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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDW2516NZ onsemi FDW2516NZ -
RFQ
 ECAD 3455 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.8a 30mohm @ 5.8A，4.5V 1.5V @ 250µA 12nc @ 5V 745pf @ 10V 逻辑级别门
BSD223P Infineon Technologies BSD223P -
RFQ
 ECAD 9206 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 BSD223 MOSFET （金属 o化物） 250MW PG-SOT363-PO 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 390mA 1.2OHM @ 390mA，4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62NC @ 4.5V 56pf @ 15V 逻辑级别门
BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1 0.3700
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 BSD840 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 880mA 400MOHM @ 880mA，2.5V 750mv @ 1.6µA 0.26NC @ 2.5V 78pf @ 10V 逻辑级别门
SQJ914EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ914EP-T1_BE3 1.3000
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ914 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） 742-SQJ914EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 12MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 25nc @ 10V 1110pf @ 15V -
SI1905BDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1905BDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1905 MOSFET （金属 o化物） 357MW SC-70-6 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 8V 630mA 542MOHM @ 580mA，4.5V 1V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 62pf @ 4V 逻辑级别门
MSCSM120DUM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120DUM31CTBL1NG 166.2400
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 310W - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120DUM31CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1200V 79a 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 1mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
RF1S30P06 Harris Corporation RF1S30P06 -
RFQ
 ECAD 1602 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RF1 - - Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 -
2SK3483-Z-E2-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3483-Z-e2-az -
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SK3483 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
APTC90TAM60TPG Microsemi Corporation APTC90TAM60TPG -
RFQ
 ECAD 3062 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTC90 MOSFET （金属 o化物） 462W sp6-p - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 6 n通道（3相桥） 900V 59a 60mohm @ 52a，10v 3.5V @ 6mA 540NC @ 10V 13600pf @ 100V 超交界处
2N7002V-7 Diodes Incorporated 2N7002V-7 -
RFQ
 ECAD 5159 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 280mA 7.5OHM @ 50mA，5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V -
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage tpcf8402（te85l，f，m -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8402 MOSFET （金属 o化物） 330MW VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 30V 4a，3.2a 50MOHM @ 2A，10V 2V @ 1mA 10NC @ 10V 470pf @ 10V 逻辑级别门
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKDCU6 RFG 0.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TSM2N7002 MOSFET （金属 o化物） 240MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 220mA（ta） 2.5Ohm @ 220mA，10v 2.5V @ 250µA 0.91NC @ 4.5V 30pf @ 30V 逻辑级别门
IRF7303TRPBF Infineon Technologies IRF7303TRPBF 1.0200
RFQ
 ECAD 6101 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 4.9a 50mohm @ 2.4a，10v 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V -
ZDM4206NTC Diodes Incorporated ZDM4206NTC -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-223-8 ZDM4206N MOSFET （金属 o化物） 2.75W SM8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 1a 1欧姆 @ 1.5A，10V 3V @ 1mA - 100pf @ 25V 逻辑级别门
ALD1115SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1115sal 3.6146
RFQ
 ECAD 3719 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD1115 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1045 Ear99 8541.21.0095 50 n和p通道互补 10.6V - 1800OHM @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5V -
IRFI4024H-117P Infineon Technologies IRFI4024H-117P -
RFQ
 ECAD 7629 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IRFI4024 MOSFET （金属 o化物） 14W TO-220-5 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 2 n 通道（双） 55V 11a 60mohm @ 7.7a​​，10v 4V @ 25µA 13nc @ 10V 320pf @ 50V -
GMM3X100-01X1-SMD IXYS GMM3X100-01X1-SMD -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 24-smd，海鸥翼 GMM3x100 MOSFET （金属 o化物） - 24-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 6 n通道（3相桥） 100V 90a - 4.5V @ 1mA 90NC @ 10V - -
DMN2053UVTQ-13 Diodes Incorporated DMN2053UVTQ-13 0.0896
RFQ
 ECAD 2060 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2053 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 到达不受影响 31-DMN2053UVTQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 4.6a（ta） 35mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5V 369pf @ 10V -
MCQD09P04-TP Micro Commercial Co MCQD09P04-TP 0.9700
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCQD09 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TJ） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 8,000 2个p通道 40V 9A（TC） 23mohm @ 9a，10v 2.5V @ 250µA 75nc @ 10V 3302pf @ 30V 标准
DMC3401LDW-13 Diodes Incorporated DMC3401LDW-13 0.0621
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMC3401 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC3401LDW-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 30V 800mA（ta），550mA（ta） 400MOHM @ 590mA，10v，900MOHM @ 420mA，10V 1.6V @ 250µA，2.6V @ 250µA 1.2nc @ 10V，800pc @ 10V 50pf @ 15V，19pf @ 15V -
NTMFD6H840NLT1G onsemi NTMFD6H840NLT1G 1.3008
RFQ
 ECAD 4006 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD6 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（ta），90w（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 80V （14a）（ta），74a tc（TC） 6.9mohm @ 20a，10v 2V @ 96µA 32NC @ 10V 2022pf @ 40V -
DF15MR12W1M1B67BOMA1 Infineon Technologies DF15MR12W1M1B67BOMA1 -
RFQ
 ECAD 1571年 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 DF15MR12 - - 过时的 1 -
MRF6V2300NR5578 NXP USA Inc. MRF6V2300NR5578 -
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 MRF6V2300 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
SD5401CY SOIC 14L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. SD5401CY SOIC 14L ROHS 6.8500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 线性集成系统公司 SD5401 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） SD5401 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） 14-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 4 n通道 10V 50mA（TA） 75ohm @ 1mA，5v 1.5V @ 1µA - - -
SI8902AEDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8902AEDB-T2-E1 0.3005
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6- UFBGA SI8902 MOSFET （金属 o化物） 5.7W 6-micro脚™（1.5x1） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 24V 11a 28mohm @ 1A，4.5V 900mv @ 250µA - - -
APTC60DDAM70T1G Microchip Technology APTC60DAM70T1G 59.3700
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 频道（双重斩波器） 600V 39a 70mohm @ 39a，10v 3.9V @ 2.7mA 259nc @ 10V 7000pf @ 25V -
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1 1.1200
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG16N10 MOSFET （金属 o化物） 29W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 100V 16a 61mohm @ 16a，10v 2.1V @ 90µA 11NC @ 10V 845pf @ 25V 逻辑级别门
EFC2J011NUZTDG onsemi EFC2J011NUZTDG -
RFQ
 ECAD 1982 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 EFC2J011 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 5,000 -
DMNH6021SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPDWQ-13 0.7046
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-POWERTDFN DMNH6021 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） PowerDi5060-8（R r r r r） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMNH6021SPDWQ-13DI Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 8.2A（ta），32a（tc） 25mohm @ 15a，10v 3V @ 250µA 20.1nc @ 10V 1143pf @ 25V -
CAB006M12GM3 Wolfspeed, Inc. CAB006M12GM3 315.2400
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 ECAD 32 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 Wolfpack™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB006 （SIC） - - 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 18 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） - 6.9mohm @ 200a，15v 3.6V @ 69mA 708nc @ 15V 20400pf @ 800V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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