- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪语
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTM20HM10FG | 286.6400 |  | 2048 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM20 | MOSFET （金属 o化物） | 694W | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4（n n 通道（半桥） | 200V | 175a | 12MOHM @ 87.5A，10V | 5V @ 5mA | 224nc @ 10V | 13700pf @ 25V | - | ||
| FDC6561AN-NB5S007A | 1.1000 | | 22 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6561 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW（TA） | SuperSot™-6 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 根据要求获得可用的信息 | 2832-FDC6561AN-NB5S007ATR | Ear99 | 8541.29.0095 | 455 | 2 n 通道（双） | 30V | 2.5a（ta） | 95MOHM @ 2.5a，10V | 3V @ 250µA | 3.2nc @ 5V | 220pf @ 15V | 逻辑级别门 | |
 | FDMD8680 | 3.9800 | | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | FDMD86 | MOSFET （金属 o化物） | 39W | 8-Power 5x6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 80V | 66A（TC） | 4.7mohm @ 16a，10v | 4V @ 250µA | 73nc @ 10V | 5330pf @ 40V | - | ||
 | NVMFD5853NLT1G | - | | 5086 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5853 | MOSFET （金属 o化物） | 3W | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 12a | 10mohm @ 15a，10v | 2.4V @ 250µA | 23nc @ 10V | 1100pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | DMN5L06VKQ-13 | - | | 2417 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN5L06 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SOT-563 | 下载 | 31-DMN5L06VKQ-13 | 过时的 | 1 | 2 n 通道（双） | 50V | 280mA（TA） | 2ohm @ 50mA，5v | 1V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | |||||
 | IRF8513TRPBF | - | | 6736 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF8513 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W，2.4W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a，11a | 15.5MOHM @ 8A，10V | 2.35V @ 25µA | 8.6nc @ 4.5V | 766pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | STC5DNF30V | - | | 8238 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | stc5dnf | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.5a | 35mohm @ 2.3a，4.5V | 600mv @ 250µA | 11.5NC @ 4.5V | 460pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | SI4944DY-T1-GE3 | - | | 1152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4944 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 9.3a | 9.5MOHM @ 12.2a，10V | 3V @ 250µA | 21nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | BSC076N04NNNDATMA1 | 1.8600 | | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™-T2 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | BSC076 | MOSFET （金属 o化物） | 2.3W（TA），65W（（（ta） | PG-TDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 20A（TC） | 7.6mohm @ 17a，10v | 4V @ 30µA | 38nc @ 10V | 2950pf @ 20V | - | ||
 | SP8M3FU7TB1 | - | | 9955 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8M3 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 846-SP8M3FU7TB1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | （5A）（ta），4.5a ta（ta） | 51MOHM @ 5A，10V，56MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 3.9nc @ 5v，8.5nc @ 5V | 230pf @ 10V，850pf @ 10V | - | ||
 | TSM250NB06LDCR RLG | 1.0500 | | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM250 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA），48W（tc） | 8-pdfn（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 6A（6A），29A （TC） | 25mohm @ 6a，10v | 2.5V @ 250µA | 23nc @ 10V | 1314pf @ 30V | - | ||
 | NTE2960 | 8.6300 | | 113 | 0.00000000 | NTE Electronics，Inc | - | 包 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | NTE29 | MOSFET （金属 o化物） | 40W | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE2960 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n通道 | 900V | 7a | 2ohm @ 3a，10v | 4V @ 1mA | - | 1380pf @ 25V | - | |||
 | SIA914ADJ-T1-GE3 | - | | 9137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA914 | MOSFET （金属 o化物） | 7.8W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.5a | 43mohm @ 3.7A，4.5V | 900mv @ 250µA | 12.5nc @ 8v | 470pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
| SI4963BDY-T1-E3 | 1.5100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4963 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 4.9a | 32MOHM @ 6.5A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 21nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | UPA1915TE（0）-T1-at | 0.2500 | | 78 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | UPA1915 | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | - | ||||||||||||||
 | HAT1095C-EL-E | 0.2500 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | HAT1095 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | - | ||||||||||||||
 | APTM10TAM09FPG | 272.8700 | | 1900 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM10 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | sp6-p | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 100V | 139a | 10mohm @ 69.5a，10v | 4V @ 2.5mA | 350NC @ 10V | 9875pf @ 25V | - | ||
| PSMN2R2-40PS127 | - | | 2911 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PSMN2R2 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
 | cmldm7002ag tr pbfree | 0.8700 | | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | CMLDM7002 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 280mA | 2ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 250µA | 0.59NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | ||
 | SI6963BDQ-T1-E3 | - | | 8660 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6963 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.4a | 45mohm @ 3.9a，4.5V | 1.4V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | SI3439KDW-TP | - | | 8970 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI3439 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 750mA，660mA | 380MOHM @ 650mA，4.5V，520MOHM @ 1A，4.5V | 1.1V @ 250µA | - | 120pf @ 16v，113pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
 | IRF7902TRPBF | - | | 4057 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF7902 | - | 1.4W（TA），2W（2W）） | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.4a（ta），9.7a（ta） | 22.6mohm @ 6.4a，10v，14.4mohm @ 9.7a，10v | 2.25V @ 25µA | 6.9nc @ 4.5V，9.8NC @ 4.5V | 580pf @ 15V，900pf @ 15V | - | ||
 | FDG6301N-F085P | - | | 5417 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FDG6301 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 220mA（ta） | 4ohm @ 220mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.4NC @ 4.5V | 9.5pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | PJS6809_S1_00001 | 0.5300 | | 10 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | PJS6809 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W（TA） | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJS6809_S1_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 2.6a（ta） | 115MOHM @ 2.6a，10V | 2.1V @ 250µA | 9.8nc @ 10V | 396pf @ 15V | - | |
| ISL85402IRZ-TT7A | 1.0000 | | 3480 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | ISL85402 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
 | ALD310700SCL | 6.0054 | | 8142 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD310700 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1287 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道，匹配对 | 8V | - | - | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
| APTM20TAM16FPG | 268.0300 | | 3146 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM20 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | sp6-p | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 200V | 104a | 19mohm @ 52a，10v | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7220pf @ 25V | - | ||
 | NX7002BKS115 | - | | 7235 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||
| IRF7757TRPBF | - | | 9323 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | IRF7757 | MOSFET （金属 o化物） | 1.2W | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001566434 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.8a | 35mohm @ 4.8A，4.5V | 1.2V @ 250µA | 23nc @ 4.5V | 1340pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| AUIRF7379QTR | - | | 6061 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AUIRF7379 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001520160 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | 5.8a，4.3a | 45MOHM @ 5.8A，10V | 3V @ 250µA | 25nc @ 10V | 520pf @ 25V | 逻辑级别门 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）