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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
IRF7750GTRPBF Infineon Technologies IRF7750GTRPBF -
RFQ
 ECAD 8080 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF7750 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 4.7a 30mohm @ 4.7A，4.5V 1.2V @ 250µA 39nc @ 5V 1700pf @ 15V 逻辑级别门
DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated DMN1001UCA10-7 0.3222
RFQ
 ECAD 4340 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 DMN1001 MOSFET （金属 o化物） 1W X2-TSN1820-10 下载 到达不受影响 31-DMN1001UCA10-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 20A（TA） 3.55MOHM @ 5A，4.5V 1.4V @ 870µA 29nc @ 4V 2865pf @ 6V -
IRF9910TRPBF Infineon Technologies IRF9910TRPBF -
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF99 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 10a，12a 9.3MOHM @ 12A，10V 2.55V @ 250µA 11NC @ 4.5V 900pf @ 10V 逻辑级别门
PMT560ENEA,115 NXP USA Inc. PMT560ENEA，115 -
RFQ
 ECAD 8641 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMT560 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
FDMJ1032C onsemi FDMJ1032C -
RFQ
 ECAD 7684 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 FDMJ1032 MOSFET （金属 o化物） 800MW SC-75，Microfet 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 3.2a，2.5a 90MOHM @ 3.2A，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 270pf @ 10V 逻辑级别门
MAX8783GTC+ ADI/Maxim Integrated Max8783GTC+ 1.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 大部分 积极的 Max8783 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
MTI145WX100GD-SMD IXYS MTI145WX100GD-SMD 43.9085
RFQ
 ECAD 1138 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 ISOPLUS-DIL™ MTI145 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MTI145WX100GD-SMD Ear99 8541.29.0095 13 6 n通道（3相桥） 100V 190a（TC） 2.2MOHM @ 100A，10V 3.5V @ 275µA 155nc @ 10V 11100pf @ 50V -
DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated DMG6602SVTQ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMG6602 MOSFET （金属 o化物） 840MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 3.4a，2.8a 60mohm @ 3.1a，10v 2.3V @ 250µA 13nc @ 10V 400pf @ 15V -
AO4618 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4618 -
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO461 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 40V 8a，7a 19mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 12nc @ 10V 415pf @ 20V 逻辑级别门
PMGD290UCEAX Nexperia USA Inc. PMGD290UCEAX 0.4200
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PMGD290 MOSFET （金属 o化物） 280MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 725mA，500mA 380MOHM @ 500mA，4.5V 1.3V @ 250µA 0.68nc @ 4.5V 83pf @ 10V 逻辑级别门
MSCMC120AM04CT6LIAG Microchip Technology MSCMC120AM04CT6LIAG -
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCMC120 （SIC） 1754W（TC） sp6c li 下载 到达不受影响 150-MSCMC120AM04CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 388a（TC） 5.7MOHM @ 300A，20V 4V @ 90mA 966nc @ 20V 16700pf @ 1000V -
ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1101apal 9.8096
RFQ
 ECAD 3107 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD1101 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1000 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V - 75OHM @ 5V 1V @ 10µA - 10pf @ 5V -
DMTH6015LPDW-13 Diodes Incorporated DMTH6015LPDW-13 0.3203
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH6015 MOSFET （金属 o化物） 2.6W（TA），39.5W（tc） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 到达不受影响 31-DMTH6015LPDW-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 9.4A（TA），36.3a tc） 20mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 14.3nc @ 10V 825pf @ 30V -
FDC6321C onsemi FDC6321C 0.6400
RFQ
 ECAD 4599 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6321 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 25V 680mA，460mA 450MOHM @ 500mA，4.5V 1.5V @ 250µA 2.3nc @ 5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
CSD88539ND Texas Instruments CSD88539ND 0.9100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） CSD88539 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 15a 28mohm @ 5a，10v 3.6V @ 250µA 9.4NC @ 10V 741pf @ 30V -
MMBT7002KW-AQ Diotec Semiconductor MMBT7002KW-AQ 0.0469
RFQ
 ECAD 5274 0.00000000 diotec半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MMBT7002 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 2796-MMBT7002KW-AQTR 8541.21.0000 3,000 2 n 通道（双） 60V 300mA（TA） 4ohm @ 500mA，10v 2.1V @ 250µA - 50pf @ 25V -
ALD110800APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110800APCL 9.6400
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD110800 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1016 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V - 500OHM @ 4V 10MV @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
ALD114804APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804APCL 9.0404
RFQ
 ECAD 1078 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD114804 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1053 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 3.6V 380mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
NVDD5894NLT4G onsemi NVDD5894NLT4G -
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD NVDD58 MOSFET （金属 o化物） 3.8W DPAK-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双）公共排水 40V 14a 10mohm @ 50a，10v 2.5V @ 250µA 41nc @ 10V 2103pf @ 25V -
DMC3061SVTQ-7 Diodes Incorporated DMC3061SVTQ-7 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC3061 MOSFET （金属 o化物） 880MW TSOT-26 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 3.4a（ta），2.7a（2.7a）（ta） 60mohm @ 3.1a，10v，95mohm @ 2.7a，10v 1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA 6.6nc @ 10V，6.8NC @ 10V 278pf @ 15V，287pf @ 15V -
SP8M8FD5TB1 Rohm Semiconductor SP8M8FD5TB1 -
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M8 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8M8FD5TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6a（6A），4.5a ta（4.5a） 30mohm @ 6a，10v，56mohm @ 4.5a，10v 2.5V @ 1mA 7.2nc @ 5v，8.5nc @ 5V 520pf @ 10V，850pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
NVMD6P02R2G onsemi NVMD6P02R2G -
RFQ
 ECAD 1683年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NVMD6 MOSFET （金属 o化物） 750MW 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4.8a 33mohm @ 6.2a，4.5V 1.2V @ 250µA 35nc @ 4.5V 1700pf @ 16V 逻辑级别门
CTLDM7003T-M563D TR Central Semiconductor Corp CTLDM7003T-M563D TR -
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 CTLDM7003T MOSFET （金属 o化物） 350MW TLM563D 下载 1514-CTLDM7003T-M563DTR Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 50V 280mA 1.5OHM @ 50mA，5V 1.2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
AON6912ALS_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. aon6912als_102 -
RFQ
 ECAD 7789 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON6912 MOSFET （金属 o化物） （1.9W）（22W ta）（22w tc），2.1W（ta（30W ta）（30W）TC） 8-DFN（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 10a（10a），34a（tc），13.8a ta（52a ta）（TC） 13.7MOHM @ 10a，10v，7.3Mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 17nc @ 10v，20nc @ 10V 910pf @ 15V，1300pf @ 15V -
SI1539DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1539DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4817 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1539 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 540mA，420mA 480MOHM @ 590mA，10V 2.6V @ 250µA 1.4NC @ 10V - 逻辑级别门
IRF512S2532 Harris Corporation IRF512S2532 0.2400
RFQ
 ECAD 7159 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRF512 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1200 -
NTTFD022N10C onsemi NTTFD022N10C 1.6575
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-PowerWQFN NTTFD022 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（ta），26W（26W）TC） 12-wqfn（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 6a（6A），24A （TC） 25mohm @ 7.8a，10v 4V @ 44µA 9NC @ 10V 585pf @ 50V -
APTC90AM60SCTG Microsemi Corporation APTC90AM60SCTG -
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTC90 MOSFET （金属 o化物） 462W SP4 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 2 n 通道（半桥） 900V 59a 60mohm @ 52a，10v 3.5V @ 6mA 540NC @ 10V 13600pf @ 100V 超交界处
AON6974 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6974 -
RFQ
 ECAD 5377 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON697 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，30a 5.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 22.5nc @ 10V 951pf @ 15V 逻辑级别门
SP8M2FU6TB Rohm Semiconductor SP8M2FU6TB -
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M2 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 3.5a 83mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.5nc @ 5V 140pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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