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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFD2D4N03P8 | 1.4100 |  | 3 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | NTMFD2 | MOSFET （金属 o化物） | 1W（ta），23W（tc），1.1W（ta（25w ta）（25w tc）（TC） | 8-pqfn（5x6） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | （17a）（56a t tc），25a ta（25a），84a tc（TC） | 5mohm @ 17A，10V，2.4MOHM @ 25A，10V | 3V @ 250µA，3V @ 1mA | 24nc @ 10v，55nc @ 10v | 1715pf @ 15V，3825pf @ 15V | - | ||
 | NTMFD020N06CT1G | 2.3200 | | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NTMFD020 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA），31W（（（（（（ | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 8a（8a ta），27a（tc） | 20.3MOHM @ 4A，10V | 4V @ 20µA | 5.8NC @ 10V | 355pf @ 30V | - | ||
| NVMFD020N06CT1G | 2.1300 | | 7133 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD020 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA），31W（（（（（（ | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 8a（8a ta），27a（tc） | 20.3MOHM @ 4A，10V | 4V @ 20µA | 5.8NC @ 10V | 355pf @ 30V | - | ||
 | HUF75637S3 | 1.5000 | | 6 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | HUF75637 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | IRF9395MTRPBF | 1.1200 | | 154 | 0.00000000 | 国际整流器 | DirectFet™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | DirectFet™等距MC | IRF9395 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W（ta），57W（tc） | DirectFet™等距MC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 2（p 通道（双） | 30V | （14a）（ta），75a（tc） | 7mohm @ 14a，10v | 2.4V @ 50µA | 64NC @ 4.5V | 3241pf @ 15V | - | ||
 | RJK0230DPA-00＃j5a | 1.7400 | | 213 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | RJK0230D | MOSFET （金属 o化物） | 15W，35W | 8-WPAK-D | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 25V | 20a，50a | 7mohm @ 10a，10v | - | 7.7nc @ 4.5V | 1650pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | 2SK1949L-E | 1.5000 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 2SK1949 | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 201 | - | ||||||||||||||
 | FDPF035N06B | 1.1400 | | 178 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | FDPF035 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
| FDC6310P | - | | 9172 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6310 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.2a | 125mohm @ 2.2a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.2nc @ 4.5V | 337pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||
 | PMDPB70XP，115 | 1.0000 | | 1741年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-UFDFN暴露垫 | PMDPB70 | MOSFET （金属 o化物） | 490MW | 6-Huson（2x2） | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2（p 通道（双） | 30V | 2.9a | 87MOHM @ 2.9a，4.5V | 1V @ 250µA | 7.8NC @ 5V | 680pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
 | UPA603T-T2-A | 0.1700 | | 57 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SC-59-6 | UPA603 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-59 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 50V | 100mA | 60ohm @ 10mA，10v | 2.5V @ 1µA | - | 17pf @ 5V | - | ||||
 | FDG6302P | 0.2300 | | 257 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FDG6302 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-88 （SC-70-6） | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 25V | 140mA | 10ohm @ 140mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.31NC @ 4.5V | 12pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
 | FDW2512NZ | 0.5500 | | 213 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW25 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | 6a | 28mohm @ 6a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 12nc @ 4.5V | 670pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
 | FDMS3606S | - | | 7384 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDMS3606 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-pqfn（5x6） | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | 13a，27a | 8mohm @ 13a，10v | 2.7V @ 250µA | 29nc @ 10V | 1785pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
 | PJS6839_S1_00001 | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | PJS6839 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW（TA） | SOT-23-6 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 60V | 300mA（TA） | 4ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 250µA | 1.1NC @ 4.5V | 51pf @ 25V | - | ||
 | SIZ340BDT-T1-GE3 | 0.7400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ340 | MOSFET （金属 o化物） | 3.7W（3.7W），16.7W（TC），4.2W（ta（31W），31W（（（ta） | 8-Power33（3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 16.9a（ta），36a （TC），25.3a ta（69.3a tc）TC（TC） | 8.56mohm @ 10a，10v，4.31Mohm @ 20a，10v | 2.4V @ 250µA | 12.6nc @ 10v，23.5nc @ 10v | 550pf @ 15V，1065pf @ 15V | - | ||
 | DMN53D0LDW-7-52 | 0.0668 | | 8754 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN53 | MOSFET （金属 o化物） | 310MW（TA） | SOT-363 | 下载 | 31-DMN53D0LDW-7-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n通道 | 50V | 360ma（ta） | 1.6ohm @ 500mA，10v | 1.5V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V | 46pf @ 25V | 标准 | ||||
| DMN4027SSDQ-13 | 0.4574 | | 5050 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMN4027 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W（TA） | 8-sop | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN4027SSDQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 5.4A（ta） | 27mohm @ 7a，10v | 3V @ 250µA | 12.9nc @ 10V | 604pf @ 20V | - | |||
| TSM6968DCA | 0.7714 | | 7202 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | TSM6968 | MOSFET （金属 o化物） | 1.04W（TA） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM6968DCATR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12,000 | 2 n通道 | 20V | 6.5A（TA） | 22mohm @ 6a，4.5V | 1V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 950pf @ 10V | 标准 | ||
| AOC3870A | 0.3687 | | 6592 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 10-SMD，没有铅 | AOC387 | MOSFET （金属 o化物） | 2.3W（ta） | 10-Alphadfn（3.01x1.52） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 12V | 22a（22a） | 3.7MOHM @ 5A，4.5V | 1.1V @ 250µA | 32nc @ 4.5V | - | - | ||
| SIA922EDJ-T4-GE3 | - | | 4377 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA922 | MOSFET （金属 o化物） | 1.9W（ta），7.8W（TC） | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.4a（4.4a），4.5a tc） | 64mohm @ 3A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 12nc @ 10V | - | - | |||
| MCB40P1200LB-TRR | - | | 9128 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 表面安装 | 9-PowersMD | MCB40P1200 | （SIC） | - | 9-SMPD-B | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MCB40P1200LB-TRRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 2 n 通道（双）公共来源 | 1200V（1.2kV） | 58a | - | - | - | - | - | ||
| DMTH4008LPDWQ-13 | 0.3248 | | 3193 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | DMTH4008 | MOSFET （金属 o化物） | 2.67W（TA），39.4W（tc） | PowerDI5060-8（type UXD） | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMTH4008LPDWQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 10A（10A），46.2A（TC） | 12.3mohm @ 20a，10v | 2.3V @ 250µA | 12.3nc @ 10V | 881pf @ 20V | - | |||
 | SI7923DN-T1-GE3 | 1.5800 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7923 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 4.3a | 47MOHM @ 6.4a，10V | 3V @ 250µA | 21NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||
 | PJT7828_R1_00001 | 0.4700 | | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PJT7828 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW（TA） | SOT-363 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 300mA（TA） | 1.2OHM @ 300mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.9NC @ 4.5V | 45pf @ 10V | - | ||
 | SH8K32GZETB | 1.5700 | | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8K32 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 4.5A（ta） | 65mohm @ 4.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 10NC @ 5V | 500pf @ 10V | - | ||
 | ALD1101BSAL | 6.6082 | | 5829 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD1101 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1217 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 40mA | - | - | - | - | - | |
 | FDS8935 | - | | 9968 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS89 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 80V | 2.1a | 183mohm @ 2.1a，10v | 3V @ 250µA | 19nc @ 10V | 879pf @ 40V | 逻辑级别门 | ||
 | SI1016X-T1-GE3 | 0.6600 | | 9967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1016 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SC-89（SOT-563F） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 485mA，370mA | 700MOHM @ 600mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.75nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | IRFNL210BTA | 0.1100 | | 556 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | IRFNL210 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - |
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