SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NVMJD012N06CLTWG onsemi NVMJD012N06CLTWG 0.7134
RFQ
 ECAD 4638 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 NVMJD012 MOSFET （金属 o化物） 3.2W（ta），42W（（（（（（（（（） 8-lfpak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMJD012N06CLTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 11.5A（TA），42A （TC） 11.9mohm @ 25a，10v 2.2V @ 30µA 11.5NC @ 10V 792pf @ 25V -
IRF7389PBF International Rectifier IRF7389pbf 1.0000
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF738 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n和p通道 30V - 29mohm @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 33nc @ 10V 650pf @ 25V 逻辑级别门
APTM100TDU35PG Microsemi Corporation APTM100TDU35PG -
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 390W sp6-p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 1000V （1kV） 22a 420MOHM @ 11a，10v 5V @ 2.5mA 186nc @ 10V 5200pf @ 25V -
TSM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06DCR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM300 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA），40W（TC） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6a（6a），25a tc（25a）） 30mohm @ 6a，10v 4.5V @ 250µA 17NC @ 10V 1079pf @ 30V -
NTHD3100CT3G onsemi NTHD3100CT3G -
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD3100 MOSFET （金属 o化物） 1.1W chipfet™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 20V 2.9a，3.2a 80MOHM @ 2.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 165pf @ 10V 逻辑级别门
ALD310702SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310702SCL 6.0054
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD310702 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1291 Ear99 8541.21.0095 50 4个p通道，匹配对 8V - - 180MV @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2个p通道 50V 180mA（TA） 4ohm @ 150mA，10v 3V @ 250µA 530pc @ 10V 25.2pf @ 25V 标准
SCH1406-TL-E-ON onsemi SCH1406-TL-E-ON 0.0700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 SCH1406 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 4,438 -
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6N55 MOSFET （金属 o化物） 1W 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4a 46mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 2.5NC @ 4.5V 280pf @ 15V 逻辑级别门
UPA2379T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2379T1P-E1-A -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-xflga UPA2379 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 6-eflip-lga 2.17x1.47） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 20NC @ 4V - 逻辑水平门，2.5V
DMN53D0LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ-13 0.0927
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN53 MOSFET （金属 o化物） 400MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN53D0LDWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 50V 460mA ta） 1.6ohm @ 500mA，10v 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 10V 49.5pf @ 25V -
MCH3360-TL-E Sanyo MCH3360-TL-E 1.0000
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 MCH3360 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 3,000 -
2N7002BKS,115 Nexperia USA Inc. 2N7002BK，115 0.4400
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 295MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 300mA 1.6ohm @ 500mA，10v 2.1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
SI3905DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3905DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2157 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3905 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 8V - 125mohm @ 2.5a，4.5V 450mv @ 250µA（250µA）） 6NC @ 4.5V - 逻辑级别门
STS8DN3LLH5 STMicroelectronics STS8DN3LLH5 1.5700
RFQ
 ECAD 5995 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS8DN3 MOSFET （金属 o化物） 2.7W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 10a 19mohm @ 5a，10v 1V @ 250µA 5.4NC @ 4.5V 724pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7905TRPBF International Rectifier IRF7905TRPBF -
RFQ
 ECAD 7911 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7905 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Ear99 8542.39.0001 407 2 n 通道（双） 30V 7.8a，8.9a 21.8mohm @ 7.8A，10V 2.25V @ 25µA 6.9nc @ 4.5V 600pf @ 15V 逻辑级别门
SH8K41GZETB Rohm Semiconductor SH8K41GZETB 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K41 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 80V 3.4a 130MOHM @ 3.4A，10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 5V 600pf @ 10V 逻辑级别门
SIA918EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA918EDJ-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA918 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.5A（TC） 58mohm @ 3A，4.5V 900mv @ 250µA 5.5nc @ 4.5V - -
SI4936CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936CDY-T1-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4936 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.8a 40mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 9NC @ 10V 325pf @ 15V 逻辑级别门
IRFH4257DTRPBF International Rectifier IRFH4257DTRPBF 0.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IRFH4257 MOSFET （金属 o化物） 25W，28W PQFN（5x4） 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 2 n 通道（双） 25V 25a 3.4mohm @ 25a，10v 2.1V @ 35µA 15nc @ 4.5V 1321pf @ 13V 逻辑级别门
DMN16M8UCA6-7 Diodes Incorporated DMN16M8UCA6-7 0.2928
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 MOSFET （金属 o化物） 1.1W X3-DSN2718-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 31-DMN16M8UCA6-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 15.5A（TA） 5.6MOHM @ 3A，4.5V 1.3V @ 1mA 45.4NC @ 6V 2333pf @ 6V 标准
IRF8313TRPBF Infineon Technologies IRF8313TRPBF 0.9000
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF8313 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 9.7a 15.5MOHM @ 9.7A，10V 2.35V @ 25µA 9NC @ 4.5V 760pf @ 15V 逻辑级别门
VQ1001P Vishay Siliconix VQ1001P -
RFQ
 ECAD 1852年 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 - VQ1001 MOSFET （金属 o化物） 2W 14浸 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 4 n通道 30V 830mA 1.75OHM @ 200mA，5V 2.5V @ 1mA - 110pf @ 15V 逻辑级别门
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 355.4950
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FS13MR12 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 18
SIF912EDZ-T1-E3 Vishay Siliconix SIF912EDZ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®2x5 SIF912 MOSFET （金属 o化物） 1.6W PowerPak®（2x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 30V 7.4a 19mohm @ 7.4a，4.5V 1.5V @ 250µA 15nc @ 4.5V - 逻辑级别门
PJX8802_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8802_R1_00001 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 PJX8802 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJX8802_R1_00001DKR Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 700mA（TA） 150MOHM @ 700mA，4.5V 1V @ 250µA 1.6NC @ 4.5V 92pf @ 10V -
DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated DMC2004LPK-7 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMC2004 MOSFET （金属 o化物） 500MW DFN1612-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 750mA，600mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA - 150pf @ 16V 逻辑级别门
PMDXB550UNE/S500Z NXP Semiconductors PMDXB550UNE/S500Z -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 285MW（TA），4.03W（tc） DFN1010B-6 - 2156-PMDXB550UNE/S500Z 1 2 n通道 30V 590ma（ta） 670MOHM @ 590mA，4.5V 0.95V @ 250µA 1.05NC @ 4.5V 30.3pf @ 15V 标准
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 DF11MR12 （SIC） 20mw Ag-Easy1bm-2 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 SP003094734 Ear99 8541.21.0095 24 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 50a（TJ） 22.5mohm @ 50a，15v 5.55V @ 20mA 124nc @ 15V 3680pf @ 800V -
DMC3401LDW-7 Diodes Incorporated DMC3401LDW-7 0.4200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMC3401 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 800mA（ta），550mA（ta） 400MOHM @ 590mA，10v，900MOHM @ 420mA，10V 1.6V @ 250µA，2.6V @ 250µA 1.2nc @ 10V，800pc @ 10V 50pf @ 15V，19pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭