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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
PJQ4848P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4848P-AU_R2_000A1 0.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn PJQ4848 MOSFET （金属 o化物） 2.4W（TA），39.6W（tc） DFN3333B-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 40V （9a）（37A）（37A tc） 15mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 1040pf @ 20V -
FDZ1827NZ Fairchild Semiconductor FDZ1827NZ 0.1200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP FDZ1827 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 6-WLCSP（1.3x2.3） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双）公共排水 20V 10a（10a） 13mohm @ 1A，4.5V 1.2V @ 250µA 24NC @ 10V 2055pf @ 10V -
VEC2315-TL-H onsemi VEC2315-TL-H -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 VEC2315 MOSFET （金属 o化物） 1W SOT-28FL/VEC8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 2.5a 137MOHM @ 1.5A，10V - 11NC @ 10V 420pf @ 20V 逻辑级别门
RF1S17N06L Harris Corporation RF1S17N06L 0.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RF1 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
AO4840 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4840 0.7100
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO484 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 6a 30mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 10.8NC @ 10V 650pf @ 20V 逻辑级别门
IRFI4019H-117P Infineon Technologies IRFI4019H-117P -
RFQ
 ECAD 1760年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IRFI4019 MOSFET （金属 o化物） 18W TO-220-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 2 n 通道（双） 150V 8.7a 95MOHM @ 5.2A，10V 4.9V @ 50µA 20NC @ 10V 810pf @ 25V -
NVMFD5C462NLWFT1G onsemi NVMFD5C462NLWFT1G 3.0200
RFQ
 ECAD 9063 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） （3w（ta），50W（TC） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 18A（18A），84A （TC） 4.7mohm @ 10a，10v 2.2V @ 40µA 11NC @ 4.5V 1300pf @ 25V -
BUK7K32-100EX Nexperia USA Inc. BUK7K32-100EX 1.6300
RFQ
 ECAD 4459 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K32 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 29a 27.5MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 34NC @ 10V 2137pf @ 25V -
IRF7530PBF Infineon Technologies IRF7530pbf -
RFQ
 ECAD 5158 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） IRF7530 MOSFET （金属 o化物） 1.3W micro8™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 80 2 n 通道（双） 20V 5.4a 30mohm @ 5.4a，4.5V 1.2V @ 250µA 26nc @ 4.5V 1310pf @ 15V -
DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated DMC1016UPD-13 0.7900
RFQ
 ECAD 846 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMC1016 MOSFET （金属 o化物） 2.3W PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 12V，20V 9.5a，8.7a 17mohm @ 11.8a，4.5V 1.5V @ 250µA 32nc @ 8v 1454pf @ 6V -
PMDXB550UNE,147 Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE，147 -
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 PMDXB550 MOSFET （金属 o化物） 285MW（TA），4.03W（tc） DFN1010B-6 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-PMDXB550UNE，147 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 30V 590ma（ta） 670MOHM @ 590mA，4.5V 950mv @ 250µA 1.05NC @ 4.5V 30.3pf @ 15V -
DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated DMG6968UDM-7 0.4600
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMG6968 MOSFET （金属 o化物） 850MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 6.5a 24mohm @ 6.5a，4.5V 900mv @ 250µA 8.8nc @ 4.5V 143pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7311TRPBF Infineon Technologies IRF7311TRPBF 1.1000
RFQ
 ECAD 691 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF731 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 6.6a 29MOHM @ 6A，4.5V 700MV @ 250µA 27nc @ 4.5V 900pf @ 15V 逻辑级别门
FDG6301N onsemi FDG6301N 0.4400
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6301 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 220mA 4ohm @ 220mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V 逻辑级别门
APTM10DUM05TG Microsemi Corporation APTM10DUM05TG -
RFQ
 ECAD 1714年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 780W SP4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 278a 5mohm @ 125a，10v 4V @ 5mA 700NC @ 10V 20000pf @ 25V -
BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL215CH6327XTSA1 0.6600
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL215 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 1.5a 140MOHM @ 1.5A，4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.73NC @ 4.5V 143pf @ 10V 逻辑水平门，2.5V
NTTBC070NP10M5L onsemi NTTBC070NP10M5L 1.1000
RFQ
 ECAD 8078 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NTTBC070 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（14W），14W tc），1.9W（ta（10W ta）（10W tc） 8-wdfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 100V 3.5a（ta），9.5a tc），2.2a（ta（5a ta）（5a tc） 70MOHM @ 1.3A，10V，186MOHM @ 2.2A，10V 3V @ 24µA，4V @ 40µA 5.6nc @ 10V，7.3nc @ 10V 252pf @ 50V，256pf @ 50V -
DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated DMC2038LVT-7 0.4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2038 MOSFET （金属 o化物） 800MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 3.7a，2.6a 35MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 17NC @ 10V 530pf @ 10V 逻辑级别门
NTLJD3115PT1G onsemi NTLJD3115PT1G 0.6900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD3115 MOSFET （金属 o化物） 710MW 6-WDFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.3a 100mohm @ 2A，4.5V 1V @ 250µA 6.2nc @ 4.5V 531pf @ 10V 逻辑级别门
FSS273-TL-E-SY Sanyo FSS273-TL-E-SY 0.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FSS273 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
FCI17N60 Fairchild Semiconductor FCI17N60 -
RFQ
 ECAD 7348 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FCI17 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
FF6MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies FF6MR12KM1PHOSA1 -
RFQ
 ECAD 4343 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF6MR12 （SIC） - AG-62mm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 250A（TC） 5.81MOHM @ 250A，15V 5.15V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
DI048N04PQ2 Diotec Semiconductor DI048N04PQ2 0.7076
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DI048N04 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） PG-TDSON-8-4 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 2796-DI048N04PQ2TR 8541.21.0000 5,000 2 n 通道（双） 40V 48A（TC） 9.6mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA 48nc @ 10V 2270pf @ 20V -
FDG6318P onsemi FDG6318P -
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6318 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 500mA 780MOHM @ 500mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 83pf @ 10V 逻辑级别门
APTM100A18FTG Microchip Technology aptm100a18ftg 195.3300
RFQ
 ECAD 9603 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 780W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1000V （1kV） 43a 210MOHM @ 21.5A，10V 5V @ 5mA 372NC @ 10V 10400pf @ 25V -
SP8M4TB Rohm Semiconductor SP8M4TB 1.1385
RFQ
 ECAD 7853 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M4 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 846-SP8M4TBTR Ear99 8541.29.0095 2,500 - 30V 9a，7a 18mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 21nc @ 5V 1190pf @ 10V 标准
HCT802TX TT Electronics/Optek Technology HCT802TX -
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 tt电子/optek技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 HCT80 MOSFET （金属 o化物） 500MW 6-SMD - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 n和p通道 90V 2a，1.1a 5ohm @ 1A，10V 2.5V @ 1mA - 70pf @ 25V -
FDZ1416NZ onsemi FDZ1416NZ -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP FDZ1416 MOSFET （金属 o化物） 500MW 4-WLCSP（1.6x1.4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 1.3V @ 250µA 17nc @ 4.5V - -
IRFU024ATU Fairchild Semiconductor IRFU024ATU -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 IRFU024 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
FDMS3604S onsemi FDMS3604S 1.4500
RFQ
 ECAD 7532 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3604 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 13a，23a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1785pf @ 15V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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