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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDW2501NZ | - |  | 8759 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW25 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3 | 2 n 通道（双） | 20V | 5.5a | 18mohm @ 5.5a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1286pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
 | IRF7751 | - | | 3828 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | IRF775 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 2（p 通道（双） | 30V | 4.5a | 35MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 44NC @ 10V | 1464pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | AO7600_001 | - | | 1546年 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | AO760 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-70-6 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 20V | 900mA | 300MOHM @ 900mA，4.5V | 900mv @ 250µA | 1.9nc @ 4.5V | 120pf @ 10V | - | |||
 | DMHC10H170SFJ-13 | 1.2400 | | 4 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 12-vdfn裸露的垫子 | DMHC10 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W | V-DFN5045-12 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2n和2p通道（半桥） | 100V | 2.9a，2.3a | 160MOHM @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 9.7nc @ 10V | 1167pf @ 25V | - | ||
 | APTM20DUM05TG | - | | 9604 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM20 | MOSFET （金属 o化物） | 1250W | SP4 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 200V | 333a | 5mohm @ 166.5a，10v | 4V @ 8mA | 1184NC @ 10V | 40800pf @ 25V | - | |||
| Aony36302 | - | | 3494 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-powersmd，平面线 | Aony363 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（3.1W），21W（（（（），3.1W（ta），44.5W（（（（ta） | 8-DFN（5x6） | 下载 | 到达不受影响 | 785-AONY36302TR | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | 20a（20a），51a（tc（51a tc），30a ta（85a tc）（TC） | 5.2MOHM @ 20A，10V | 2.2V @ 250µA | 30nc @ 10V | 1000pf @ 15V | 标准 | |||||
| FDWS9420-F085 | - | | 9591 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDWS9 | MOSFET （金属 o化物） | 75W | 8-pqfn（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 20A（TC） | 5.8mohm @ 20a，10v | 4V @ 250µA | 43nc @ 10V | 2100pf @ 20V | - | ||
 | ALD210804SCL | 5.7256 | | 6540 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD210804 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||
 | SIL3724A-TP | 0.4800 | | 462 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | SIL3724 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 4.5a，3.5a | 35mohm @ 3A，10V，90MOHM @ 3A，10V | 2.5V @ 250µA | 6.08NC @ 15V | 315pf @ 10V，365pf @ 10V | - | ||
 | APTM50AM38FTG | 159.4300 | | 2948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMos7® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 694W | SP4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 500V | 90a | 45MOHM @ 45A，10V | 5V @ 5mA | 246nc @ 10V | 11200pf @ 25V | - | ||
 | di9945t | - | | 6612 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DI9945 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 3.5a | 100mohm @ 3.5a，10v | - | 30nc @ 10V | 435pf @ 25V | - | |||
| FDMC0228 | - | | 1014 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 过时的 | FDMC02 | - | - | 不适用 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||
 | SQJB60EP-T1_BE3 | 1.3100 | | 7339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJB60 | MOSFET （金属 o化物） | 48W（TC） | POWERPAK®SO-8 | 下载 | （1 （无限） | 742-SQJB60EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 30A（TC） | 12mohm @ 10a，10v | 2.5V @ 250µA | 30nc @ 10V | 1600pf @ 25V | - | |||
 | PMDT290UCE，115 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | PMDT290 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | SOT-666 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | n和p通道 | 20V | 800mA，550mA | 380MOHM @ 500mA，4.5V | 950mv @ 250µA | 0.68nc @ 4.5V | 83pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | FF45MR12W1M1B11BOMA1 | 65.9800 | | 9 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | FF45MR12 | （SIC） | 20MW（TC） | Ag-Easy1bm-2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 24 | 2 n 通道（双） | 1200V（1.2kV） | 25A（TJ） | 45mohm @ 25a，15v（typ（typ）） | 5.55V @ 10mA | 62nc @ 15V | 1840pf @ 800V | - | ||
 | CSD87501L | 1.0000 | | 9 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 10-xflga | CSD87501 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | 10 picostar（3.37x1.47） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | - | - | - | 2.3V @ 250µA | 40NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
 | IRF7313PBF | - | | 8223 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF731 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001566122 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.5a | 29mohm @ 5.8A，10V | 1V @ 250µA | 33nc @ 10V | 650pf @ 25V | - | |
| FDS6900AS-G | - | | 6955 | 0.00000000 | Onmi | PoterTrench®，SyncFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS69 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW（TA） | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.9a，8.2a | 27mohm @ 6.9a，10v | 3V @ 250µA，3V @ 1mA | 15nc @ 10V | 600pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | MP6K31TCR | - | | 3293 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，平坦的铅 | MP6K31 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | MPT6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 2a | 290MOHM @ 2A，10V | 2.5V @ 1mA | 2NC @ 5V | 110pf @ 10V | 逻辑水平门，4V驱动器 | ||
 | UM6K31NFHATCN | 0.4900 | | 4516 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | UM6K31 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 250mA（ta） | 2.4OHM @ 250mA，10V | 2.3V @ 1mA | - | 15pf @ 25V | - | ||
| FF4MR20KM1HPHPSA1 | 852.0838 | | 1188 | 0.00000000 | Infineon技术 | C，Coolsic™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C | 底盘安装 | 模块 | （SIC） | - | Ag-62mmhb | - | rohs3符合条件 | 8 | 2 n通道 | 2000V （2KV） | 280a（TC） | 5.3MOHM @ 300A，18V | 5.15V @ 168mA | 1170nc @ 18V | 36100pf @ 1.2KV | （SIC） | |||||||
 | BUK9K5R6-30EX | 1.6300 | | 7762 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | buk9k5 | MOSFET （金属 o化物） | 64W | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 40a | 5.8mohm @ 10a，5v | 2.1V @ 1mA | 22.6nc @ 5V | 2480pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | FDPC1002S | 0.3900 | | 10 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 8-Powerwdfn | FDPC1 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W（ta），2W（ta） | PowerClip-33 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 通道（双） | 25V | （13a）（20a ta）（20a tc），27a（ta（60a tc）（60a tc）（TC） | 6mohm @ 13A，10V，1.8MOHM @ 27A，10V | 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA | 19nc @ 10v，64nc @ 10v | 1240pf @ 13V，4335pf @ 13V | - | |||||
 | SI3911DV-T1-E3 | - | | 5753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3911 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.8a | 145mohm @ 2.2a，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | FDS8958A | - | | 9962 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS89 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n和p通道 | 30V | 7a，5a | 28mohm @ 7a，10v | 3V @ 250µA | 16NC @ 10V | 575pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||
 | SP8K33FRATB | 1.1700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8K33 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 5A（5A） | 48mohm @ 5a，10v | 2.5V @ 1mA | 12nc @ 5V | 620pf @ 10V | - | ||
| GSFB0305 | 0.4400 | | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET （金属 o化物） | 1.9W（TA），7.4W（TC） | 6-ppak（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 30V | 4.2A（ta），8a tc（8a tc） | 75MOHM @ 3A，10V | 2.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 820pf @ 15V | - | |||
 | DMN601DWKQ-7 | 0.3800 | | 15 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN601 | MOSFET （金属 o化物） | 200MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 305mA（ta） | 2ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 1mA | 0.304NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | ||
 | SQ9945AEY-T1-E3 | - | | 1369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SQ9945 | MOSFET （金属 o化物） | 2.4W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 3.7a | 80Mohm @ 3.7A，10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
 | BSM300D12P2E001 | 852.5400 | | 67 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | BSM300 | （SIC） | 1875W | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 300A（TC） | - | 4V @ 68mA | - | 35000pf @ 10V | - |
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