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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
AUIRF7303QTR International Rectifier AUIRF7303QTR -
RFQ
 ECAD 2577 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7103 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-so 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 5.3a 50mohm @ 2.7a，10v 3V @ 100µA 21NC @ 10V 515pf @ 25V 逻辑级别门
BUK7K17-80EX Nexperia USA Inc. BUK7K17-80EX 1.6300
RFQ
 ECAD 8951 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k17 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 80V 21a（21a） 4V @ 1mA -
DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-7 0.4900
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN61 MOSFET （金属 o化物） 820MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 630mA 1.8ohm @ 150mA，5v 2V @ 1mA 0.74NC @ 5V 12.9pf @ 12V 逻辑级别门
DMN2041UVT-7 Diodes Incorporated DMN2041UVT-7 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2041 MOSFET （金属 o化物） 1.1W TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 5.8A（ta） 28mohm @ 8.2a，4.5V 900mv @ 250µA 9.1nc @ 4.5V 689pf @ 10V -
FDMS3664S onsemi FDMS3664S 1.6800
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3664 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 13a，25a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1765pf @ 15V 逻辑级别门
ALD114804PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804PCL 6.9740
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD114804 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1055 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 3.6V 360mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
SP8J2TB Rohm Semiconductor SP8J2TB 1.3800
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 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 * （CT） 积极的 SP8J2 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 -
HUFA76413DK8T-F085 onsemi HUFA76413DK8T-F085 -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76413 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5.1a 49mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V 逻辑级别门
NTMD6N02R2G onsemi NTMD6N02R2G 0.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMD6 MOSFET （金属 o化物） 730MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 3.92a 35mohm @ 6a，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1100pf @ 16V 逻辑级别门
FDW2506P onsemi FDW2506P -
RFQ
 ECAD 6293 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 5.3a 22mohm @ 5.3a，4.5V 1.5V @ 250µA 34NC @ 4.5V 1015pf @ 10V 逻辑级别门
SI1028X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1028X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1028 MOSFET （金属 o化物） 220MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V - 650MOHM @ 500mA，10V 2.5V @ 250µA 2NC @ 10V 16pf @ 15V 逻辑级别门
MCMNP2065A-TP Micro Commercial Co MCMNP2065A-TP 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 MCMNP2065 MOSFET （金属 o化物） 2W DFN2020-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 6a（6a），4a ta（4a ta） 25mohm @ 5A，4.5V，51MOHM @ 3.4a，4.5V 1V @ 250µA 7.65nc @ 4.5V，5.41NC @ 10V 418pf @ 10V，880pf @ 6v -
QH8KB6TCR Rohm Semiconductor QH8KB6TCR 1.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8KB6 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 8a（8a） 17.7MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 1mA 10.6nc @ 10V 530pf @ 20V -
IRF7530PBF Infineon Technologies IRF7530pbf -
RFQ
 ECAD 5158 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） IRF7530 MOSFET （金属 o化物） 1.3W micro8™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 80 2 n 通道（双） 20V 5.4a 30mohm @ 5.4a，4.5V 1.2V @ 250µA 26nc @ 4.5V 1310pf @ 15V -
SCH1306-TL-E Sanyo SCH1306-TL-E 1.0000
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 SCH1306 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 5,000 -
DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated DMT10H017LPD-13 0.6938
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT10 MOSFET （金属 o化物） 2.2W（ta），78w（tc） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 54.7A（TC） 17.4mohm @ 17a，10v 3V @ 250µA 28.6nc @ 10V 1986pf @ 50V -
IRF9956TR Infineon Technologies IRF9956TR -
RFQ
 ECAD 1651年 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF995 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 3.5a 100mohm @ 2.2a，10v 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
FDS9933 Fairchild Semiconductor FDS9933 0.3600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS99 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 5a 55mohm @ 3.2A，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 825pf @ 10V 逻辑级别门
QS8J11TCR Rohm Semiconductor QS8J11TCR 0.2327
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8J11 MOSFET （金属 o化物） 550MW TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 3.5a 43mohm @ 3.5A，4.5V 1V @ 1mA 22nc @ 4.5V 2600pf @ 6V 逻辑级别门，1.5V
FMM22-05PF IXYS FMM22-05PF 20.9960
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM22 MOSFET （金属 o化物） 132W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 500V 13a 270MOHM @ 11A，10V 5V @ 1mA 50NC @ 10V 2630pf @ 25V -
ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA 0.8300
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMN10 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 2 n 通道（双） 100V 1.6a 250MOHM @ 3.2A，10V 2V @ 250µA（） 7.7nc @ 10V 405pf @ 50V 逻辑级别门
SI4804CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4804CDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4804 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 22mohm @ 7.5a，10v 2.4V @ 250µA 23nc @ 10V 865pf @ 15V -
UPA2371T1P-E1-A Renesas UPA2371T1P-E1-A 0.5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 表面安装 4-uflga UPA2371 MOSFET （金属 o化物） - 4-Eflip（1.62x1.62） - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA2371T1P-E1-A Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 24V 6a - - - - -
IRF7313PBF Infineon Technologies IRF7313PBF -
RFQ
 ECAD 8223 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF731 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001566122 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 6.5a 29mohm @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 33nc @ 10V 650pf @ 25V -
APTM20DUM04G Microchip Technology APTM20DUM04G 300.2300
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 200V 372a 5mohm @ 186a，10v 5V @ 10mA 560NC @ 10V 28900pf @ 25V -
HUFA76413DK8T Fairchild Semiconductor HUFA76413DK8T 0.6400
RFQ
 ECAD 2206 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76413 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 30 2 n 通道（双） 60V 5.1a 49mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V 逻辑级别门
GWM220-004P3-SL SAM IXYS GWM220-004P3-SL SAM -
RFQ
 ECAD 1694年 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，平坦的铅 GWM220 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 40V 180a - 4V @ 1mA 94NC @ 10V - -
AON4803_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4803_001 -
RFQ
 ECAD 3652 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 AON480 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-DFN （3x2） - 到达不受影响 785-AON4803_001 过时的 1 2个p通道 20V 3.4a（ta） 90MOHM @ 3.4A，4.5V 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 745pf @ 10V 标准
PMGD400UN,115 NXP USA Inc. PMGD400UN，115 -
RFQ
 ECAD 8557 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PMGD4 MOSFET （金属 o化物） 410MW 6-TSSOP - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 710mA 480MOHM @ 200MA，4.5V 1V @ 250µA 0.89NC @ 4.5V 43pf @ 25V 逻辑级别门
SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4920EY-T1_GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4920 MOSFET （金属 o化物） 4.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 14.5MOHM @ 6A，10V 2.5V @ 250µA 30nc @ 10V 1465pf @ 15V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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