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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FF11MR12W1M1PC11BPSA1 Infineon Technologies FF11MR12W1M1PC11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 FF11MR12 - - 过时的 1 -
NTLTD7900ZR2 onsemi NTLTD7900ZR2 0.2100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 NTLTD79 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
IRF7341GTRPBF Infineon Technologies IRF7341GTRPBF 2.2500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF734 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 55V 5.1a 50MOHM @ 5.1A，10V 1V @ 250µA（250µA） 44NC @ 10V 780pf @ 25V -
PMDT290UCE,115 Nexperia USA Inc. PMDT290UCE，115 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 PMDT290 MOSFET （金属 o化物） 500MW SOT-666 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 800mA，550mA 380MOHM @ 500mA，4.5V 950mv @ 250µA 0.68nc @ 4.5V 83pf @ 10V 逻辑级别门
SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-BE3 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1922 MOSFET （金属 o化物） （740MW）（TA），1.25W（tc） SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.3A（1.3A），1.3A（TC） 198mohm @ 1A，4.5V 1V @ 250µA 2.5nc @ 8v - -
2N7002VC-7 Diodes Incorporated 2N7002VC-7 0.4000
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 280mA 7.5OHM @ 50mA，5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V -
MMDF1N05ER2G onsemi MMDF1N05ER2G -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MMDF1 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 50V 2a 300MOHM @ 1.5A，10V 3V @ 250µA 12.5nc @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
IPG20N04S4-08 Infineon Technologies IPG20N04S4-08 -
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 ECAD 6522 0.00000000 Infineon技术 Optimos™T2 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 65W（TC） PG-TDSON-8-4 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 40V 20A（TC） 7.6mohm @ 17a，10v 4V @ 30µA 36NC @ 10V 2940pf @ 25V -
G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2 0.9200
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 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2.6W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 2 n通道 60V 9A（TC） 13mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 67nc @ 10V 3021pf @ 30V 标准
FDC655N Fairchild Semiconductor FDC655N 0.1900
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 ECAD 78 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDC655 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
NDS8947 onsemi NDS8947 -
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS894 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 4a 65MOHM @ 4A，10V 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 690pf @ 15V 逻辑级别门
IRF7379TRPBF Infineon Technologies IRF7379TRPBF -
RFQ
 ECAD 7519 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF737 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V -
ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA 0.8300
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMN10 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 2 n 通道（双） 100V 1.6a 250MOHM @ 3.2A，10V 2V @ 250µA（） 7.7nc @ 10V 405pf @ 50V 逻辑级别门
IRF7503TRPBF Infineon Technologies IRF7503TRPBF 0.8200
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） IRF7503 MOSFET （金属 o化物） 1.25W micro8™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 2.4a 135mohm @ 1.7A，10V 1V @ 250µA 12nc @ 10V 210pf @ 25V 逻辑级别门
AOSD32334C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD32334C 0.5400
RFQ
 ECAD 169 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AOSD323 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7a（ta） 20mohm @ 7a，10v 2.3V @ 250µA 20NC @ 10V 600pf @ 15V -
BSS84AKW,115 NXP USA Inc. BSS84AKW，115 1.0000
RFQ
 ECAD 7745 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BSS84 - 下载 0000.00.0000 1 -
FDR8308P onsemi FDR8308P -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm） FDR83 MOSFET （金属 o化物） 800MW Supersot™-8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.2a 50mohm @ 3.2a，4.5V 1.5V @ 250µA 19nc @ 4.5V 1240pf @ 10V 逻辑级别门
SP8J2TB Rohm Semiconductor SP8J2TB 1.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 * （CT） 积极的 SP8J2 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 -
NVMFD5485NLWFT1G onsemi NVMFD5485NLWFT1G 1.2055
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5483 MOSFET （金属 o化物） 2.9W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 5.3a 44mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 20NC @ 10V 560pf @ 25V 逻辑级别门
DMP2900UDW-7 Diodes Incorporated DMP2900UDW-7 0.3500
RFQ
 ECAD 3120 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMP2900 MOSFET （金属 o化物） 370MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 630ma（ta） 750MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 49pf @ 16V -
NVMFD5C680NLT1G onsemi NVMFD5C680NLT1G 1.7500
RFQ
 ECAD 8997 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3W（TA），19w（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 7.5a（ta），26a（tc） 28mohm @ 5a，10v 2.2V @ 13µA 2NC @ 4.5V 350pf @ 25V -
SI5935DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5935DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5935 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3a 86mohm @ 3A，4.5V 1V @ 250µA 8.5nc @ 4.5V - 逻辑级别门
IRF7316PBF Infineon Technologies IRF7316PBF -
RFQ
 ECAD 7164 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF731 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001559786 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 30V 4.9a 58MOHM @ 4.9A，10V 1V @ 250µA 34NC @ 10V 710pf @ 25V 逻辑级别门
IPG20N06S3L-35 Infineon Technologies IPG20N06S3L-35 -
RFQ
 ECAD 3757 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 30W PG-TDSON-8-4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 55V 20a 35mohm @ 11a，10v 2.2V @ 15µA 23nc @ 10V 1730pf @ 25V 逻辑级别门
SIA914DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA914DJ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5141 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA914 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.5a 53MOHM @ 3.7A，4.5V 1V @ 250µA 11.5nc @ 8v 400pf @ 10V 逻辑级别门
SI4923DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4923DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4923 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 6.2a 21mohm @ 8.3a，10v 3V @ 250µA 70NC @ 10V - 逻辑级别门
APTC60DSKM35T3G Microsemi Corporation APTC60DSKM35T3G -
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 416W SP3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 600V 72a 35mohm @ 72a，10v 3.9V @ 5.4mA 518nc @ 10V 14000pf @ 25V -
ALD1115SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1115sal 3.6146
RFQ
 ECAD 3719 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD1115 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1045 Ear99 8541.21.0095 50 n和p通道互补 10.6V - 1800OHM @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5V -
DMN10H6D2LFDB-7 Diodes Incorporated DMN10H6D2LFDB-7 0.0869
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN10 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMN10H6D2LFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 270mA（ta） 6ohm @ 190mA，10v 2V @ 1mA 1.2NC @ 10V 41pf @ 50V -
SCH2408-TL-E onsemi SCH2408-TL-E -
RFQ
 ECAD 3762 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） 600MW（TA） 6-SCH - Rohs不合规 供应商不确定 2156-SCH2408-TL-E-488 1 2 n通道 30V 350mA（ta） 1欧姆 @ 200ma，4V 1.3V @ 100µA 0.87NC @ 4V 28pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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