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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
HS8K1TB Rohm Semiconductor HS8K1TB 0.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 HS8K1 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） HSML3030L10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 10a（10a），（11a ta） 14.6mohm @ 10a，10v，11.8mohm @ 11a，10v 2.5V @ 1mA 6NC @ 10V，7.4NC @ 10V 348pf @ 15V，429pf @ 15V -
SIZ260DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ260DT-T1-GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ260 MOSFET （金属 o化物） 4.3W（TA），33W（tc） 8-Powerpair®（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 80V 8.9a（ta），24.7a tc），8.9a ta（24.6a t tc）TC） 24.5MOHM @ 10a，10v，24.7MOHM @ 10A，10V 2.4V @ 250µA 27nc @ 10V 820pf @ 40V -
SIA907EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA907EDJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - - SIA907 - - - - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1 1.1200
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG16N10 MOSFET （金属 o化物） 29W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 100V 16a 61mohm @ 16a，10v 2.1V @ 90µA 11NC @ 10V 845pf @ 25V 逻辑级别门
BUK9K134-100EX Nexperia USA Inc. BUK9K134-100EX 1.0400
RFQ
 ECAD 2757 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K134 MOSFET （金属 o化物） 32W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 8.5a 159MOHM @ 5A，5V 2.1V @ 1mA 7.4NC @ 5V 755pf @ 25V 逻辑级别门
SQJ504EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_BE3 1.4600
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ504 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 40V 30A（TC） 7.5MOHM @ 8A，10V，17MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 250µA 30nc @ 10V，85nc @ 10V 1900pf @ 25V，4600pf @ 25V -
NTQD6866R2 onsemi NTQD6866R2 -
RFQ
 ECAD 2979 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） NTQD68 MOSFET （金属 o化物） 940MW 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 NTQD6866R2OS Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 4.7a 32MOHM @ 6.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 22nc @ 4.5V 1400pf @ 16V 逻辑级别门
IRF7103PBF Infineon Technologies IRF7103PBF -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF71 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 50V 3a 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 30nc @ 10V 290pf @ 25V -
SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 785 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA907 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5A（TC） 57MOHM @ 3.6A，4.5V 1.4V @ 250µA 23nc @ 10V - 逻辑级别门
MSCSM70AM025T6AG Microchip Technology MSCSM70AM025T6AG 630.0600
RFQ
 ECAD 2214 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1.882kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM025T6AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 700V 689a（TC） 3.2MOHM @ 240A，20V 2.4V @ 24mA 1290nc @ 20V 27000pf @ 700V -
BUK7K6R2-40EX Nexperia USA Inc. BUK7K6R2-40EX 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k6 MOSFET （金属 o化物） 68W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a 5.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 32.3nc @ 10V 2210pf @ 25V -
IRF7313PBF Infineon Technologies IRF7313PBF -
RFQ
 ECAD 8223 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF731 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001566122 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 6.5a 29mohm @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 33nc @ 10V 650pf @ 25V -
DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMN21D1UDA-7B 0.1017
RFQ
 ECAD 2687 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMN21 MOSFET （金属 o化物） 310MW X2-DFN0806-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 455ma（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.41NC @ 4.5V 31pf @ 15V -
ALD110800PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110800PCL 6.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD110800 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1018 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V - 500OHM @ 4V 20mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
IRF7331PBF Infineon Technologies IRF7331pbf -
RFQ
 ECAD 1272 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF733 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001577400 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 7a 30mohm @ 7A，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16V 逻辑级别门
AUIRFN8458TR Infineon Technologies AUIRFN8458TR 2.5300
RFQ
 ECAD 8841 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN AUIRFN8458 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） PQFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 40V 43A（TC） 10mohm @ 26a，10v 3.9V @ 25µA 33nc @ 10V 1060pf @ 25V -
ALD1115SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1115sal 3.6146
RFQ
 ECAD 3719 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD1115 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1045 Ear99 8541.21.0095 50 n和p通道互补 10.6V - 1800OHM @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5V -
MCQD09P04-TP Micro Commercial Co MCQD09P04-TP 0.9700
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCQD09 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TJ） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 8,000 2个p通道 40V 9A（TC） 23mohm @ 9a，10v 2.5V @ 250µA 75nc @ 10V 3302pf @ 30V 标准
IRFI4024H-117P Infineon Technologies IRFI4024H-117P -
RFQ
 ECAD 7629 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IRFI4024 MOSFET （金属 o化物） 14W TO-220-5 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 2 n 通道（双） 55V 11a 60mohm @ 7.7a​​，10v 4V @ 25µA 13nc @ 10V 320pf @ 50V -
UPA2383T1P-E1-A#YK1 Renesas Electronics America Inc UPA2383T1P-E1-A YK1 -
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 托盘 过时的 UPA2383 - - 559-UPA2383T1P-E1-A YK1 过时的 1 -
EPC2221 EPC EPC2221 2.6000
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 ECAD 9 0.00000000 EPC - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 死 EPC222 ganfet（n化岩） - 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0040 2,500 2 n 通道（双）公共来源 100V 5a - - - - -
BUK963R2-40B Nexperia USA Inc. BUK963R2-40B 1.0000
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 Buk963 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
VEC2315-TL-H onsemi VEC2315-TL-H -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 VEC2315 MOSFET （金属 o化物） 1W SOT-28FL/VEC8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 2.5a 137MOHM @ 1.5A，10V - 11NC @ 10V 420pf @ 20V 逻辑级别门
AO4882 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4882 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO488 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 8a 19mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 12nc @ 10V 415pf @ 20V 逻辑级别门
2N7002V-TP Micro Commercial Co 2N7002V-TP 0.4300
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 280mA 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V -
NTJD4158CT1G onsemi NTJD4158CT1G 0.4300
RFQ
 ECAD 6287 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4158 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 250mA，880mA 1.5OHM @ 10mA，4.5V 1.5V @ 100µA 1.5NC @ 5V 33pf @ 5V 逻辑级别门
FDZ1827NZ Fairchild Semiconductor FDZ1827NZ 0.1200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP FDZ1827 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 6-WLCSP（1.3x2.3） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双）公共排水 20V 10a（10a） 13mohm @ 1A，4.5V 1.2V @ 250µA 24NC @ 10V 2055pf @ 10V -
ECH8601M-TL-H onsemi ECH8601M-TL-H -
RFQ
 ECAD 3871 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8601 MOSFET （金属 o化物） 8-ech - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 24V 8a（8a） 23mohm @ 4A，4.5V 1.3V @ 1mA 7.5NC @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated DMN4027SSD-13 0.3350
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN4027 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.4a 27mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 12.9nc @ 10V 604pf @ 20V 逻辑级别门
FDMC8010A onsemi FDMC8010A -
RFQ
 ECAD 4452 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 FDMC8010 - - 不适用 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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