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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NTJD2152PT2 onsemi NTJD2152PT2 -
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD21 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 8V 775MA 300MOHM @ 570mA，4.5V 1V @ 250µA 4NC @ 4.5V 225pf @ 8V 逻辑级别门
SP8K31TB1 Rohm Semiconductor SP8K31TB1 -
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K31 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.5a 120MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 5.2nc @ 5V 250pf @ 10V 逻辑级别门
FDWS9420-F085 onsemi FDWS9420-F085 -
RFQ
 ECAD 9591 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDWS9 MOSFET （金属 o化物） 75W 8-pqfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 20A（TC） 5.8mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 43nc @ 10V 2100pf @ 20V -
HAT2292C-EL-E Renesas HAT2292C-EL-E 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 表面安装 6-SMD，平坦的铅 HAT2292 MOSFET （金属 o化物） - 6-cmfpak - Rohs不合规 供应商不确定 2156-HAT2292C-EL-E Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 1.5a 205mohm @ 1.5A，4.5V - - - -
NTJD4401NT1G onsemi NTJD4401NT1G 0.4700
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4401 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 630mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
SIA923EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA923EDJ-T4-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 3771 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA923 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（ta），7.8W（TC） POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a（ta），4.5a tc） 54mohm @ 3.8A，4.5V 1.4V @ 250µA 25nc @ 8v - -
FDMC0228 onsemi FDMC0228 -
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 FDMC02 - - 不适用 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 -
APTM10DHM09T3G Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G -
RFQ
 ECAD 1107 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMosv® 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 390W SP3 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 139a 10mohm @ 69.5a，10v 4V @ 2.5mA 350NC @ 10V 9875pf @ 25V -
2SK3744-TL-E Sanyo 2SK3744-TL-E 1.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SK3744 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 1,500 -
FDM2509NZ Fairchild Semiconductor FDM2509NZ 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 FDM2509 MOSFET （金属 o化物） 800MW Microfet 2x2薄 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 8.7a 18mohm @ 8.7a，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1200pf @ 10V 逻辑级别门
IRF5810TR Infineon Technologies IRF5810TR -
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 IRF58 MOSFET （金属 o化物） 960MW 6-TSOP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.9a 90MOHM @ 2.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 9.6nc @ 4.5V 650pf @ 16V 逻辑级别门
SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU，LXH 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N7002 MOSFET （金属 o化物） 285MW（TA） US6 下载 （1 （无限） 264-SSM6N7002KFULXHCT Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 300mA（TA） 1.5OHM @ 100mA，10V 2.1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 40pf @ 10V -
NDC7002N UMW NDC7002N 0.4100
RFQ
 ECAD 8309 0.00000000 UMW UMW 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 NDC7002 - 700MW（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 510mA（ta） 2ohm @ 510mA，10v 2.5V @ 250µA 1NC @ 10V 20pf @ 25V 标准
SI4966DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4966DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7920 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4966 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V - 25mohm @ 7.1a，4.5V 1.5V @ 250µA 50nc @ 4.5V - 逻辑级别门
CSD87333Q3DT Texas Instruments CSD87333Q3DT 1.5500
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN CSD87333Q3 MOSFET （金属 o化物） 6W 8-VSON（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 2 n 通道（双） 30V 15a 14.3MOHM @ 4A，8V 1.2V @ 250µA 4.6NC @ 4.5V 662pf @ 15V 逻辑水平门，5v驱动器
SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor SH8MA4TB1 1.2200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8MA4 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 9a（9A），8.5a ta（8.5a） 21.4mohm @ 9a，10v，29.6mohm @ 8.5a，10v 2.5V @ 1mA 15.5nc @ 10v，19.6nc @ 10V 640pf @ 15V，890pf @ 15V -
APTC80TA15PG Microchip Technology APTC80TA15PG 164.7513
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTC80 MOSFET （金属 o化物） 277W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 800V 28a 150mohm @ 14a，10v 3.9V @ 2mA 180nc @ 10V 4507pf @ 25V -
DMN62D0UDWQ-13 Diodes Incorporated DMN62D0UDWQ-13 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN62 MOSFET （金属 o化物） 320MW（TA） SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 60V 350mA（ta） 2ohm @ 100mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 32pf @ 30V -
CAB008A12GM3 Wolfspeed, Inc. CAB008A12GM3 327.0000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB008 （SIC） 10MW（TC） - 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 18 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 182a（TJ） 10.4mohm @ 150a，15v 3.6V @ 46mA 472nc @ 15V 13600pf @ 800V -
CSD75211W1723 Texas Instruments CSD75211W1723 -
RFQ
 ECAD 2799 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-ufbga，DSBGA CSD75211 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 12-DSBGA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a 40mohm @ 2a，4.5V 1.1V @ 250µA 5.9nc @ 4.5V 600pf @ 10V 逻辑级别门
FDMB2307NZ onsemi FDMB2307NZ 0.9400
RFQ
 ECAD 5961 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 FDMB2307 MOSFET （金属 o化物） 800MW 6-MLP（2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 FDMB2307NZFSTR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 28nc @ 5V - 逻辑级别门
SIA950DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA950 MOSFET （金属 o化物） 7W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 190V 950mA 3.8OHM @ 360mA，4.5V 1.4V @ 250µA 4.5NC @ 10V 90pf @ 100V 逻辑级别门
DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated DMG9926UDM-7 0.5100
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMG9926 MOSFET （金属 o化物） 980MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 4.2a 28mohm @ 8.2a，4.5V 900mv @ 250µA 8.3nc @ 4.5V 856pf @ 10V 逻辑级别门
FDG6301N_D87Z onsemi FDG6301N_D87Z -
RFQ
 ECAD 4763 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6301 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 25V 220mA 4ohm @ 220mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V 逻辑级别门
FDS6993 onsemi FDS6993 -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V，12V 4.3a，6.8a 55MOHM @ 4.3A，10V 3V @ 250µA 7.7nc @ 5V 530pf @ 15V 逻辑级别门
IRF7338PBF Infineon Technologies IRF7338PBF -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF733 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 n和p通道 12V 6.3a，3a 34mohm @ 6a，4.5V 1.5V @ 250µA 8.6nc @ 4.5V 640pf @ 9V 逻辑级别门
BSO330N02KGFUMA1 Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1 -
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO330N02 MOSFET （金属 o化物） 1.4W PG-DSO-8 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.4a 30mohm @ 6.5a，4.5V 1.2V @ 20µA 4.9nc @ 4.5V 730pf @ 10V 逻辑级别门
NDS8947 Fairchild Semiconductor NDS8947 0.9700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS894 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 4a 65MOHM @ 4A，10V 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 690pf @ 15V 逻辑级别门
FDS6898AZ onsemi FDS6898AZ 1.2600
RFQ
 ECAD 6214 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6898 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 9.4a 14mohm @ 9.4a，4.5V 1.5V @ 250µA 23nc @ 4.5V 1821pf @ 10V 逻辑级别门
APTM08TAM04PG Microchip Technology APTM08TAM04PG 152.3200
RFQ
 ECAD 9304 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM08 MOSFET （金属 o化物） 138W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 75V 120a 4.5mohm @ 60a，10v 4V @ 1mA 153nc @ 10V 4530pf @ 25V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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