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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
US6K1TR Rohm Semiconductor US6K1TR 0.6000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6K1 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 1.5a 240MOHM @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.2nc @ 4.5V 80pf @ 10V 逻辑级别门
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6N55 MOSFET （金属 o化物） 1W 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4a 46mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 2.5NC @ 4.5V 280pf @ 15V 逻辑级别门
STS8DN3LLH5 STMicroelectronics STS8DN3LLH5 1.5700
RFQ
 ECAD 5995 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS8DN3 MOSFET （金属 o化物） 2.7W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 10a 19mohm @ 5a，10v 1V @ 250µA 5.4NC @ 4.5V 724pf @ 25V 逻辑级别门
DMN53D0LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ-13 0.0927
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN53 MOSFET （金属 o化物） 400MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN53D0LDWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 50V 460mA ta） 1.6ohm @ 500mA，10v 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 10V 49.5pf @ 25V -
MCH3360-TL-E Sanyo MCH3360-TL-E 1.0000
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 MCH3360 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 3,000 -
ALD1103PBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1103PBL 9.2600
RFQ
 ECAD 535 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD1103 MOSFET （金属 o化物） 500MW 14-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1008 Ear99 8541.21.0095 25 2n和2p通道匹配对 10.6V 40mA，16mA 75OHM @ 5V 1V @ 10µA - 10pf @ 5V -
NDS9957 onsemi NDS9957 -
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS995 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 2.6a 160MOHM @ 2.6a，10V 3V @ 250µA 12nc @ 10V 200pf @ 30V 逻辑级别门
BSZ0908NDXTMA1 Infineon Technologies BSZ0908NDXTMA1 -
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 ECAD 8235 0.00000000 Infineon技术 Optimos® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn BSZ0908 MOSFET （金属 o化物） （700MW）（860MW） PG-Wison-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 4.8a（ta），7.6a（ta） 18mohm @ 9a，10v，9mohm @ 9a，10v 2V @ 250µA 3NC @ 4.5V，6.4NC @ 4.5V 340pf @ 15V，730pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
UPA2390T1P-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2390T1P-E4-A -
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - - UPA2390 - - - - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 - - - - - - - -
IRF7389PBF International Rectifier IRF7389pbf 1.0000
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 ECAD 9724 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF738 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n和p通道 30V - 29mohm @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 33nc @ 10V 650pf @ 25V 逻辑级别门
UPA2379T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2379T1P-E1-A -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-xflga UPA2379 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 6-eflip-lga 2.17x1.47） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 20NC @ 4V - 逻辑水平门，2.5V
SI3905DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3905DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2157 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3905 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 8V - 125mohm @ 2.5a，4.5V 450mv @ 250µA（250µA）） 6NC @ 4.5V - 逻辑级别门
IRF7905TRPBF International Rectifier IRF7905TRPBF -
RFQ
 ECAD 7911 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7905 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Ear99 8542.39.0001 407 2 n 通道（双） 30V 7.8a，8.9a 21.8mohm @ 7.8A，10V 2.25V @ 25µA 6.9nc @ 4.5V 600pf @ 15V 逻辑级别门
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S461AATMA1 1.1400
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG16N10 MOSFET （金属 o化物） 29W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 100V 16a 61mohm @ 16a，10v 3.5V @ 9µA 7NC @ 10V 490pf @ 25V -
SH8M14TB1 Rohm Semiconductor SH8M14TB1 0.6938
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 ECAD 7595 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M14 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 9a，7a 21mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5V 630pf @ 10V 逻辑级别门
FDS6930A Fairchild Semiconductor FDS6930A 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6930 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 946 2 n 通道（双） 30V 5.5a 40mohm @ 5.5a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 5V 460pf @ 15V 逻辑级别门
IRF8852TRPBF Infineon Technologies IRF8852TRPBF -
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF8852 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 25V 7.8a 11.3MOHM @ 7.8A，10V 2.35V @ 25µA 9.5NC @ 4.5V 1151pf @ 20V 逻辑级别门
ZXMD63P02XTA Diodes Incorporated ZXMD63P02XTA -
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） ZXMD63 MOSFET （金属 o化物） 1.04W 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2（p 通道（双） 20V - 270MOHM @ 1.2A，4.5V 700mv @ 250µA（250µA）） 5.25nc @ 4.5V 290pf @ 15V 逻辑级别门
CBB021M12FM3 Wolfspeed, Inc. CBB021M12FM3 175.5500
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 ECAD 7290 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CBB021 （SIC） 10MW - 下载 （1 （无限） 1697-CBB021M12FM3 Ear99 8541.29.0095 18 （4 n 通道（全桥） 1200V 105A（TJ） 14mohm @ 100a，15v 3.6V @ 35mA 324NC @ 15V 10300pf @ 800V -
PMN42XPEA,125 Nexperia USA Inc. PMN42XPEA，125 -
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMN42 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
BSO615N Infineon Technologies BSO615N -
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 ECAD 1448 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO615 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 Rohs不合规 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 2.6a 150MOHM @ 2.6a，4.5V 2V @ 20µA 20NC @ 10V 380pf @ 25V 逻辑级别门
IRF8915PBF International Rectifier IRF8915pbf 0.2000
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 355 2 n 通道（双） 20V 8.9a 18.3mohm @ 8.9a，10v 2.5V @ 250µA 7.4NC @ 4.5V 540pf @ 10V 逻辑级别门
SP8M6FU6TB Rohm Semiconductor SP8M6FU6TB -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5a，3.5a 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7752TR Infineon Technologies IRF7752Tr -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 4.6a 30mohm @ 4.6A，10V 2V @ 250µA 9NC @ 4.5V 861pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7379QTRPBF Infineon Technologies IRF7379QTRPBF -
RFQ
 ECAD 1096 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF737 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V 逻辑级别门
AUIRF9952QTR Infineon Technologies AUIRF9952QTR -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF9952 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001517940 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 3.5a，2.3a 100mohm @ 2.2a，10v 3V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
AO4812L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4812L -
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 ECAD 5559 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 6.3nc @ 10V 310pf @ 15V -
AUIRF7313QTR Infineon Technologies AUIRF7313QTR 2.4100
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 ECAD 9744 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7313 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 6.9a 29mohm @ 6.9a，10V 3V @ 250µA 33nc @ 10V 755pf @ 25V 逻辑级别门
HUFA76413DK8T-F085 onsemi HUFA76413DK8T-F085 -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76413 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5.1a 49mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V 逻辑级别门
BUK7K6R2-40E/1X Nexperia USA Inc. BUK7K6R2-40E/1X -
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 ECAD 6700 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k6 68W（TA） LFPAK56D - 1727-BUK7K6R2-40E/1X Ear99 8541.29.0095 1 40V 40a（ta） 5.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 32.3nc @ 10V 2210pf @ 25V 标准
  • Daily average RFQ Volume

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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