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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
CAR600M12HN6 Wolfspeed, Inc. CAR600M12HN6 2.0000
RFQ
 ECAD 8176 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAR600 （SIC） 50MW 模块 下载 不适用 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 908a（TC） - - - 45300pf @ 0v -
FDY4001CZ onsemi FDY4001CZ -
RFQ
 ECAD 7846 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 FDY40 MOSFET （金属 o化物） 446MW SOT-563F 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 200mA，150mA 5ohm @ 200ma，4.5V 1.5V @ 250µA 1.1NC @ 4.5V 60pf @ 10V 逻辑级别门
DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1026UVQ-7 0.1196
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1026 MOSFET （金属 o化物） 650MW SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 440mA ta） 1.8Ohm @ 500mA，10v 1.8V @ 250µA 0.45pc @ 4.5V 32pf @ 25V 逻辑级别门
AON3613 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON3613 -
RFQ
 ECAD 3782 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 AON361 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 8-DFN （3x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道，普通排水 30V 4.5a 52MOHM @ 4.5A，10V 1.5V @ 250µA 10NC @ 10V 245pf @ 15V 逻辑级别门
MSCSM120AM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120AM31CTBL1NG 166.2400
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 310W - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM31CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V 79a 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 1mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
SI4542DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4542DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4542 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V - 25mohm @ 6.9a，10v 1V @ 250µA（250µA） 50NC @ 10V - 逻辑级别门
EFC2J022NUZTCG onsemi EFC2J022NUZTCG -
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 ECAD 5871 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 EFC2J022 - - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 过时的 5,000 -
CSD86360Q5D Texas Instruments CSD86360Q5D 2.8100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn CSD86360Q5 MOSFET （金属 o化物） 13W 8-lson（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 25V 50a - 2.1V @ 250µA 12.6nc @ 4.5V 2060pf @ 12.5 逻辑级别门
NTMFD5C680NLT1G onsemi NTMFD5C680NLT1G 2.9300
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3W（TA），19w（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 7.5a（ta），26a（tc） 28mohm @ 5a，10v 2.2V @ 13µA 5NC @ 10V 350pf @ 25V -
FDC6320C Fairchild Semiconductor FDC6320C 0.2200
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 ECAD 275 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6320 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 Ear99 8542.39.0001 1 n和p通道 25V 220mA，120mA 4ohm @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V 逻辑级别门
FDC6327C onsemi FDC6327C 0.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6327 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2.7a，1.9a 80Mohm @ 2.7a，4.5V 1.5V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 325pf @ 10V 逻辑级别门
ALD210800ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800ASCL 8.7200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD210800 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1214 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 80mA 25欧姆 10MV @ 10µA - 15pf @ 5V 逻辑级别门
UM6K33NTN Rohm Semiconductor UM6K33NTN 0.3800
RFQ
 ECAD 887 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6K33 MOSFET （金属 o化物） 120MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 200mA 2.2OHM @ 200mA，4.5V 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
ZXMD63N02XTC Diodes Incorporated ZXMD63N02XTC -
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） ZXMD63 MOSFET （金属 o化物） 1.04W 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 2.5a 130MOHM @ 1.7A，4.5V 3V @ 250µA 6NC @ 4.5V 700pf @ 15V 逻辑级别门
DMC3401LDW-7-50 Diodes Incorporated DMC3401LDW-7-50 0.0483
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMC3401 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA） SOT-363 下载 31-DMC3401LDW-7-50 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 800mA（ta），550mA（ta） 400MOHM @ 590mA，10v，900MOHM @ 420mA，10V 1.6V @ 250µA，2.6V @ 250µA 1.2nc @ 10V，800pc @ 10V 50pf @ 15V，19pf @ 15V 标准
QS8M11TCR Rohm Semiconductor QS8M11TCR 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 - 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8M11 - - TSMT8 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 3.5a - - - - -
APTM10DSKM19T3G Microchip Technology APTM10DSKM19T3G 64.0200
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 208W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 70a 21mohm @ 35a，10v 4V @ 1mA 200NC @ 10V 5100pf @ 25V -
FDPC8011S-AU01 onsemi FDPC8011S-AU01 1.6283
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC8 MOSFET （金属 o化物） 800MW（ta），900MW（（ PowerClip-33 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-FDPC8011S-AU01TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V （13a）（20a ta）（20a tc），27a（ta（60a tc）（60a tc）（TC） 6mohm @ 13A，10V，1.8MOHM @ 27A，10V 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA 19nc @ 10v，64nc @ 10v 1240pf @ 13V，4335pf @ 13V -
EPC2107 EPC EPC2107 1.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 9-vfbga EPC210 ganfet（n化岩） - 9-BGA（1.35x1.35） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 3 n通道（半桥 +同步引导程序） 100V 1.7a，500mA 320MOHM @ 2A，5V，3.3OHM @ 2A，5V 2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 0.16NC @ 5V，0.044NC @ 5V 16pf @ 50V，7pf @ 50V -
IRF9362TRPBF Infineon Technologies IRF9362TRPBF 0.9500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF9362 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 8a 21mohm @ 8a，10v 2.4V @ 25µA 39nc @ 10V 1300pf @ 25V 逻辑级别门
DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4029SSDQ-13 0.3502
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4029 MOSFET （金属 o化物） 1.8W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V （9A）（6.5A）（6.5A） 24mohm @ 6a，10v，45mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5V，10.6NC @ 4.5V 1060pf @ 20v，1154pf @ 20V -
IRF9952PBF Infineon Technologies IRF9952PBF -
RFQ
 ECAD 6836 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF995 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001566518 Ear99 8541.29.0095 95 n和p通道 30V 3.5a，2.3a 100mohm @ 2.2a，10v 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
CSD86350Q5DT Texas Instruments CSD86350Q5DT 3.1100
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn CSD86350 MOSFET （金属 o化物） 13W（TA） 8-lson（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 296-CSD86350Q5DTTR Ear99 8541.29.0095 250 2 n 通道（半桥） 25V 40a（ta） 5mohm @ 25A，5V，1.1MOHM @ 25A，5V 2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA 10.7nc @ 4.5V，25nc @ 4.5V 1870pf @ 12.5v，4000pf @ 12.5V -
AO8804_100 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8804_100 -
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） AO880 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共排水 20V - 13mohm @ 8a，10v 1V @ 250µA 17.9nc @ 4.5V 1810pf @ 10V 逻辑级别门
CXT-PLA3SA12450AA CISSOID CXT-Pla3SA12450AA 3.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 cissoid - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 cxt-pla3 （SIC） 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 3276-CXT-PLA3SA12450AA Ear99 8542.39.0000 1 6 n通道（3相桥） 1200V（1.2kV） 450a 3.25MOHM @ 300A 295nc @ 15V 30000pf @ 600V -
EPC2103ENGRT EPC EPC2103engrt -
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 死 EPC210 ganfet（n化岩） - 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 2 n 通道（半桥） 80V 23a 5.5MOHM @ 20A，5V 2.5V @ 7mA 6.5nc @ 5V 7600pf @ 40V -
NTMD2C02R2G onsemi NTMD2C02R2G -
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMD2C MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 20V 5.2a，3.4a 43mohm @ 4A，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1100pf @ 10V 逻辑级别门
PJT7802_S1_00001 Panjit International Inc. PJT7802_S1_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT7802 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJT7802_S1_001DKR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 500mA（ta） 400mohm @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 39pf @ 10V -
NVMFD5877NLT1G onsemi NVMFD5877NLT1G -
RFQ
 ECAD 2502 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5877 MOSFET （金属 o化物） 3.2W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 6a 39mohm @ 7.5a，10v 3V @ 250µA 20NC @ 10V 540pf @ 25V 逻辑级别门
EPC2111 EPC EPC2111 3.0600
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 ECAD 6 0.00000000 EPC - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 死 EPC211 ganfet（n化岩） - 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 16A（TA） 19mohm @ 15a，5v，8mohm @ 15a，5v 2.5V @ 5mA 2.2nc @ 5V，5.7nc @ 5V 230pf @ 15V，590pf @ 15V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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