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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GMM3X100-01X1-SMD | - |  | 6014 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 24-smd，海鸥翼 | GMM3x100 | MOSFET （金属 o化物） | - | 24-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 6 n通道（3相桥） | 100V | 90a | - | 4.5V @ 1mA | 90NC @ 10V | - | - | ||
 | IRF7756GTRPBF | - | | 3304 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | IRF775 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 4.3a | 40mohm @ 4.3a，4.5V | 900mv @ 250µA | 18NC @ 4.5V | 1400pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
| PJT7808_R2_00001 | - | | 8701 | 0.00000000 | Emo Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PJT7808 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW（TA） | SOT-363 | 下载 | 到达不受影响 | 3757-PJT7808_R2_00001TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 20V | 500mA（ta） | 400mohm @ 500mA，4.5V | 900mv @ 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 67pf @ 10V | - | |||
 | SP8M4FU6TB | - | | 7977 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8M4 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 9a，7a | 18mohm @ 9a，10v | 2.5V @ 1mA | 21nc @ 5V | 1190pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | DMC2710UV-13 | 0.0839 | | 6160 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMC2710 | MOSFET （金属 o化物） | 460MW（TA） | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | DMC2710UV-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 20V | 1.1A（ta），800mA（ta） | 400MOHM @ 600mA，4.5V，700MOHM @ 430mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V，0.7NC @ 4.5V | 42pf @ 16v，49pf @ 16V | - | |
 | SLA5074 | - | | 2505 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 管子 | 积极的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | 15 sip裸露的选项卡，形成铅 | Sla50 | MOSFET （金属 o化物） | 4.8W | 15-zip | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | SLA5074 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 4（n n 通道（半桥） | 60V | 5a | 300MOHM @ 3A，4V | 2V @ 250µA | - | 320pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| MSCMC120AM07CT6LIAG | - | | 7091 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCMC120 | （SIC） | 1350W（TC） | sp6c li | 下载 | 到达不受影响 | 150-MSCMC120AM07CT6LIAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1200V（1.2kV） | 264a（TC） | 8.7MOHM @ 240A，20V | 4V @ 60mA | 690NC @ 20V | 11400pf @ 1000V | - | |||
 | IRF7379QTRPBF | - | | 1096 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF737 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | 5.8a，4.3a | 45MOHM @ 5.8A，10V | 1V @ 250µA | 25nc @ 10V | 520pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||||
| IRF7313PBF | - | | 8223 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF731 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001566122 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.5a | 29mohm @ 5.8A，10V | 1V @ 250µA | 33nc @ 10V | 650pf @ 25V | - | |
 | FDJ1028N | 0.2900 | | 14 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-75-6 FLMP | FDJ1028 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | SC75-6 FLMP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 3.2a | 90MOHM @ 3.2A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 3NC @ 4.5V | 200pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
 | APTM50TDUM65PG | - | | 7413 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | sp6-p | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 500V | 51a | 78MOHM @ 25.5A，10V | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | |||
 | UPA1759G-E1-AT | 0.5300 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） | UPA1759 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-psop | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 5a | 150MOHM @ 2.5a，10V | 2.5V @ 1mA | 8NC @ 10V | 190pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||
 | DMN3401LDWQ-13 | 0.0613 | | 9863 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN3401 | MOSFET （金属 o化物） | 290MW（TA） | SOT-363 | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN3401LDWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 800mA（ta） | 400MOHM @ 590mA，10V | 1.6V @ 250µA | 1.2NC @ 10V | 50pf @ 15V | - | |||
 | DF11MR12W1M1PB11BPSA1 | - | | 3849 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPack™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | DF11MR12 | （SIC） | 20mw | Ag-Easy1b-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 30 | 2 n 通道（双） | 1200V（1.2kV） | 50a（TJ） | 22.5mohm @ 50a，15v | 5.55V @ 20mA | 124nc @ 15V | 3680pf @ 800V | - | |||
 | AON7804 | 0.5000 | | 1 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-powersmd，平面线 | AON780 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 8-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 9a | 21mohm @ 8a，10v | 2.4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| FDC6333C-G | - | | 6759 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6333 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW（TA） | SuperSot™-6 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | 488-FDC6333C-GTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 2.5A（2a），2a（ta） | 95mohm @ 2.5a，10v，130mohm @ 2a，10v | 3V @ 250µA | 6.6nc @ 10V，5.7nc @ 10V | 282pf @ 15V，185pf @ 15V | - | ||
| MSCMC120AM03CT6LIAG | - | | 6087 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCMC120 | （SIC） | 2778W（TC） | sp6c li | 下载 | 到达不受影响 | 150-MSCMC120AM03CT6LIAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1200V（1.2kV） | 631a（TC） | 3.4mohm @ 500A，20V | 4V @ 150mA | 1610NC @ 20V | 27900pf @ 1000V | - | |||
 | NVMFD5C650NLT1G | 4.8000 | | 9892 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | 3.5W（TA），125W（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 21a（21a），111a（tc（TC） | 4.2MOHM @ 20A，10V | 2.2V @ 98µA | 16nc @ 4.5V | 2546pf @ 25V | - | ||
 | FX50SMJ-2 ＃B00 | 8.2700 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | FX50SMJ | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | SI4542DY-T1-E3 | - | | 9072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4542 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | - | 25mohm @ 6.9a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 50NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
 | BSD223P L6327 | - | | 1193 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | BSD223 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | PG-SOT363-PO | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 390mA | 1.2OHM @ 390mA，4.5V | 1.2V @ 1.5µA | 0.62NC @ 4.5V | 56pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | MCQ4828A-TP | 0.9100 | | 43 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MCQ4828 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 4.5A（ta） | 56mohm @ 4.5A，10V | 3V @ 250µA | 10.5NC @ 10V | 540pf @ 30V | - | ||
 | BUK7K134-100EX | - | | 1443 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | BUK7K134 | MOSFET （金属 o化物） | 32W | LFPAK56D | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 100V | 9.8a | 121MOHM @ 5A，10V | 4V @ 1mA | 10.5NC @ 10V | 564pf @ 25V | - | |||||
| SIZF918DT-T1-GE3 | 1.5900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZF918 | MOSFET （金属 o化物） | 3.4W（ta），26.6W（tc），3.7W（ta（50W）（50W to）TC） | 8-Powerpair®（6x5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双），肖特基 | 30V | （23A）（TA），40a tc）（35a ta），60a tc（60a tc） | 4mohm @ 10a，10v，1.9mohm @ 10a，10v | 2.4V @ 250µA，2.3V @ 250µA | 22nc @ 10v，56nc @ 10v | 1060pf @ 15V，2650pf @ 15V | - | |||
 | FDS9933 | 0.3600 | | 20 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS99 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 5a | 55mohm @ 3.2A，4.5V | 1.2V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 825pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
| UPA2386T1P-E1-A | - | | 4509 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | - | - | UPA2386 | - | - | - | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||
 | PSMN025-100HSX | 2.0300 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | PSMN025 | MOSFET （金属 o化物） | 68W（TA） | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 100V | 29.5A（TA） | 24.5mohm @ 10a，10v | 4V @ 1mA | 38.1NC @ 10V | 2436pf @ 25V | - | ||
| APTM20AM05FG | 279.2300 | | 6828 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM20 | MOSFET （金属 o化物） | 1136W | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 200V | 317a | 5mohm @ 158.5a，10v | 5V @ 10mA | 448nc @ 10V | 27400pf @ 25V | - | ||
| NTMFD5C680NLT1G | 2.9300 | | 8515 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NTMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | 3W（TA），19w（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 7.5a（ta），26a（tc） | 28mohm @ 5a，10v | 2.2V @ 13µA | 5NC @ 10V | 350pf @ 25V | - | ||
| 94-2518pbf | - | | 6904 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | - | 94-2518 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - |
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