SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
IRF9362PBF Infineon Technologies IRF9362PBF -
RFQ
 ECAD 4953 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF9362 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001566534 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 30V 8a 21mohm @ 8a，10v 2.4V @ 25µA 39nc @ 10V 1300pf @ 25V 逻辑级别门
AONP36320 Alpha & Omega Semiconductor Inc. aonp36320 0.4240
RFQ
 ECAD 1639年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn aonp363 MOSFET （金属 o化物） 3.3W（TA），50W（TC） 8-DFN-EP（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AONP36320TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 30V 26a（26a）（100a tc）（100a tc），27a ta（27a ta），103a tc（TC）（TC） 3.2MOHM @ 20A，10V，3MOHM @ 20A，10V 2.1V @ 250µA 40NC @ 10V 1700pf @ 15V，1650pf @ 15V 标准
ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TA 1.1400
RFQ
 ECAD 514 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMN3 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 2 n 通道（双） 30V 4.9a 35mohm @ 9a，10v 1V @ 250µA（250µA） 17.5nc @ 10V 796pf @ 25V 逻辑级别门
SI1965DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1965DH-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 8643 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1965 MOSFET （金属 o化物） 1.25W SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 1.3a 390MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 250µA 4.2nc @ 8V 120pf @ 6V 逻辑级别门
VT6J1T2CR Rohm Semiconductor VT6J1T2CR 0.0832
RFQ
 ECAD 1938年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 VT6J1 MOSFET （金属 o化物） 120MW VMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2（p 通道（双） 20V 100mA 3.8OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 100µA - 15pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1 0.3700
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 BSD840 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 880mA 400MOHM @ 880mA，2.5V 750mv @ 1.6µA 0.26NC @ 2.5V 78pf @ 10V 逻辑级别门
SQJ914EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ914EP-T1_BE3 1.3000
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ914 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） 742-SQJ914EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 12MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 25nc @ 10V 1110pf @ 15V -
RF1S30P06 Harris Corporation RF1S30P06 -
RFQ
 ECAD 1602 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RF1 - - Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 -
APTC90TAM60TPG Microsemi Corporation APTC90TAM60TPG -
RFQ
 ECAD 3062 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTC90 MOSFET （金属 o化物） 462W sp6-p - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 6 n通道（3相桥） 900V 59a 60mohm @ 52a，10v 3.5V @ 6mA 540NC @ 10V 13600pf @ 100V 超交界处
IRF7303TRPBF Infineon Technologies IRF7303TRPBF 1.0200
RFQ
 ECAD 6101 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 4.9a 50mohm @ 2.4a，10v 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V -
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKDCU6 RFG 0.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TSM2N7002 MOSFET （金属 o化物） 240MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 220mA（ta） 2.5Ohm @ 220mA，10v 2.5V @ 250µA 0.91NC @ 4.5V 30pf @ 30V 逻辑级别门
2N7002V-7 Diodes Incorporated 2N7002V-7 -
RFQ
 ECAD 5159 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 280mA 7.5OHM @ 50mA，5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V -
GMM3X100-01X1-SMD IXYS GMM3X100-01X1-SMD -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 24-smd，海鸥翼 GMM3x100 MOSFET （金属 o化物） - 24-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 6 n通道（3相桥） 100V 90a - 4.5V @ 1mA 90NC @ 10V - -
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage tpcf8402（te85l，f，m -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8402 MOSFET （金属 o化物） 330MW VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 30V 4a，3.2a 50MOHM @ 2A，10V 2V @ 1mA 10NC @ 10V 470pf @ 10V 逻辑级别门
DMN2053UVTQ-13 Diodes Incorporated DMN2053UVTQ-13 0.0896
RFQ
 ECAD 2060 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2053 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 到达不受影响 31-DMN2053UVTQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 4.6a（ta） 35mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5V 369pf @ 10V -
ZDM4206NTC Diodes Incorporated ZDM4206NTC -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-223-8 ZDM4206N MOSFET （金属 o化物） 2.75W SM8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 1a 1欧姆 @ 1.5A，10V 3V @ 1mA - 100pf @ 25V 逻辑级别门
NTUD3169CZT5G onsemi NTUD3169CZT5G 0.5500
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 NTUD3169 MOSFET （金属 o化物） 125MW SOT-963 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n和p通道 20V 220mA，200mA 1.5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA - 12.5pf @ 15V 逻辑级别门
SI5980DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5980DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 Vishay Siliconix - （CT） 过时的 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5980 MOSFET （金属 o化物） 7.8W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 2.5a 567MOHM @ 400mA，10V 4V @ 250µA 3.3nc @ 10V 78pf @ 50V -
EFC6602R-TR onsemi EFC6602R-Tr -
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，FCBGA EFC6602 MOSFET （金属 o化物） 2W EFCP2718-6CE-020 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） - - - - 55nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL215CH6327XTSA1 0.6600
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL215 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 1.5a 140MOHM @ 1.5A，4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.73NC @ 4.5V 143pf @ 10V 逻辑水平门，2.5V
AO4812L_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4812L_101 -
RFQ
 ECAD 1678年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 6.3nc @ 10V 310pf @ 15V -
EM6K7T2R Rohm Semiconductor EM6K7T2R 0.5400
RFQ
 ECAD 589 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6K7 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 200mA 1.2OHM @ 200mA，2.5V 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 逻辑级别门
NXH010P90MNF1PG onsemi NXH010P90MNF1PG -
RFQ
 ECAD 3288 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH010 （SIC） 328W（TJ） - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH010P90MNF1PG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双）公共来源 900V 154a（TC） 14mohm @ 100a，15v 4.3V @ 40mA 546.4NC @ 15V 7007pf @ 450V -
SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SQ1912 MOSFET （金属 o化物） 1.5W SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 800mA（TC） 280MOHM @ 1.2A，4.5V 1.5V @ 250µA 1.15NC @ 4.5V 75pf @ 10V -
SP8M24FRATB Rohm Semiconductor SP8M24FRATB 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M24 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 45V 4.5A（ta），3.5a（ta） 46mohm @ 4.5a，10v，63mohm @ 3.5a，10v 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5v，18.2nc @ 5v 550pf @ 10V，1700pf @ 10V -
DMN3035LWN-13 Diodes Incorporated DMN3035LWN-13 0.1503
RFQ
 ECAD 9647 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMN3035 MOSFET （金属 o化物） V-DFN3020-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 5.5A（ta） 35MOHM @ 4.8A，10V 2V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 399pf @ 15V -
FDMS3664S onsemi FDMS3664S 1.6800
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3664 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 13a，25a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1765pf @ 15V 逻辑级别门
FDB3652SB82059 Fairchild Semiconductor FDB3652SB82059 2.6000
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDB3652 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
ALD114904APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904APAL 6.8234
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD114904 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1061 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 3.6V 380mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
MMDF1N05ER2 onsemi MMDF1N05ER2 -
RFQ
 ECAD 2786 0.00000000 Onmi - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MMDF1 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 50V 2a 300MOHM @ 1.5A，10V 3V @ 250µA 12.5nc @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭