SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDS6930A Fairchild Semiconductor FDS6930A 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6930 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 946 2 n 通道（双） 30V 5.5a 40mohm @ 5.5a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 5V 460pf @ 15V 逻辑级别门
IRF8852TRPBF Infineon Technologies IRF8852TRPBF -
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF8852 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 25V 7.8a 11.3MOHM @ 7.8A，10V 2.35V @ 25µA 9.5NC @ 4.5V 1151pf @ 20V 逻辑级别门
ZXMD63P02XTA Diodes Incorporated ZXMD63P02XTA -
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） ZXMD63 MOSFET （金属 o化物） 1.04W 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2（p 通道（双） 20V - 270MOHM @ 1.2A，4.5V 700mv @ 250µA（250µA）） 5.25nc @ 4.5V 290pf @ 15V 逻辑级别门
CBB021M12FM3 Wolfspeed, Inc. CBB021M12FM3 175.5500
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CBB021 （SIC） 10MW - 下载 （1 （无限） 1697-CBB021M12FM3 Ear99 8541.29.0095 18 （4 n 通道（全桥） 1200V 105A（TJ） 14mohm @ 100a，15v 3.6V @ 35mA 324NC @ 15V 10300pf @ 800V -
PMN42XPEA,125 Nexperia USA Inc. PMN42XPEA，125 -
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMN42 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
BSO615N Infineon Technologies BSO615N -
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO615 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 Rohs不合规 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 2.6a 150MOHM @ 2.6a，4.5V 2V @ 20µA 20NC @ 10V 380pf @ 25V 逻辑级别门
IRF8915PBF International Rectifier IRF8915pbf 0.2000
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 355 2 n 通道（双） 20V 8.9a 18.3mohm @ 8.9a，10v 2.5V @ 250µA 7.4NC @ 4.5V 540pf @ 10V 逻辑级别门
SP8M6FU6TB Rohm Semiconductor SP8M6FU6TB -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5a，3.5a 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7752TR Infineon Technologies IRF7752Tr -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 4.6a 30mohm @ 4.6A，10V 2V @ 250µA 9NC @ 4.5V 861pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7379QTRPBF Infineon Technologies IRF7379QTRPBF -
RFQ
 ECAD 1096 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF737 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V 逻辑级别门
AUIRF9952QTR Infineon Technologies AUIRF9952QTR -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF9952 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001517940 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 3.5a，2.3a 100mohm @ 2.2a，10v 3V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
AO4812L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4812L -
RFQ
 ECAD 5559 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 6.3nc @ 10V 310pf @ 15V -
EFC4618R-TR onsemi EFC4618R-Tr -
RFQ
 ECAD 3776 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，FCBGA EFC4618 MOSFET （金属 o化物） 1.6W EFCP1818-4CC-037 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） - - - - - - -
BSO303PHXUMA1 Infineon Technologies BSO303Phxuma1 -
RFQ
 ECAD 4185 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO303 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 7a 21mohm @ 8.2a，10v 2V @ 100µA 49nc @ 10V 2678pf @ 25V 逻辑级别门
AUIRF7313QTR Infineon Technologies AUIRF7313QTR 2.4100
RFQ
 ECAD 9744 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7313 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 6.9a 29mohm @ 6.9a，10V 3V @ 250µA 33nc @ 10V 755pf @ 25V 逻辑级别门
HUFA76413DK8T-F085 onsemi HUFA76413DK8T-F085 -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76413 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5.1a 49mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V 逻辑级别门
BUK7K6R2-40E/1X Nexperia USA Inc. BUK7K6R2-40E/1X -
RFQ
 ECAD 6700 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k6 68W（TA） LFPAK56D - 1727-BUK7K6R2-40E/1X Ear99 8541.29.0095 1 40V 40a（ta） 5.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 32.3nc @ 10V 2210pf @ 25V 标准
DMC3730UVT-13 Diodes Incorporated DMC3730UVT-13 0.0927
RFQ
 ECAD 8239 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC3730 MOSFET （金属 o化物） 700MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 25V 680ma（ta，460ma（ta） 450MOHM @ 500mA，4.5V，1.1OHM @ 500mA，4.5V 1.1V @ 250µA 1.64NC @ 4.5V，1.1NC @ 4.5V 50pf @ 10V，63pf @ 10V -
SI3586DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3586DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3586 MOSFET （金属 o化物） 830MW 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2.9a，2.1a 60mohm @ 3.4a，4.5V 1.1V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMC3061SVT-7 Diodes Incorporated DMC3061SVT-7 -
RFQ
 ECAD 7486 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC3061 MOSFET （金属 o化物） 880MW TSOT-23-6 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC3061SVT-7DI Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 3.4a（ta），2.7a（2.7a）（ta） 60mohm @ 3.1a，10v，95mohm @ 2.7a，10v 1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA 6.6nc @ 10V，6.8NC @ 10V 278pf @ 15V，287pf @ 15V -
DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT10H032LFJ-13 0.4767
RFQ
 ECAD 3037 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-Powervdfn DMHT10 MOSFET （金属 o化物） 900MW V-DFN5045-12（C型） 下载 到达不受影响 31-DMHT10H032LFJ-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 4（n n 通道（半桥） 100V 6a（6a） 33mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 11.9nc @ 10V 683pf @ 50V -
SI1539CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1539 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA），340MW（tc） SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 742-SI1539CDL-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 700mA（700mA ta），700mA tc），400mA（ta（500mA to），TC） 388MOHM @ 600mA，10v，890MOHM @ 400mA，10V 2.5V @ 250µA 1.5nc @ 10v，3nc @ 10v 28pf @ 15V，34pf @ 15V -
19MT050XF Vishay General Semiconductor - Diodes Division 19mt050xf -
RFQ
 ECAD 7178 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Hexfet® 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 16-MTP模块 19MT050 MOSFET （金属 o化物） 1140W 16-MTP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *19mt050xf Ear99 8541.29.0095 15 4（n n 通道（半桥） 500V 31a 220MOHM @ 19a，10v 6V @ 250µA 160NC @ 10V 7210pf @ 25V -
SI6544BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6544BDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6544 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 3.7a，3.8a 43MOHM @ 3.8A，10V 3V @ 250µA 15nc @ 10V - 逻辑级别门
NTZD3155CT5G onsemi NTZD3155CT5G -
RFQ
 ECAD 9126 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3155 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n和p通道 20V 540mA，430mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V 逻辑级别门
APTC60DHM24T3G Microchip Technology APTC60DHM24T3G 126.2000
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 462W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 600V 95a 24mohm @ 47.5A，10V 3.9V @ 5mA 300NC @ 10V 14400pf @ 25V 超交界处
SI5938DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5938DU-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5938 MOSFET （金属 o化物） 8.3W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 6a 39mohm @ 4.4A，4.5V 1V @ 250µA 16nc @ 8V 520pf @ 10V 逻辑级别门
ZXMHC3A01T8TA Diodes Incorporated ZXMHC3A01T8TA 1.7000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-223-8 ZXMHC3 MOSFET （金属 o化物） 1.3W SM8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2n和2p通道（半桥） 30V 2.7a，2a 120mohm @ 2.5a，10v 3V @ 250µA 3.9nc @ 10V 190pf @ 25V 逻辑级别门
DMP2110UVT-13 Diodes Incorporated DMP2110UVT-13 0.0817
RFQ
 ECAD 8647 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMP2110 MOSFET （金属 o化物） 740MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 1.8A（ta） 150MOHM @ 2.8a，4.5V 1V @ 250µA 6NC @ 4.5V 443pf @ 6V -
2SJ645-TL-E onsemi 2SJ645-TL-E 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SJ645 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 683 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭