- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRF9952Q | - |  | 4537 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AUIRF9952 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001519192 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | n和p通道 | 30V | 3.5a，2.3a | 100mohm @ 2.2a，10v | 3V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | FDW2521C | - | | 6264 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW25 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n和p通道 | 20V | 5.5a，3.8a | 21MOHM @ 5.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1082pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | BSL806NH6327XTSA1 | - | | 9684 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | BSL806 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | PG-TSOP6-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001101014 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 2.3a（ta） | 57MOHM @ 2.3a，2.5V | 750mv @ 11µA | 1.7nc @ 2.5V | 259pf @ 10V | 逻辑水平门，1.8V | |
 | SI4834BDY-T1-GE3 | - | | 1812年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4834 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a，10v | 3V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | SI7501DN-T1-GE3 | - | | 2582 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7501 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道，普通排水 | 30V | 5.4a，4.5a | 35mohm @ 7.7A，10V | 3V @ 250µA | 14NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||
 | PMGD130UN，115 | - | | 6093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PMGD1 | MOSFET （金属 o化物） | 390MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 1.2a | 145MOHM @ 1.2A，4.5V | 1V @ 250µA | 1.3nc @ 4.5V | 83pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | ECH8663R-TL-H | 1.8200 | | 4482 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | ECH8663 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-ech | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a | 20.5MOHM @ 4A，4.5V | - | 12.3nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
| SI7223DN-T1-GE3 | 0.9400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®GenIII | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7223 | MOSFET （金属 o化物） | 2.6W（23w），23W（tc） | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 6A（TC） | 26.4mohm @ 8a，10v | 2.5V @ 250µA | 40NC @ 10V | 1425pf @ 15V | - | |||
 | NX6020CAKS，115 | - | | 7755 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | FS03MR12A6MA1LBBPSA1 | 3.0000 | | 5938 | 0.00000000 | Infineon技术 | HybridPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | FS03MR12 | （SIC） | 20mw | Ag-Hybridd-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 6 n通道（3相桥） | 1200V（1.2kV） | 400a | 3.7MOHM @ 400A，15V | 5.55V @ 240mA | 1320nc @ 15V | 42500pf @ 600V | - | ||
 | NVMFD5C672NLT1G | 2.3700 | | 6076 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（ta），45W（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | （12A）（ta），49a （TC） | 11.9mohm @ 10a，10v | 2.2V @ 30µA | 5.7nc @ 4.5V | 793pf @ 25V | - | ||
 | FDS8984-F085 | - | | 2026 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS89 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 7a | 23mohm @ 7a，10v | 2.5V @ 250µA | 13nc @ 10V | 635pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | APTMC120AM08CD3AG | - | | 5051 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | D-3模块 | APTMC120 | （SIC） | 1100W | D3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 250A（TC） | 10mohm @ 200a，20v | 2.2V @ 10mA ty（typ） | 490NC @ 20V | 9500pf @ 1000V | - | ||
| SLA5096 | - | | 5152 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | 15 sip裸露的选项卡，形成铅 | Sla50 | MOSFET （金属 o化物） | - | 15-zip | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | SLA5096 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 18 | 3n和3p 通道（3相桥） | 55V | 8a | - | - | - | - | - | ||
 | DMN5L06VKQ-13 | - | | 2417 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN5L06 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SOT-563 | 下载 | 31-DMN5L06VKQ-13 | 过时的 | 1 | 2 n 通道（双） | 50V | 280mA（TA） | 2ohm @ 50mA，5v | 1V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | |||||
| IRF8513TRPBF | - | | 6736 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF8513 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W，2.4W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a，11a | 15.5MOHM @ 8A，10V | 2.35V @ 25µA | 8.6nc @ 4.5V | 766pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
| STC5DNF30V | - | | 8238 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | stc5dnf | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.5a | 35mohm @ 2.3a，4.5V | 600mv @ 250µA | 11.5NC @ 4.5V | 460pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | SIZ240DT-T1-GE3 | 1.3100 | | 2831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ240 | MOSFET （金属 o化物） | 4.3W（TA），33W（tc） | 8-Powerpair®（3.3x3.3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 742-SIZ240DT-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 17.2a（ta），48a tc），16.9a ta（47a ta）（47a tc） | 8.05mohm @ 10a，10v，8.41Mohm @ 10a，10v | 2.4V @ 250µA | 23nc @ 10v，22nc @ 10v | 1180pf @ 20v，1070pf @ 20V | - | ||
| PSMN2R2-40PS127 | - | | 2911 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PSMN2R2 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
 | NTE2960 | 8.6300 | | 113 | 0.00000000 | NTE Electronics，Inc | - | 包 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | NTE29 | MOSFET （金属 o化物） | 40W | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE2960 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n通道 | 900V | 7a | 2ohm @ 3a，10v | 4V @ 1mA | - | 1380pf @ 25V | - | |||
 | BSC076N04NNNDATMA1 | 1.8600 | | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™-T2 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | BSC076 | MOSFET （金属 o化物） | 2.3W（TA），65W（（（ta） | PG-TDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 20A（TC） | 7.6mohm @ 17a，10v | 4V @ 30µA | 38nc @ 10V | 2950pf @ 20V | - | ||
 | SP8M3FU7TB1 | - | | 9955 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8M3 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 846-SP8M3FU7TB1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | （5A）（ta），4.5a ta（ta） | 51MOHM @ 5A，10V，56MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 3.9nc @ 5v，8.5nc @ 5V | 230pf @ 10V，850pf @ 10V | - | ||
 | TSM250NB06LDCR RLG | 1.0500 | | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM250 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA），48W（tc） | 8-pdfn（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 6A（6A），29A （TC） | 25mohm @ 6a，10v | 2.5V @ 250µA | 23nc @ 10V | 1314pf @ 30V | - | ||
| SI4944DY-T1-GE3 | - | | 1152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4944 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 9.3a | 9.5MOHM @ 12.2a，10V | 3V @ 250µA | 21nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | PSMN013-60HSX | 1.8700 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | PSMN013 | MOSFET （金属 o化物） | 64W（TA） | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 40a（ta） | 10mohm @ 10a，10v | 4V @ 1mA | 30.1nc @ 10V | 2163pf @ 25V | - | ||
 | STS5DPF20L | - | | 7869 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | STS5D | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 5a | 55mohm @ 2.5a，10v | 2.5V @ 250µA | 16nc @ 5V | 1350pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
 | RJK03C0DPA-WS＃j5a | 1.7100 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | RJK03 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | AO4840E | 0.2741 | | 2024 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO484 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 6a（6a） | 28mohm @ 6a，10v | 2.6V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 520pf @ 20V | - | ||
| SI4952DY-T1-E3 | - | | 1814年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4952 | MOSFET （金属 o化物） | 2.8W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 25V | 8a | 23mohm @ 7a，10v | 2.2V @ 250µA | 18NC @ 10V | 680pf @ 13V | 逻辑级别门 | ||
| AO4613 | - | | 4401 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO461 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | - | 24mohm @ 7.2a，10v | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | 630pf @ 15V | 逻辑级别门 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）