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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SI4906DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4906DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9113 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4906 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 6.6a 39mohm @ 5a，10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 625pf @ 20V -
FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies FF2MR12KM1HOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF2MR12 MOSFET （金属 o化物） - AG-62mm 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 500A（TC） 2.13MOHM @ 500A，15V 5.15V @ 224mA 1340nc @ 15V 39700pf @ 800V -
DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-7 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT3020 MOSFET （金属 o化物） 700MW U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7.7a 20mohm @ 9a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
PSMN6R1-40HLX Nexperia USA Inc. PSMN6R1-40HLX 1.8800
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN6R1 MOSFET （金属 o化物） 64W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a（ta） 6.1MOHM @ 10a，10v 2.1V @ 1mA 22.2nc @ 5V 3000pf @ 25V 逻辑级别门
FDC6305N onsemi FDC6305N 0.6600
RFQ
 ECAD 3012 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6305 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 2.7a 80Mohm @ 2.7a，4.5V 1.5V @ 250µA 5NC @ 4.5V 310pf @ 10V -
FDBL86210 Fairchild Semiconductor FDBL86210 -
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDBL862 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,000 -
ECH8655R-R-TL-H onsemi ECH8655R-R-TL-H 0.2757
RFQ
 ECAD 1035 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 - 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8655 - - 8-ech - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
SP8M9TB Rohm Semiconductor SP8M9TB -
RFQ
 ECAD 3786 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M9 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 9a，5a 18mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 21nc @ 5V 1190pf @ 10V 逻辑级别门
SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6926 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.1a 30mohm @ 4.5A，4.5V 1V @ 250µA 10.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
FDC6312P onsemi FDC6312P 0.6800
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6312 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.3a 115MOHM @ 2.3a，4.5V 1.5V @ 250µA 7NC @ 4.5V 467pf @ 10V 逻辑级别门
PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor PAA12400BM3 882.3600
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 PN连接半导体 - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 PAA12400 （SIC） - 模块 下载 rohs3符合条件 到达受影响 4237-PAA12400BM3 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 350a 7.3MOHM @ 300A，20V 5V @ 100mA - 29.5pf @ 1000V -
BSS138DW-7 Diodes Incorporated BSS138DW-7 -
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 200mA 3.5OHM @ 220mA，10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V 逻辑级别门
FDMS3602S onsemi FDMS3602S -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3602 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 15a，26a 5.6mohm @ 15a，10v 3V @ 250µA 27nc @ 10V 1680pf @ 13V 逻辑级别门
DMC6070LND-13 Diodes Incorporated DMC6070LND-13 0.3045
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMC6070 MOSFET （金属 o化物） 1.4W PowerDI3333-8（UXB） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V 3.1a，2.4a 85MOHM @ 1.5A，10V 3V @ 250µA 11.5NC @ 10V 731pf @ 20V -
APTC60DSKM70T1G Microsemi Corporation APTC60DSKM70T1G -
RFQ
 ECAD 4912 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 频道（双重斩波器） 600V 39a 70mohm @ 39a，10v 3.9V @ 2.7mA 259nc @ 10V 700pf @ 25V 超交界处
NDH8502P Fairchild Semiconductor NDH8502P 0.5900
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 ECAD 53 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tsop （0.130英寸，3.30mm） NDH8502 MOSFET （金属 o化物） 800MW（TA） Supersot™-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2.2A（ta） 110MOHM @ 2.2a，10V 3V @ 250µA 14.5nc @ 10V 340pf @ 15V -
AON3816_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON3816_101 -
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 AON381 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-DFN （3x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共排水 20V - 22mohm @ 4A，4.5V 1.1V @ 250µA 13nc @ 4.5V 1100pf @ 10V 逻辑级别门
FW907-TL-E onsemi FW907-TL-E -
RFQ
 ECAD 2515 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） FW907 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-sop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 30V 10a，8a 17mohm @ 10a，10v - 17NC @ 10V 1000pf @ 10V 逻辑级别门
UPA1970TE-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA1970TE-T1-AT 0.2366
RFQ
 ECAD 9677 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 表面安装 SC-95-6 UPA1970 MOSFET （金属 o化物） 1.15W SC-95-6，迷你模具薄 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 2.2a 69mohm @ 1A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.3nc @ 4V 160pf @ 10V 逻辑级别门
BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies BSO615CGHUMA1 -
RFQ
 ECAD 8940 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO615 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 3.1a，2a 110MOHM @ 3.1A，10V 2V @ 20µA 22.5nc @ 10V 380pf @ 25V 逻辑级别门
STS5DNF20V STMicroelectronics STS5DNF20V -
RFQ
 ECAD 1675年 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS5D MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5a 40mohm @ 2.5a，4.5V 600mv @ 250µA 11.5NC @ 4.5V 460pf @ 25V 逻辑级别门
UT6KC5TCR Rohm Semiconductor UT6KC5TCR 1.6200
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 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerudfn UT6KC5 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） DFN2020-8D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 3.5A（ta） 95MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.1nc @ 10V 135pf @ 30V -
SQ4937EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_GE3 1.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4937 MOSFET （金属 o化物） 3.3W 8-SOIC 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5A（TC） 75MOHM @ 3.9a，10V 2.5V @ 250µA 15nc @ 10V 480pf @ 25V -
NVMFD5853NWFT1G onsemi NVMFD5853NWFT1G -
RFQ
 ECAD 5662 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5853 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 12a 10mohm @ 15a，10v 4V @ 250µA 24NC @ 10V 1225pf @ 25V 逻辑级别门
APTM120H140FT1G Microchip Technology APTM120H140FT1G 73.6800
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 ECAD 8821 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 208W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 8a 1.68OHM @ 7A，10V 5V @ 1mA 145nc @ 10V 3812pf @ 25V -
CAB530M12BM3 Wolfspeed, Inc. CAB530M12BM3 945.9100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB530 （SIC） - 模块 下载 Rohs不合规 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n通道 1200V（1.2kV） 530a 3.55MOHM @ 530a，15v 3.6V @ 140mA 1362NC @ 4V 39600pf @ 800V -
IRF7379TRPBF Infineon Technologies IRF7379TRPBF -
RFQ
 ECAD 7519 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF737 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V -
TSM2537CQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM2537CQ 0.5543
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 ECAD 8608 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 TSM2537 MOSFET （金属 o化物） 6.25W 6-TDFN （2x2） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM2537CQTR Ear99 8541.29.0095 12,000 n和p通道 20V 11.6A（TC），9a （TC） 30mohm @ 6.4a，4.5V，55mohm @ 5a，4.5V 1V @ 250µA 9.1NC @ 4.5V，9.8NC @ 4.5V 677pf @ 10V，744pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
IRF7756TRPBF Infineon Technologies IRF7756TRPBF -
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a，4.5V 900mv @ 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
DMC4050SSD-13 Diodes Incorporated DMC4050SSD-13 0.6500
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4050 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 5.3a 45mohm @ 3a，10v 1.8V @ 250µA 37.56NC @ 10V 1790.8pf @ 20v 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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