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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SH8JC5TB1 Rohm Semiconductor SH8JC5TB1 2.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8JC5 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 7.5A（ta） 32MOHM @ 7.5A，10V 2.5V @ 1mA 50NC @ 10V 2630pf @ 30V -
EFC4K110NUZTDG onsemi EFC4K110NUZTDG 2.0200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 10-SMD，没有铅 EFC4K110 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 10-wlcsp （3.2x2.1） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 24V 25a - - 49nc @ 4.5V - -
SI2429DW-TP Micro Commercial Co SI2429DW-TP 0.0725
RFQ
 ECAD 7443 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI2429 MOSFET （金属 o化物） 450MW SOT-363 下载 353-SI2429DW-TP Ear99 8541.21.0095 1 - 20V 1.5a，1a 90MOHM @ 1A，4.5V，150MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 250µA 2.98nc @ 4.5V，3NC @ 4.5V 202pf @ 10V，223pf @ 10V 标准
CAB760M12HM3R Wolfspeed, Inc. CAB760M12HM3R 2.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB760 （SIC） 50MW 模块 下载 不适用 1697-CAB760M12HM3R Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 1.015KA（TC） 1.73MOHM @ 760A，15V 3.6V @ 280mA 2724NC @ 15V 79400pf @ 800V -
SIA912DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA912DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA912 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 12V 4.5a 40mohm @ 4.2A，4.5V 1V @ 250µA 11.5nc @ 8v 400pf @ 6V 逻辑级别门
AOCA32106E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA32106E 0.2489
RFQ
 ECAD 4978 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 AOCA32106 MOSFET （金属 o化物） 2.8W（ta） 10-Alphadfn（1.84x1.96） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AOCA32106ETR Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n通道 12V 25A（TA） 3.4OHM @ 5A，4.5V 1.1V @ 250µA 23nc @ 4.5V - 标准
NVMJD4D7N04CLTWG onsemi NVMJD4D7N04CLTWG 0.8609
RFQ
 ECAD 5492 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 NVMJD4D7 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMJD4D7N04CLTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 -
PJS6806_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6806_S1_00001 0.5300
RFQ
 ECAD 567 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 PJS6806 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJS6806_S1_00001CT Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4A（ta） 48mohm @ 4A，10V 2.1V @ 250µA 5.8NC @ 10V 235pf @ 15V -
FDMJ1023PZ onsemi FDMJ1023PZ -
RFQ
 ECAD 1455 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 FDMJ1023 MOSFET （金属 o化物） 700MW SC-75，Microfet 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.9a 112MOHM @ 2.9a，4.5V 1V @ 250µA 6.5nc @ 4.5V 400pf @ 10V 逻辑级别门
ALD110802PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110802PCL 6.5006
RFQ
 ECAD 2566 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD110802 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1020 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V - 500OHM @ 4.2V 220mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
WAB300M12BM3 Wolfspeed, Inc. WAB300M12BM3 910.6100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 WAB300 （SIC） - 模块 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 382a（TC） 5.2MOHM @ 300A，15V 3.6V @ 92mA 908nc @ 15V 24500pf @ 1000V -
SI4904DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4904DY-T1-GE3 2.2300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4904 MOSFET （金属 o化物） 3.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 8a 16mohm @ 5A，10V 2V @ 250µA 85nc @ 10V 2390pf @ 20V -
SI4276DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4276DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4276 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 15.3MOHM @ 9.5A，10V 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1000pf @ 15V 逻辑级别门
SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ906EL-T1_GE3 2.6600
RFQ
 ECAD 9691 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 PowerPak®8x8二元 SQJQ906 MOSFET （金属 o化物） 187W PowerPak®8x8二元 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 2 n 通道（双） 40V 160a（TC） 4.3MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 45nc @ 10V 3238pf @ 20V -
FSS248-TL-E onsemi FSS248-TL-E 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 FSS248 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
APTM50DUM19G Microsemi Corporation APTM50DUM19G -
RFQ
 ECAD 6767 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 1136W SP6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 500V 163a 22.5MOHM @ 81.5A，10V 5V @ 10mA 492NC @ 10V 22400pf @ 25V -
MSCSM120HM31CTBL2NG Microchip Technology MSCSM120HM31CTBL2NG 296.3200
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 310W - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120HM31CTBL2NG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（全桥） 1200V 79a 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 1mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
NVMFWD030N06CT1G onsemi NVMFWD030N06CT1G 1.0470
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFWD030 MOSFET （金属 o化物） 3.2W（TA），23W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 7a（7A）（19a tc）（TC） 29.7MOHM @ 3A，10V 4V @ 13µA 4.7NC @ 10V 255pf @ 30V -
UPA2755GR-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2755GR-E2-AT -
RFQ
 ECAD 3909 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 积极的 150°C（TJ） UPA2755 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 2.2nc @ 10V 650pf @ 10V -
SH8JE5TB1 Rohm Semiconductor SH8JE5TB1 2.4200
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8JE5 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 （1 （无限） 2,500 2个p通道 100V 4.5A（ta） 9.1MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 52NC @ 10V 2100pf @ 50V 标准
QH8MA2TCR Rohm Semiconductor QH8MA2TCR 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8MA2 MOSFET （金属 o化物） 1.25W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 4.5a，3a 35MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 8.4nc @ 10V 365pf @ 10V 逻辑级别门
SI5944DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5944DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5386 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5944 MOSFET （金属 o化物） 10W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 6a 112MOHM @ 3.3A，10V 3V @ 250µA 6.6nc @ 10V 210pf @ 20V 逻辑级别门
IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S408AATMA1 1.7900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 65W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 40V 20a 7.6mohm @ 17a，10v 4V @ 30µA 36NC @ 10V 2940pf @ 25V -
QH8KA1TCR Rohm Semiconductor QH8KA1TCR 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8KA1 - 2.4W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.5a 73MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 3NC @ 10V 125pf @ 15V -
SIX3439KA-TP Micro Commercial Co SIX3439KA-TP 0.0907
RFQ
 ECAD 6513 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SIX3439 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-563 下载 353-SIX3439KA-TPTR Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 20V 750mA，600mA 300MOHM @ 500mA，4.5V，850MOHM @ 500mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V，0.86NC @ 4.5V 33pf @ 16V，40pf @ 16V 逻辑级别门
SQJ500AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ500AEP-T1_GE3 1.6100
RFQ
 ECAD 5831 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ500 - 48W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 40V 30A（TC） 27mohm @ 6a，10v 2.3V @ 250µA 38.1NC @ 10V 1850pf @ 20V -
SI3585DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6956 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3585 MOSFET （金属 o化物） 830MW 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2a，1.5a 125mohm @ 2.4a，4.5V 600mv @ 250µA（250µA）） 3.2nc @ 4.5V - 逻辑级别门
AUIRF7343Q Infineon Technologies AUIRF7343Q -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7343 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001517318 Ear99 8541.29.0095 95 n和p通道 55V 4.7a，3.4a 50mohm @ 4.7A，10V 1V @ 250µA 36NC @ 10V 740pf @ 25V 逻辑级别门
APTM50DHM38G Microchip Technology APTM50DHM38G 212.3600
RFQ
 ECAD 9117 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 694W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 500V 90a 45MOHM @ 45A，10V 5V @ 5mA 246nc @ 10V 11200pf @ 25V -
NTHD4508NT1G onsemi NTHD4508NT1G 1.2200
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD4508 MOSFET （金属 o化物） 1.13W chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3a 75MOHM @ 3.1a，4.5V 1.2V @ 250µA 4NC @ 4.5V 180pf @ 10V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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