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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
CAS480M12HM3 Wolfspeed, Inc. CAS480M12HM3 2.0000
RFQ
 ECAD 6957 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAS480 （SIC） - 模块 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 640a（TC） 2.97mohm @ 480a，15v 3.6V @ 160mA 1590nc @ 15V 43100pf @ 800V -
BSS84AKS,115 Nexperia USA Inc. BSS84AKS，115 0.4500
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 445MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 50V 160mA 7.5OHM @ 100mA，10V 2.1V @ 250µA 0.35nc @ 5V 36pf @ 25V 逻辑级别门
SQJ914EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ914EP-T1_BE3 1.3000
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ914 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） 742-SQJ914EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 12MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 25nc @ 10V 1110pf @ 15V -
APTM10DUM05TG Microsemi Corporation APTM10DUM05TG -
RFQ
 ECAD 1714年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 780W SP4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 278a 5mohm @ 125a，10v 4V @ 5mA 700NC @ 10V 20000pf @ 25V -
IRF9956 Infineon Technologies IRF9956 -
RFQ
 ECAD 5985 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF995 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF9956 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 3.5a 100mohm @ 2.2a，10v 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
SP8K33FRATB Rohm Semiconductor SP8K33FRATB 1.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K33 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5A（5A） 48mohm @ 5a，10v 2.5V @ 1mA 12nc @ 5V 620pf @ 10V -
NTLJD2104PTBG onsemi NTLJD2104PTBG -
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD21 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.4a 90MOHM @ 3A，4.5V 800MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 467pf @ 6V 逻辑级别门
SI7904DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7904DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7903 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7904 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 5.3a 30mohm @ 7.7a​​，4.5V 1V @ 935µA 15nc @ 4.5V - 逻辑级别门
NX3008PBKV,115 NXP Semiconductors NX3008PBKV，115 -
RFQ
 ECAD 2027 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 NX3008 - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 2156-NX3008PBKV，115-954 Ear99 8541.21.0095 1 -
AUIRF7342Q Infineon Technologies AUIRF7342Q -
RFQ
 ECAD 6069 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7342 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001515748 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 55V 3.4a 105MOHM @ 3.4A，10V 3V @ 250µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V 逻辑级别门
MSCSM120AM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120AM31CTBL1NG 166.2400
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 310W - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM31CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V 79a 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 1mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
HS8K11TB Rohm Semiconductor HS8K11TB 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 HS8K11 MOSFET （金属 o化物） 2W HSML3030L10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7a，11a 17.9mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 11.1nc @ 10V 500pf @ 15V 逻辑级别门
CAS310M17BM3 Wolfspeed, Inc. CAS310M17BM3 1.0000
RFQ
 ECAD 9806 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 - 底盘安装 模块 CAS310 MOSFET （金属 o化物） - - 下载 不适用 1697-CAS310M17BM3 Ear99 8541.29.0095 1 - 1700V 310a - - - - 标准
BSS138DWQ-7 Diodes Incorporated BSS138DWQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 200mA 3.5OHM @ 220mA，10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V -
IRF7756GTRPBF Infineon Technologies IRF7756GTRPBF -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a，4.5V 900mv @ 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated DMTH4011SPD-13 0.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH4011 MOSFET （金属 o化物） 2.6W（ta） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 11.1A（TA），42A （TC） 15mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 10.6nc @ 10V 805pf @ 20V -
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies FF17MR12W1M1HB70BPSA1 148.3900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 FF17MR12 MOSFET （金属 o化物） - ag-easy1b - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1553CDL-T1-GE3 0.5000
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1553 MOSFET （金属 o化物） 340MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 700mA，500mA 390MOHM @ 700mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.8NC @ 10V 38pf @ 10V 逻辑级别门
DMC1029UFDB-7 Diodes Incorporated DMC1029UFDB-7 -
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC1029 MOSFET （金属 o化物） 1.4W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V 5.6a，3.8a 29mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 19.6nc @ 8v 914pf @ 6V -
SP8K1FRATB Rohm Semiconductor SP8K1FRATB 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K1 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5A（5A） 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 5.5nc @ 5V 230pf @ 10V -
PJL9804_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9804_R2_00001 0.1494
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9804 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9804_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6a（6a） 28mohm @ 6a，10v 2.1V @ 250µA 7.8NC @ 10V 343pf @ 15V -
SI4916DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4916DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8390 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4916 MOSFET （金属 o化物） 3.3W，3.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 10a，10.5a 18mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
BSS138DW-7-F Diodes Incorporated BSS138DW-7-F 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 200mA 3.5OHM @ 220mA，10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V 逻辑级别门
NX3008NBKSH Nexperia USA Inc. NX3008NBKSH 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NX3008 MOSFET （金属 o化物） 445MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 350mA（ta） 1.4OHM @ 350mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.68nc @ 4.5V 50pf @ 15V -
SI7905DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7905DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7905 MOSFET （金属 o化物） 20.8W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 40V 6a 60mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 30nc @ 10V 880pf @ 20V -
APTC60AM24SCTG Microchip Technology APTC60AM24SCTG 212.4600
RFQ
 ECAD 2191 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 462W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 600V 95a 24mohm @ 47.5A，10V 3.9V @ 5mA 300NC @ 10V 14400pf @ 25V 超交界处
APTC80DSK29T3G Microsemi Corporation APTC80DSK29T3G -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC80 MOSFET （金属 o化物） 156W SP3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 800V 15a 290MOHM @ 7.5A，10V 3.9V @ 1mA 90NC @ 10V 2254pf @ 25V -
DMN5L06VK-13 Diodes Incorporated DMN5L06VK-13 -
RFQ
 ECAD 7829 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN5L06 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 31-DMN5L06VK-13 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 50V 280mA（TA） 2ohm @ 50mA，5v 1.2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
STS3C2F100 STMicroelectronics STS3C2F100 -
RFQ
 ECAD 9169 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS3C2 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 3a 145MOHM @ 1.5A，10V 2V @ 250µA 20NC @ 10V 460pf @ 25V 逻辑级别门
AUIRF7316Q Infineon Technologies AUIRF7316Q -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7316 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001522678 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 30V - 58MOHM @ 4.9A，10V 3V @ 250µA 34NC @ 10V 710pf @ 25V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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