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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
HUFA76413DK8T-F085 onsemi HUFA76413DK8T-F085 -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76413 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5.1a 49mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V 逻辑级别门
AUIRF9952QTR Infineon Technologies AUIRF9952QTR -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF9952 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001517940 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 3.5a，2.3a 100mohm @ 2.2a，10v 3V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
BSO615N Infineon Technologies BSO615N -
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO615 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 Rohs不合规 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 2.6a 150MOHM @ 2.6a，4.5V 2V @ 20µA 20NC @ 10V 380pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7379QTRPBF Infineon Technologies IRF7379QTRPBF -
RFQ
 ECAD 1096 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF737 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V 逻辑级别门
SI3586DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3586DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3586 MOSFET （金属 o化物） 830MW 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2.9a，2.1a 60mohm @ 3.4a，4.5V 1.1V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SP8M6FU6TB Rohm Semiconductor SP8M6FU6TB -
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 ECAD 5999 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5a，3.5a 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
BSO303PHXUMA1 Infineon Technologies BSO303Phxuma1 -
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 ECAD 4185 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO303 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 7a 21mohm @ 8.2a，10v 2V @ 100µA 49nc @ 10V 2678pf @ 25V 逻辑级别门
EFC4618R-TR onsemi EFC4618R-Tr -
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 ECAD 3776 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，FCBGA EFC4618 MOSFET （金属 o化物） 1.6W EFCP1818-4CC-037 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） - - - - - - -
IRF7752TR Infineon Technologies IRF7752Tr -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 4.6a 30mohm @ 4.6A，10V 2V @ 250µA 9NC @ 4.5V 861pf @ 25V 逻辑级别门
IRF8915PBF International Rectifier IRF8915pbf 0.2000
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 ECAD 3472 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 355 2 n 通道（双） 20V 8.9a 18.3mohm @ 8.9a，10v 2.5V @ 250µA 7.4NC @ 4.5V 540pf @ 10V 逻辑级别门
SI3850ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3850ADV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3328 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3850 MOSFET （金属 o化物） 1.08W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道，普通排水 20V 1.4a，960mA 300mohm @ 500mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 4.5V - 逻辑级别门
AUIRF7313QTR Infineon Technologies AUIRF7313QTR 2.4100
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 ECAD 9744 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7313 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 6.9a 29mohm @ 6.9a，10V 3V @ 250µA 33nc @ 10V 755pf @ 25V 逻辑级别门
UPA2384T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2384T1P-E1-A -
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 ECAD 9994 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - - UPA2384 - - - - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 - - - - - - - -
FDW2520C onsemi FDW2520C -
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 ECAD 7409 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 20V 6a，4.4a 18mohm @ 6a，4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1325pf @ 10V 逻辑级别门
CSD87503Q3ET Texas Instruments CSD87503Q3ET 1.7500
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 ECAD 7 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn CSD87503 MOSFET （金属 o化物） 15.6W 8-VSON（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 2 n 通道（双）公共来源 30V 10a（10a） - 2.1V @ 250µA 17.4NC @ 4.5V 1020pf @ 15V -
SI3529DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3529DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2037 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3529 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 40V 2.5a，1.95a 125mohm @ 2.2a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 205pf @ 20V 逻辑级别门
AON3820 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON3820 -
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 ECAD 8165 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 alphamos 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 AON382 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 24V 8a（8a） 8.9MOHM @ 8A，4.5V 1.3V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1325pf @ 12V -
DI9945T Diodes Incorporated di9945t -
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 ECAD 6612 0.00000000 二极管合并 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DI9945 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.5a 100mohm @ 3.5a，10v - 30nc @ 10V 435pf @ 25V -
PMN42XPEA,125 Nexperia USA Inc. PMN42XPEA，125 -
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 ECAD 6121 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMN42 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
BUK7K6R2-40E/1X Nexperia USA Inc. BUK7K6R2-40E/1X -
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 ECAD 6700 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k6 68W（TA） LFPAK56D - 1727-BUK7K6R2-40E/1X Ear99 8541.29.0095 1 40V 40a（ta） 5.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 32.3nc @ 10V 2210pf @ 25V 标准
APTC60DSKM24T3G Microchip Technology APTC60DSKM24T3G 129.7000
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 ECAD 7 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 462W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 频道（双重斩波器） 600V 95a 24mohm @ 47.5A，10V 3.9V @ 5mA 300NC @ 10V 14400pf @ 25V 超交界处
IRF7331TR Infineon Technologies IRF7331TR -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF733 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 7a 30mohm @ 7A，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16V 逻辑级别门
MSCSM120VR1M31C1AG Microchip Technology MSCSM120VR1M31C1AG 161.6500
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 ECAD 2747 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 395W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120VR1M31C1AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 89A（TC） 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 3mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
NTLJD3119CTBG onsemi NTLJD3119CTBG 0.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi µ -Cool™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD3119 MOSFET （金属 o化物） 710MW 6-WDFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2.6a，2.3a 65MOHM @ 3.8A，4.5V 1V @ 250µA 3.7nc @ 4.5V 271pf @ 10V 逻辑级别门
UT6KC5TCR Rohm Semiconductor UT6KC5TCR 1.6200
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 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerudfn UT6KC5 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） DFN2020-8D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 3.5A（ta） 95MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.1nc @ 10V 135pf @ 30V -
FF4MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF4MR20KM1HPHPSA1 852.0838
RFQ
 ECAD 1188 0.00000000 Infineon技术 C，Coolsic™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C 底盘安装 模块 （SIC） - Ag-62mmhb - rohs3符合条件 8 2 n通道 2000V （2KV） 280a（TC） 5.3MOHM @ 300A，18V 5.15V @ 168mA 1170nc @ 18V 36100pf @ 1.2KV （SIC）
IRF7342PBF Infineon Technologies IRF7342PBF -
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF734 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001571984 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 55V 3.4a 105MOHM @ 3.4A，10V 1V @ 250µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V 逻辑级别门
NDH8502P Fairchild Semiconductor NDH8502P 0.5900
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tsop （0.130英寸，3.30mm） NDH8502 MOSFET （金属 o化物） 800MW（TA） Supersot™-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2.2A（ta） 110MOHM @ 2.2a，10V 3V @ 250µA 14.5nc @ 10V 340pf @ 15V -
AO4812L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4812L -
RFQ
 ECAD 5559 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 6.3nc @ 10V 310pf @ 15V -
EFC4630R-TR onsemi EFC4630R-Tr -
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 ECAD 9188 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA EFC4630 MOSFET （金属 o化物） 1.6W EFCP1313-4CC-037 - 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共排水 24V 6a（6a） 45mohm @ 3A，4.5V 1.3V @ 1mA 7NC @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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