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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
STS5DNF20V STMicroelectronics STS5DNF20V -
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 ECAD 1675年 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS5D MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5a 40mohm @ 2.5a，4.5V 600mv @ 250µA 11.5NC @ 4.5V 460pf @ 25V 逻辑级别门
UT6KC5TCR Rohm Semiconductor UT6KC5TCR 1.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerudfn UT6KC5 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） DFN2020-8D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 3.5A（ta） 95MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.1nc @ 10V 135pf @ 30V -
SQ4937EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_GE3 1.2300
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 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4937 MOSFET （金属 o化物） 3.3W 8-SOIC 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5A（TC） 75MOHM @ 3.9a，10V 2.5V @ 250µA 15nc @ 10V 480pf @ 25V -
NVMFD5853NWFT1G onsemi NVMFD5853NWFT1G -
RFQ
 ECAD 5662 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5853 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 12a 10mohm @ 15a，10v 4V @ 250µA 24NC @ 10V 1225pf @ 25V 逻辑级别门
APTM120H140FT1G Microchip Technology APTM120H140FT1G 73.6800
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 ECAD 8821 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 208W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 8a 1.68OHM @ 7A，10V 5V @ 1mA 145nc @ 10V 3812pf @ 25V -
CAB530M12BM3 Wolfspeed, Inc. CAB530M12BM3 945.9100
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 ECAD 7 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB530 （SIC） - 模块 下载 Rohs不合规 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n通道 1200V（1.2kV） 530a 3.55MOHM @ 530a，15v 3.6V @ 140mA 1362NC @ 4V 39600pf @ 800V -
IRF7379TRPBF Infineon Technologies IRF7379TRPBF -
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 ECAD 7519 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF737 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V -
TSM2537CQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM2537CQ 0.5543
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 ECAD 8608 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 TSM2537 MOSFET （金属 o化物） 6.25W 6-TDFN （2x2） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM2537CQTR Ear99 8541.29.0095 12,000 n和p通道 20V 11.6A（TC），9a （TC） 30mohm @ 6.4a，4.5V，55mohm @ 5a，4.5V 1V @ 250µA 9.1NC @ 4.5V，9.8NC @ 4.5V 677pf @ 10V，744pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
IRF7756TRPBF Infineon Technologies IRF7756TRPBF -
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 ECAD 3741 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a，4.5V 900mv @ 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
DMC4050SSD-13 Diodes Incorporated DMC4050SSD-13 0.6500
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 ECAD 45 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4050 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 5.3a 45mohm @ 3a，10v 1.8V @ 250µA 37.56NC @ 10V 1790.8pf @ 20v 逻辑级别门
MSCSM120VR1M31C1AG Microchip Technology MSCSM120VR1M31C1AG 161.6500
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 ECAD 2747 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 395W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120VR1M31C1AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 89A（TC） 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 3mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
SH8K32TB1 Rohm Semiconductor SH8K32TB1 1.7000
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 ECAD 10 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K32 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOP（5.0x6.0） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 4.5a 65mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 10NC @ 5V 500pf @ 10V 逻辑级别门
APTM10DHM09TG Microsemi Corporation APTM10DHM09TG -
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 ECAD 3898 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 390W SP4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 139a 10mohm @ 69.5a，10v 4V @ 2.5mA 350NC @ 10V 9875pf @ 25V -
AON6971 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6971 -
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 ECAD 4752 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn AON697 MOSFET （金属 o化物） 5W，4.1W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 23a，40a 5.7MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 23nc @ 10V 1010pf @ 15V 逻辑级别门
IRF7901D1 Infineon Technologies IRF7901D1 -
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 ECAD 7749 0.00000000 Infineon技术 Fetky™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7901 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF7901D1 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 6.2a 38mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 10.5NC @ 5V 780pf @ 16V 逻辑级别门
IRF7342PBF Infineon Technologies IRF7342PBF -
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 ECAD 6799 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF734 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001571984 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 55V 3.4a 105MOHM @ 3.4A，10V 1V @ 250µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V 逻辑级别门
SIA915DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA915DJ-T4-GE3 -
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 ECAD 4122 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA915 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（ta），6.5W（TC） POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 3.7A（TA），4.5A（TC） 87MOHM @ 2.9a，10V 2.2V @ 250µA 9NC @ 10V 275pf @ 15V -
NTMFD5C446NLT1G onsemi NTMFD5C446NLT1G 6.3100
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 ECAD 5545 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3.5W（TA），125W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V （25a）（TA），145a tc（TC） 2.65MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 90µA 54NC @ 10V 3170pf @ 25V -
UPA1873GR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1873GR-9JG-E1-A 0.3467
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 ECAD 9202 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） UPA1873 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 6a 23mohm @ 3a，4.5V 1.5V @ 1mA 9NC @ 4V 705pf @ 10V 逻辑级别门
FDMS3604S onsemi FDMS3604S 1.4500
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 ECAD 7532 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3604 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 13a，23a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1785pf @ 15V 逻辑级别门
DF11MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1PB11BPSA1 -
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 ECAD 3849 0.00000000 Infineon技术 EasyPack™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 DF11MR12 （SIC） 20mw Ag-Easy1b-2 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 30 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 50a（TJ） 22.5mohm @ 50a，15v 5.55V @ 20mA 124nc @ 15V 3680pf @ 800V -
DMN2215UDM-7 Diodes Incorporated DMN2215UDM-7 0.5600
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 ECAD 7 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMN2215 MOSFET （金属 o化物） 650MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 2a 100mohm @ 2.5a，4.5V 1V @ 250µA - 188pf @ 10V 逻辑级别门
SI4804CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4804CDY-T1-E3 -
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 ECAD 3564 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4804 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 22mohm @ 7.5a，10v 2.4V @ 250µA 23nc @ 10V 865pf @ 15V -
SP8M8TB Rohm Semiconductor SP8M8TB -
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 ECAD 7833 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M8 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6a，4.5a 30mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 7.2nc @ 5V 520pf @ 10V 逻辑级别门
CSD75204W15 Texas Instruments CSD75204W15 -
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 ECAD 1422 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-Ufbga，DSBGA CSD75204 MOSFET （金属 o化物） 700MW 9-DSBGA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） - 3a - 900mv @ 250µA 3.9nc @ 4.5V 410pf @ 10V 逻辑级别门
2SJ172-E Renesas Electronics America Inc 2SJ172-E 2.8300
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 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SJ172 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
FDS4885C onsemi FDS4885C -
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 ECAD 3654 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS48 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 7.5a，6a 22mohm @ 7.5a，10v 5V @ 250µA 21NC @ 10V 900pf @ 20V -
FDMD8430 onsemi FDMD8430 -
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 ECAD 7308 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMD84 MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TA），29W（tc） 8-pqfn（3.3x5） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共来源 30V 28a（28A），95A（tc） 2.12MOHM @ 28A，10V 3V @ 250µA 90NC @ 10V 5035pf @ 15V -
FW257-TL-E Sanyo FW257-TL-E 0.5600
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 ECAD 4 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FW257 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
TPC8223-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8223-H，LQ（s -
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 ECAD 5007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPC8223 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 9a 17mohm @ 4.5A，10V 2.3V @ 100µA 17NC @ 10V 1190pf @ 10V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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