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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SP8M8TB | - |  | 7833 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8M8 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 6a，4.5a | 30mohm @ 6a，10v | 2.5V @ 1mA | 7.2nc @ 5V | 520pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | SI5980DU-T1-GE3 | - | | 2634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5980 | MOSFET （金属 o化物） | 7.8W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 2.5a | 567MOHM @ 400mA，10V | 4V @ 250µA | 3.3nc @ 10V | 78pf @ 50V | - | |||
 | NTJD4158CT1G | 0.4300 | | 6287 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | NTJD4158 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V，20V | 250mA，880mA | 1.5OHM @ 10mA，4.5V | 1.5V @ 100µA | 1.5NC @ 5V | 33pf @ 5V | 逻辑级别门 | ||
 | EPC2221 | 2.6000 | | 9 | 0.00000000 | EPC | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 死 | EPC222 | ganfet（n化岩） | - | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 2,500 | 2 n 通道（双）公共来源 | 100V | 5a | - | - | - | - | - | ||
 | AO4882 | 0.7600 | | 1 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO488 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 8a | 19mohm @ 8a，10v | 2.4V @ 250µA | 12nc @ 10V | 415pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | ECH8601M-TL-H | - | | 3871 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | ECH8601 | MOSFET （金属 o化物） | 8-ech | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 24V | 8a（8a） | 23mohm @ 4A，4.5V | 1.3V @ 1mA | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑水平门，2.5V | ||||
 | AO5800E | - | | 3096 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | AO580 | MOSFET （金属 o化物） | 400MW | SC-89-6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | - | 1.6OHM @ 400mA，10V | 2.5V @ 250µA | - | 50pf @ 30V | 逻辑级别门 | |||
 | IRF9956PBF | - | | 7090 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF995 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001565670 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道（双） | 30V | 3.5a | 100mohm @ 2.2a，10v | 1V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 逻辑级别门 | |
 | TSM085NB03DCR RLG | 2.2400 | | 5 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM085 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA），40W（TC） | 8-pdfnu（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | （12A）（ta），51a（tc） | 8.5mohm @ 12a，10v | 2.5V @ 250µA | 20NC @ 10V | 1091pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | NVMFD5877NLWFT3G | - | | 2988 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5877 | MOSFET （金属 o化物） | 3.2W | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 6a | 39mohm @ 7.5a，10v | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 540pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | CSD86336Q3DT | 1.9200 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 8-POWERTDFN | CSD86336Q3 | MOSFET （金属 o化物） | 6W | 8-VSON（3.3x3.3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 通道（半桥） | 25V | 20A（TA） | 9.1MOHM @ 20a，5v，3.4MOHM @ 20a，5v | 1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA | 3.8NC @ 45V，7.4NC @ 45V | 494pf @ 12.5V，970pf @ 12.5V | 逻辑水平门，5v驱动器 | ||
 | LM2724MX/NOPB | 0.7500 | | 2 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | LM2724 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | ||||||||||||||
 | VN2410M | 0.4100 | | 49 | 0.00000000 | 硅 | * | 大部分 | 积极的 | VN2410 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
 | TC7920K6-G | 1.8800 | | 4836 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 12-VFDFN暴露垫 | TC7920 | MOSFET （金属 o化物） | - | 12-DFN （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,300 | 2n和2p通道 | 200V | - | 10ohm @ 1A，10V | 2.4V @ 1mA | - | 52pf @ 25V | - | ||
| ECH8601M-TL-HP | - | | 7817 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | ECH8601 | MOSFET （金属 o化物） | 8-ech | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 24V | 8a（8a） | 23mohm @ 4A，4.5V | 1.3V @ 1mA | 7.5NC @ 4.5V | 逻辑水平门，2.5V | |||||
 | NVMD6N03R2G | - | | 7870 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NVMD6 | MOSFET （金属 o化物） | 1.29W | 8-SOIC | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 6a | 32MOHM @ 6A，10V | 2.5V @ 250µA | 30nc @ 10V | 950pf @ 24V | 逻辑级别门 | |||
 | ECH8649-TL-H | - | | 6155 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | ECH8649 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-ech | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 7.5a | 17mohm @ 4A，4.5V | - | 10.8NC @ 4.5V | 1060pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | TP44220HB | 7.8100 | | 2606 | 0.00000000 | 泰戈尔技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | 表面安装 | 30-PowerWFQFN | TP44220 | ganfet（n化岩） | - | 30-qfn （8x10） | 下载 | （1 （无限） | 1 | 2 n 通道（半桥） | 650V | - | - | - | - | ||||||||
| CSD87351Q5D | 2.2200 | | 9 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerldfn | CSD87351 | MOSFET （金属 o化物） | 12W | 8-lson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 32a | 7.6mohm @ 20a，8v | 2.1V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5V | 1255pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | PJT138L_R1_00001 | 0.3800 | | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PJT138 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW（TA） | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJT138L_R1_001DKR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 200ma（ta） | 4.2OHM @ 200mA，10V | 1.5V @ 250µA | 0.7NC @ 4.5V | 15pf @ 15V | - | |
 | QS8J11TCR | 0.2327 | | 8818 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | QS8J11 | MOSFET （金属 o化物） | 550MW | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 3.5a | 43mohm @ 3.5A，4.5V | 1V @ 1mA | 22nc @ 4.5V | 2600pf @ 6V | 逻辑级别门，1.5V | ||
 | TSM500P02DCQ RFG | 1.1900 | | 83 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | TSM500 | MOSFET （金属 o化物） | 620MW | 6-TDFN （2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 4.7A（TC） | 50mohm @ 3A，4.5V | 800MV @ 250µA | 9.6nc @ 4.5V | 1230pf @ 10V | - | ||
 | AOCA32112E | 0.1157 | | 5597 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-SMD，没有铅 | AOCA32112 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W（TA） | 4-Alphadfn（0.97x0.97） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 4.5A（ta） | 48mohm @ 3A，4.5V | 1.3V @ 250µA | 11.5NC @ 4.5V | - | - | ||
 | GE12047BCA3 | 1.0000 | | 4 | 0.00000000 | GE航空航天 | sic力量 | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TC） | 底盘安装 | 模块 | GE12047 | （SIC） | 1250W | - | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 4014-GE12047BCA3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 1200V（1.2kV） | 475a | 4.4mohm @ 475a，20V | 4.5V @ 160mA | 1248nc @ 18V | 29300pf @ 600V | - | |
 | SI7900AEDN-T1-GE3 | 0.4998 | | 2939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7900 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 6a | 26mohm @ 8.5a，4.5V | 900mv @ 250µA | 16nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
| FDG6313N | - | | 4493 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FDG6313 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-88 （SC-70-6） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 500mA | 450MOHM @ 500mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 2.3nc @ 4.5V | 50pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | FDW9926A | - | | 8059 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW99 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.5a | 32MOHM @ 4.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 630pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
| APTC60AM24SCTG | 212.4600 | | 2191 | 0.00000000 | 微芯片技术 | coolmos™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 462W | SP4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 600V | 95a | 24mohm @ 47.5A，10V | 3.9V @ 5mA | 300NC @ 10V | 14400pf @ 25V | 超交界处 | ||
 | FDMS3622S | - | | 3054 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDMS3622 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | Power56 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 17.5a，34a | 5mohm @ 17.5A，10V | 2V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1570pf @ 13V | 逻辑级别门 | ||
 | SI1903DL-T1-GE3 | - | | 5939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1903 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 410mA | 995MOHM @ 410mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.8NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 |
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