50V -
SI7222DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI722222DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8318 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7222 MOSFET （金属 o化物） 17.8W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 6a 42MOHM @ 5.7A，10V 1.6V @ 250µA 29nc @ 10V 700pf @ 20V -
NSTJD4001NT1G onsemi NSTJD4001NT1G -
RFQ
 ECAD 2913 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - NSTJD4 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
NTMFC013NP10M5L onsemi NTMFC013NP10M5L 1.3314
RFQ
 ECAD 9136 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NTMFC013 MOSFET （金属 o化物） 2.7W（ta），102W（tc） 8-WDFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NTMFC013NP10M5LTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 100V （9A）（60a），60a tc），5a ta（5a ta），36a （TC） 13.4mohm @ 8.5a，10v，36mohm @ 8.5a，10v 3V @ 158µA，4V @ 158µA 23nc @ 4.5V，30nc @ 10V 1345pf @ 50v，2443pf @ 50V -
FF2MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF2MR12KM1HPHPSA1 916.4050
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 ECAD 3716 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF2MR12 MOSFET （金属 o化物） - Ag-62mmhb - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 500A（TC） 2.13MOHM @ 500A，15V 5.15V @ 224mA 1340nc @ 15V 39700pf @ 800V -
DMN5L06VKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06VKQ-7 -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN5L06 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 - Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 280mA（TA） 2ohm @ 50mA，5v 1.2V @ 250µA - 50pf @ 25V 逻辑级别门
DMP2110UFDB-13 Diodes Incorporated DMP2110UFDB-13 0.0912
RFQ
 ECAD 3497 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP2110 MOSFET （金属 o化物） 820MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMP2110UFDB-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 3.2A（ta） 75MOHM @ 2.8a，4.5V 1V @ 250µA 12.7nc @ 8v 443pf @ 10V -
PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPELZ 0.4200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 PMDXB950 MOSFET （金属 o化物） 380MW DFN1010B-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 2（p 通道（双） 20V 500mA 1.4OHM @ 500mA，4.5V 950mv @ 250µA 2.1nc @ 4.5V 43pf @ 10V -
DI0A4N45SQ2 Diotec Semiconductor DI0A4N45SQ2 -
RFQ
 ECAD 2454 0.00000000 diotec半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-so - 不适用 不适用 供应商不确定 2796-DI0A4N45SQ2TR 8541.29.0000 1 2 n通道 450V 400mA（TA） 4.5Ohm @ 400mA，10v 4V @ 250µA 7NC @ 10V 160pf @ 25V 标准
BSS84DWQ-7-52 Diodes Incorporated BSS84DWQ-7-52 0.0678
RFQ
 ECAD 8053 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-363 下载 （1 （无限） 31-BSS84DWQ-7-52 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 50V 130mA（ta） 10ohm @ 100mA，5v 2V @ 1mA - 45pf @ 25V 标准
DMP3011SPDW-13 Diodes Incorporated DMP3011SPDW-13 0.4003
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMP3011 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 31-DMP3011SPDW-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 2个p通道 30V 12.1A（TA），38.2a tc） 13mohm @ 11.5a，10v 3V @ 250µA 46NC @ 10V 2380pf @ 15V 标准
NTTFD2D8N03P1E onsemi NTTFD2D8N03P1E 2.2900
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 ECAD 8396 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-PowerWQFN NTTFD2 MOSFET （金属 o化物） 1.04W（ta），26W（26W） 12-wqfn（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 16.1a（ta），80a tc） 2.5MOHM @ 18A，10V 3V @ 400µA 20.8nc @ 10v，20.5nc @ 10V 1500pf @ 15V，1521pf @ 15V -
IRF9956TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF9956TRPBFXTMA1 0.2981
RFQ
 ECAD 1262 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） PG-DSO-8-902 - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n通道 30V 3.5A（ta） 100mohm @ 2.2a，10v 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 标准
ECH8659-TL-W onsemi ECH8659-TL-W -
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 ECAD 6943 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8659 MOSFET （金属 o化物） 1.3W SOT-28FL/ECH8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7a 24mohm @ 3.5A，10V 2.6V @ 1mA 11.8nc @ 10V 710pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
SI4910DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4910DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4447 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4910 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 7.6a 27mohm @ 6a，10v 2V @ 250µA 32NC @ 10V 855pf @ 20V -
ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated ZXMC3AMCTA 0.9900
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 ECAD 28 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 ZXMC3 MOSFET （金属 o化物） 1.7W DFN3020B-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 2.9a，2.1a 120mohm @ 2.5a，10v 3V @ 250µA 3.9nc @ 10V 190pf @ 25V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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