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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 重量（ kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDR8308P onsemi FDR8308P -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm） FDR83 MOSFET （金属 o化物） 800MW Supersot™-8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.2a 50mohm @ 3.2a，4.5V 1.5V @ 250µA 19nc @ 4.5V 1240pf @ 10V 逻辑级别门
FS30KMJ-3#B00 Renesas Electronics America Inc FS30kMJ-3 ＃B00 1.7100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS30公里 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
CAS310M17BM3 Wolfspeed, Inc. CAS310M17BM3 1.0000
RFQ
 ECAD 9806 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 - 底盘安装 模块 CAS310 MOSFET （金属 o化物） - - 下载 不适用 1697-CAS310M17BM3 Ear99 8541.29.0095 1 - 1700V 310a - - - - 标准
BSS138DWQ-7 Diodes Incorporated BSS138DWQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 200mA 3.5OHM @ 220mA，10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V -
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE，LM 0.3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N7002 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 200mA 2.1ohm @ 500mA，10v 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V 逻辑级别门
FDW2503N Fairchild Semiconductor FDW2503N 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.5a 21MOHM @ 5.5A，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1082pf @ 10V 逻辑级别门
YJQ3400A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJQ3400A 0.4700
RFQ
 ECAD 3318 0.00000000 Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 YJQ3400 - 2W（TA） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 3,000 2 n 通道（双） 30V 7.7a（ta） 23mohm @ 7.7a​​，10v 1.5V @ 250µA 17.25nc @ 10V 630pf @ 15V -
DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4050SSDQ-13 0.8300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4050 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V 5.3a 45mohm @ 3a，10v 1.8V @ 250µA 37.56NC @ 10V 1790.8pf @ 20v -
DI9945T Diodes Incorporated di9945t -
RFQ
 ECAD 6612 0.00000000 二极管合并 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DI9945 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.5a 100mohm @ 3.5a，10v - 30nc @ 10V 435pf @ 25V -
DMC3025LNS-13 Diodes Incorporated DMC3025LNS-13 0.2138
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMC3025 MOSFET （金属 o化物） 1.2W（TA） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 30V 7.2A（ta），6.8a ta（6.8a） 25mohm @ 7a，10v，28mohm @ 7a，10v 2V @ 250µA 4.6nc @ 4.5V，9.5NC @ 4.5V 500pf @ 15V，1188pf @ 15V -
SI7904DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7904DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7903 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7904 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 5.3a 30mohm @ 7.7a​​，4.5V 1V @ 935µA 15nc @ 4.5V - 逻辑级别门
MSCSM120AM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120AM31CTBL1NG 166.2400
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 310W - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM31CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V 79a 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 1mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
FDMD8900 Fairchild Semiconductor FDMD8900 0.9900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-Powerwdfn FDMD89 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 12-Power3.3x5 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 19a，17a 4mohm @ 19a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2605pf @ 15V -
TSM8588CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8588CS RLG 1.6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TSM8588 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（ta），5.7W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 60V 2.5a（5a），5a（tc），2a ta（2a ta），4a tc（4a tc） 103mohm @ 2.5a，10v，180mohm @ 2a，10v 2.5V @ 250µA 9.4NC @ 10V，9NC @ 10V 527pf @ 30v，436pf @ 30V -
DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated DMN601DWKQ-7 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN601 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 305mA（ta） 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 1mA 0.304NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
VT6J1T2CR Rohm Semiconductor VT6J1T2CR 0.0832
RFQ
 ECAD 1938年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 VT6J1 MOSFET （金属 o化物） 120MW VMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2（p 通道（双） 20V 100mA 3.8OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 100µA - 15pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
MSCMC120AM07CT6LIAG Microchip Technology MSCMC120AM07CT6LIAG -
RFQ
 ECAD 7091 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCMC120 （SIC） 1350W（TC） sp6c li 下载 到达不受影响 150-MSCMC120AM07CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 264a（TC） 8.7MOHM @ 240A，20V 4V @ 60mA 690NC @ 20V 11400pf @ 1000V -
DMN3401LDW-7 Diodes Incorporated DMN3401LDW-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN3401 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 800mA（ta） 400MOHM @ 590mA，10V 1.6V @ 250µA 1.2NC @ 10V 50pf @ 15V -
PJX8805_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8805_R1_00001 0.1185
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 PJX8805 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJX8805_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 500mA（ta） 390MOHM @ 500mA，4.5V 1.3V @ 250µA 1.6NC @ 4.5V 137pf @ 15V -
TPC8221-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8221-H，LQ（s -
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPC8221 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-sop 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6a 25mohm @ 3a，10v 2.3V @ 100µA 12nc @ 10V 830pf @ 10V -
SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 0.9800
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 PowerPak®1212-8W双重 SQS966 MOSFET （金属 o化物） 27.8W（TC） PowerPak®1212-8W双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 6A（TC） 36mohm @ 1.25A，10V 2.5V @ 250µA 8.8nc @ 10V 572pf @ 25V -
NX3008PBKV,115 NXP Semiconductors NX3008PBKV，115 -
RFQ
 ECAD 2027 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 NX3008 - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 2156-NX3008PBKV，115-954 Ear99 8541.21.0095 1 -
FDMS7608S Fairchild Semiconductor FDMS7608 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS7608 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 Ear99 8542.39.0001 589 2 n 通道（双） 30V 12a，15a 10mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1510pf @ 15V 逻辑级别门
HS8K11TB Rohm Semiconductor HS8K11TB 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 HS8K11 MOSFET （金属 o化物） 2W HSML3030L10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7a，11a 17.9mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 11.1nc @ 10V 500pf @ 15V 逻辑级别门
AUIRF7342Q Infineon Technologies AUIRF7342Q -
RFQ
 ECAD 6069 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7342 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001515748 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 55V 3.4a 105MOHM @ 3.4A，10V 3V @ 250µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V 逻辑级别门
SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor SSFB12N05 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（TA） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 4,000 n和p通道互补 12V 5A（5A） 32MOHM @ 5A，4.5V，74MOHM @ 4.5A，4.5V 1V @ 250µA 6.6nc @ 4.5V，9.2NC @ 4.5V 495pf @ 6v，520pf @ 6v 标准
SQJB48EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB48EP-T1_GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB48 MOSFET （金属 o化物） 48W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 30A（TC） 5.2MOHM @ 8A，10V 3.3V @ 250µA 40NC @ 10V 2350pf @ 25V -
IRF7343QTRPBF Infineon Technologies IRF7343QTRPBF -
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF734 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 55V 4.7a，3.4a 50mohm @ 4.7A，10V 1V @ 250µA 36NC @ 10V 740pf @ 25V -
AON6974A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6974A -
RFQ
 ECAD 5704 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON697 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，30a 5.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 1037pf @ 15V 逻辑级别门
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0.6200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RF1K4 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 12V 3.5A（ta） 50mohm @ 3.5A，5V 2V @ 250µA 25nc @ 10V 750pf @ 10V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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