- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTJD4401NT2G | - |  | 5576 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | NTJD4401 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 630mA | 375MOHM @ 630mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 3NC @ 4.5V | 46pf @ 20V | 逻辑级别门 | |||
 | NVMFD5C680NLT1G | 1.7500 | | 8997 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | 3W（TA），19w（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 7.5a（ta），26a（tc） | 28mohm @ 5a，10v | 2.2V @ 13µA | 2NC @ 4.5V | 350pf @ 25V | - | ||
| FDG6317NZ | 0.4600 | | 6666 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FDG6317 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-88 （SC-70-6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 700mA | 400mohm @ 700mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.1NC @ 4.5V | 66.5pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | FDS6911 | - | | 7984 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS69 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | 7.5a | 13mohm @ 7.5a，10v | 3V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1130pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | BSD235NH6327XTSA1 | 0.4200 | | 21 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™2 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | BSD235 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | PG-SOT363-PO | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 950mA | 350MOHM @ 950mA，4.5V | 1.2V @ 1.6µA | 0.32NC @ 4.5V | 63pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | IRF7316PBF | - | | 7164 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF731 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001559786 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2（p 通道（双） | 30V | 4.9a | 58MOHM @ 4.9A，10V | 1V @ 250µA | 34NC @ 10V | 710pf @ 25V | 逻辑级别门 | |
 | APTC60TAM21SCTPAG | 533.2133 | | 8148 | 0.00000000 | 微芯片技术 | coolmos™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 625W | sp6-p | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 600V | 116a | 21mohm @ 88a，10v | 3.6V @ 6mA | 580NC @ 10V | 13000pf @ 100V | - | ||
| 2SK3744-TL-E | 1.4600 | | 7 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | 2SK3744 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1,500 | - | |||||||||||||||
 | EFC4627R-Tr | 0.4300 | | 4 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 4-SMD，没有铅 | EFC4627 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 4-EFCP（1.01x1.01） | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | - | - | - | - | 13.4NC @ 4.5V | - | 逻辑水平门，2.5V | ||
| SIA923EDJ-T4-GE3 | 0.6400 | | 3771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA923 | MOSFET （金属 o化物） | 1.9W（ta），7.8W（TC） | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 4.5a（ta），4.5a tc） | 54mohm @ 3.8A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 25nc @ 8v | - | - | |||
 | 2N7002DW-7-F | 0.3400 | | 213 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 310MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 230mA | 7.5OHM @ 50mA，5V | 2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||
 | TPIC1502DW | - | | 1602 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | TPIC15 | MOSFET （金属 o化物） | 2.86W | 24-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | 20V | 1.5a | 300MOHM @ 1.5A，10V | 2.2V @ 1mA | 2.1nc @ 10V | 98pf @ 14V | 逻辑级别门 | ||
 | 2N7002V-TP | 0.4300 | | 9886 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 280mA | 2ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||
 | MMDF1N05ER2G | - | | 3571 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MMDF1 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 50V | 2a | 300MOHM @ 1.5A，10V | 3V @ 250µA | 12.5nc @ 10V | 330pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||
| NTL4502NT1 | - | | 6161 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 16-PowerQfn | NTL450 | MOSFET （金属 o化物） | 1.7W | 16 QFN-FBIP（10.5x10.5） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 4（n n 通道（半桥） | 24V | 11.4a | 11mohm @ 15a，10v | 2V @ 250µA | 13nc @ 4.5V | 1605pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | FX50SMJ-2 ＃B00 | 8.2700 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | FX50SMJ | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | PMDXB1200UPEZ | 0.4000 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | PMDXB1200 | MOSFET （金属 o化物） | 285MW | DFN1010B-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 410mA | 1.4OHM @ 410mA，4.5V | 950mv @ 250µA | 1.2nc @ 4.5V | 43.2pf @ 15V | - | ||
| IRF8910GTRPBF | - | | 3321 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF89 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 10a | 13.4mohm @ 10a，10v | 2.55V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | 960pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | CPH5616-TL-E | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | CPH5616 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||
 | SI1036X-T1-GE3 | 0.4200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1036 | MOSFET （金属 o化物） | 220MW | SC-89-6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 610ma（ta） | 540MOHM @ 500mA，4.5V | 1V @ 250µA | 1.2nc @ 4.5V | 36pf @ 15V | - | |||
| IRF7389TRPBF | 1.3500 | | 25 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF738 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | - | 29mohm @ 5.8A，10V | 1V @ 250µA | 33nc @ 10V | 650pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | SI1553DL-T1-E3 | - | | 4161 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1553 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 660mA，410mA | 385MOHM @ 660mA，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 1.2nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | EFC6602R-Tr | - | | 7678 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-XFBGA，FCBGA | EFC6602 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | EFCP2718-6CE-020 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | - | - | - | - | 55nc @ 4.5V | - | 逻辑水平门，2.5V | ||
 | UT6JA2TCR | 0.8300 | | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-Powerudfn | UT6JA2 | - | 2W | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 4a | 70MOHM @ 4A，10V | 2.5V @ 1mA | 6.7nc @ 10V | 305pf @ 15V | - | ||
| SI1023X-T1-GE3 | 0.4400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1023 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SC-89（SOT-563F） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 370mA | 1.2OHM @ 350mA，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 1.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | PJL9801_R2_00001 | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | PJL9801 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJL9801_R2_001DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 5A（5A） | 54mohm @ 5A，10V | 1.3V @ 250µA | 9.1nc @ 4.5V | 816pf @ 15V | - | |
 | SI4830CDY-T1-E3 | - | | 5772 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4830 | MOSFET （金属 o化物） | 2.9W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 8a | 20mohm @ 8a，10v | 3V @ 1mA | 25nc @ 10V | 950pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
| IRFR21496 | 0.3200 | | 993 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | IRFR214 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 993 | - | ||||||||||||||
 | FDW2501NZ | - | | 8759 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW25 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3 | 2 n 通道（双） | 20V | 5.5a | 18mohm @ 5.5a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1286pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
 | IRF7751 | - | | 3828 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | IRF775 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 2（p 通道（双） | 30V | 4.5a | 35MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 44NC @ 10V | 1464pf @ 25V | 逻辑级别门 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）