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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDC6320C onsemi FDC6320C -
RFQ
 ECAD 6101 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6320 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 25V 220mA，120mA 4ohm @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V 逻辑级别门
DMN3035LWN-13 Diodes Incorporated DMN3035LWN-13 0.1503
RFQ
 ECAD 9647 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMN3035 MOSFET （金属 o化物） V-DFN3020-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 5.5A（ta） 35MOHM @ 4.8A，10V 2V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 399pf @ 15V -
ALD114904APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904APAL 6.8234
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD114904 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1061 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 3.6V 380mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
SP8M24FRATB Rohm Semiconductor SP8M24FRATB 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M24 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 45V 4.5A（ta），3.5a（ta） 46mohm @ 4.5a，10v，63mohm @ 3.5a，10v 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5v，18.2nc @ 5v 550pf @ 10V，1700pf @ 10V -
CSD87501L Texas Instruments CSD87501L 1.0000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-xflga CSD87501 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 10 picostar（3.37x1.47） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 2.3V @ 250µA 40NC @ 10V - 逻辑级别门
NTMFD4901NFT3G onsemi NTMFD4901NFT3G -
RFQ
 ECAD 7416 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD4901 MOSFET （金属 o化物） 1.1W，1.2W 8-dfn（5x6）（SO8FL二偶有型号） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双），肖特基 30V 10.3a，17.9a 6.5MOHM @ 10a，10v 2.2V @ 250µA 9.7nc @ 4.5V 1150pf @ 15V 逻辑级别门
NTLTD7900ZR2 onsemi NTLTD7900ZR2 0.2100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 NTLTD79 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
SP8J2TB Rohm Semiconductor SP8J2TB 1.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 * （CT） 积极的 SP8J2 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 -
ALD210804SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210804SCL 5.7256
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD210804 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7 0.5200
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2014 MOSFET （金属 o化物） 800MW U-DFN2030-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 9a 13mohm @ 4A，4.5V 1.1V @ 250µA 16nc @ 4.5V 1550pf @ 10V 逻辑级别门
IRL6372TRPBF Infineon Technologies IRL6372TRPBF 0.9900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRL6372 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 8.1a 17.9mohm @ 8.1a，4.5V 1.1V @ 10µA 11NC @ 4.5V 1020pf @ 25V 逻辑级别门
HUFA76407DK8TF085P onsemi HUFA76407DK8TF085P -
RFQ
 ECAD 8218 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76407 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-HUFA76407DK8TF085PTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.8A（TA） 90MOHM @ 3.8A，10V 3V @ 250µA - 330pf @ 25V 逻辑级别门
ALD114804PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804PCL 6.9740
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD114804 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1055 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 3.6V 360mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
DMC2450UV-7 Diodes Incorporated DMC2450UV-7 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMC2450 MOSFET （金属 o化物） 450MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 1.03a，700mA 480MOHM @ 200MA，5V 900mv @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 37.1pf @ 10V -
SQ9945AEY-T1-E3 Vishay Siliconix SQ9945AEY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ9945 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.7a 80Mohm @ 3.7A，10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 逻辑级别门
SQ4949EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4949EY-T1_GE3 1.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4949 MOSFET （金属 o化物） 3.3W 8-SOIC 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 7.5A（TC） 35mohm @ 5.9a，10v 2.5V @ 250µA 30nc @ 10V 1020pf @ 25V -
APTM50H10FT3G Microchip Technology APTM50H10FT3G 119.5500
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 312W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 37a 120mohm @ 18.5a，10v 5V @ 1mA 96NC @ 10V 4367pf @ 25V -
CAS480M12HM3 Wolfspeed, Inc. CAS480M12HM3 2.0000
RFQ
 ECAD 6957 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAS480 （SIC） - 模块 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 640a（TC） 2.97mohm @ 480a，15v 3.6V @ 160mA 1590nc @ 15V 43100pf @ 800V -
DMC1030UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1030UFDB-13 0.1276
RFQ
 ECAD 7174 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC1030 MOSFET （金属 o化物） 1.36W（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道互补 12V 5.1a（ta），3.9a（ta） 34mohm @ 4.6A，4.5V，59MOHM @ 3.6A，4.5V 1V @ 250µA 12.2nc @ 4.5V，13nc @ 4.5V 1003pf @ 6v，1028pf @ 6v -
IRF7379PBF Infineon Technologies IRF7379pbf -
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF737 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001555260 Ear99 8541.29.0095 95 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V -
SQJ202EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ202EP-T1_GE3 1.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ202 MOSFET （金属 o化物） 27W，48W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 12V 20a，60a 6.5MOHM @ 15a，10v 2V @ 250µA 22nc @ 10V 975pf @ 6V -
SI4226DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4226DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2590 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4226 MOSFET （金属 o化物） 3.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 25V 8a 19.5mohm @ 7a，4.5V 2V @ 250µA 36NC @ 10V 1255pf @ 15V -
DMC4029SSD-13 Diodes Incorporated DMC4029SSD-13 0.2893
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4029 MOSFET （金属 o化物） 1.8W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V （9A）（6.5A）（6.5A） 24mohm @ 6a，10v，45mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5V，10.6NC @ 4.5V 1060pf @ 20v，1154pf @ 20V -
FDC6318P onsemi FDC6318P 0.8900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6318 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.5a 90MOHM @ 2.5A，4.5V 1.5V @ 250µA 8NC @ 4.5V 455pf @ 6V 逻辑级别门
IRF7306TRPBF Infineon Technologies IRF7306TRPBF 1.1200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 3.6a 100mohm @ 1.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 440pf @ 25V 逻辑级别门
CSD87381PT Texas Instruments CSD87381PT 1.1100
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 5-lga CSD87381 MOSFET （金属 o化物） 4W 5-PTAB（（（（（（（（（（ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 2 n 通道（半桥） 30V 15a 16.3mohm @ 8a，8v 1.9V @ 250µA 5NC @ 4.5V 564pf @ 15V 逻辑级别门
TC8020K6-G-M937 Microchip Technology TC8020K6-G-M937 8.4000
RFQ
 ECAD 5476 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 56-VFQFN暴露垫 TC8020 MOSFET （金属 o化物） - 56-qfn （8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 6n和6p通道 200V - 8ohm @ 1A，10V 2.4V @ 1mA - 50pf @ 25V -
IRF7905PBF Infineon Technologies IRF7905pbf -
RFQ
 ECAD 8655 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7905 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001560078 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 7.8a，8.9a 21.8mohm @ 7.8A，10V 2.25V @ 25µA 6.9nc @ 4.5V 600pf @ 15V 逻辑级别门
DMC3035LSD-13 Diodes Incorporated DMC3035LSD-13 -
RFQ
 ECAD 3488 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC3035 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6.9a，5a 35mohm @ 6.9a，10v 2.1V @ 250µA 8.6nc @ 10V 384pf @ 15V 逻辑级别门
FDS6994S onsemi FDS6994S -
RFQ
 ECAD 8455 0.00000000 Onmi PoterTrench®，SyncFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6.9a，8.2a 21mohm @ 6.9a，10v 3V @ 250µA 12nc @ 5V 800pf @ 15V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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