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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NVMFD5C478NLT1G onsemi NVMFD5C478NLT1G 1.7300
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA），23W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 10.5A（ta），29a（tc） 14.5MOHM @ 7.5A，10V 2.2V @ 20µA 8.1nc @ 10V 420pf @ 25V -
IRF620R4587 Harris Corporation IRF620R4587 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRF620 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1200 -
DMN33D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN33D8LDWQ-7 0.4500
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN33 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA（ta） 2.4OHM @ 250mA，10V 1.5V @ 100µA 1.23nc @ 10V 48pf @ 5V -
MRF8S21100HSR3,128 NXP USA Inc. MRF8S21100HSR3,128 -
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 MRF8S21100 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO150N03MDGXUMA1 1.2300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO150 MOSFET （金属 o化物） 1.4W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 15mohm @ 9.3a，10v 2V @ 250µA 17NC @ 10V 1300pf @ 15V 逻辑级别门
MKE38P600TLB IXYS MKE38P600TLB -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 - 表面安装 9-SMD模块 MKE38P600 - - ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - 600V 50A（TC） - - - - -
DMP32D9UDA-7B Diodes Incorporated dmp32d9uda-7b 0.0820
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMP32 MOSFET （金属 o化物） X2-DFN0806-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 dmp32d9uda-7bdi Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 220mA（ta） 5ohm @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA -
BSO203P Infineon Technologies BSO203P 0.5500
RFQ
 ECAD 5102 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO203 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 421 2（p 通道（双） 20V 8.2a 21mohm @ 8.2a，4.5V 1.2V @ 100µA 48.6NC @ 4.5V 2242pf @ 15V 逻辑级别门
ZXMC4A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TC -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC4A16 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V 5.2A（ta），4.7a ta（4.7a） 50mohm @ 4.5a，10v，60mohm @ 3.8a，10v 1V @ 250mA （最小） 17NC @ 10V 770pf @ 40V，1000pf @ 20V 逻辑级别门
UPA2390T1P-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2390T1P-E4-A -
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - - UPA2390 - - - - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 - - - - - - - -
NDS9957 onsemi NDS9957 -
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS995 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 2.6a 160MOHM @ 2.6a，10V 3V @ 250µA 12nc @ 10V 200pf @ 30V 逻辑级别门
ALD1103PBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1103PBL 9.2600
RFQ
 ECAD 535 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD1103 MOSFET （金属 o化物） 500MW 14-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1008 Ear99 8541.21.0095 25 2n和2p通道匹配对 10.6V 40mA，16mA 75OHM @ 5V 1V @ 10µA - 10pf @ 5V -
US6J11TR Rohm Semiconductor US6J11TR 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6J11 MOSFET （金属 o化物） 320MW Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 1.3a 260MOHM @ 1.3A，4.5V 1V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 290pf @ 6V 逻辑级别门
DMG1026UV-7 Diodes Incorporated DMG1026UV-7 0.4000
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1026 MOSFET （金属 o化物） 580MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 410mA 1.8Ohm @ 500mA，10v 1.8V @ 250µA 0.45NC @ 10V 32pf @ 25V 逻辑级别门
FDS6993 onsemi FDS6993 -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V，12V 4.3a，6.8a 55MOHM @ 4.3A，10V 3V @ 250µA 7.7nc @ 5V 530pf @ 15V 逻辑级别门
BSS8402DWQ-13 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-13 0.1273
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS8402 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 31-BSS8402DWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 60V，50V 115ma（ta），130mA（ta） 13.5ohm @ 500mA，10v，10ohm @ 100mA，5v 2.5V @ 250µA，2V @ 1mA - 50pf @ 25V，45pf @ 25V -
NDS8858H Fairchild Semiconductor NDS8858H 0.5300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS885 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6.3a，4.8a 35MOHM @ 4.8A，10V 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 720pf @ 15V 逻辑级别门
IRF7350PBF Infineon Technologies IRF7350pbf -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7350 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 n和p通道 100V 2.1a，1.5a 210mohm @ 2.1a，10v 4V @ 250µA 28nc @ 10V 380pf @ 25V -
GE17080CDA3 GE Aerospace GE17080CDA3 2.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 GE航空航天 sic力量 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 底盘安装 模块 GE17080 （SIC） 2350W 下载 Rohs不合规 不适用 到达受影响 4014-GE17080CDA3 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1700V（（1.7kV） 765a 2.23mohm @ 765a，20V 4.5V @ 160mA 2414NC @ 18V 58000pf @ 900V -
NVMJD012N06CLTWG onsemi NVMJD012N06CLTWG 0.7134
RFQ
 ECAD 4638 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 NVMJD012 MOSFET （金属 o化物） 3.2W（ta），42W（（（（（（（（（） 8-lfpak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMJD012N06CLTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 11.5A（TA），42A （TC） 11.9mohm @ 25a，10v 2.2V @ 30µA 11.5NC @ 10V 792pf @ 25V -
FDS3601 onsemi FDS3601 -
RFQ
 ECAD 4652 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS36 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 1.3a 480MOHM @ 1.3A，10V 4V @ 250µA 5NC @ 10V 153pf @ 50V 逻辑级别门
IRF7389PBF International Rectifier IRF7389pbf 1.0000
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF738 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n和p通道 30V - 29mohm @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 33nc @ 10V 650pf @ 25V 逻辑级别门
APTM100TDU35PG Microsemi Corporation APTM100TDU35PG -
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 390W sp6-p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 1000V （1kV） 22a 420MOHM @ 11a，10v 5V @ 2.5mA 186nc @ 10V 5200pf @ 25V -
SSF2145CH6 Good-Ark Semiconductor SSF2145CH6 0.4300
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 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 - 20V 4.8A（TC），2.9a tc） 55mohm @ 3.6a，4.5V，80Mohm @ 3a，4.5V 1V @ 250µA - 420pf @ 10V 标准
AOE6932 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6932 0.7598
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 ECAD 4328 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 AOE693 MOSFET （金属 o化物） 24W，52W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 55A（TC），85A （TC） 5mohm @ 20a，10v，1.4Mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA，1.9V @ 250µA 15nc @ 4.5V，50nc @ 4.5V 1150pf @ 15V，4180pf @ 15V -
ZXMD63C03XTA Diodes Incorporated ZXMD63C03XTA -
RFQ
 ECAD 9353 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） ZXMD63 MOSFET （金属 o化物） 1.04W 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 30V - 135mohm @ 1.7A，10V 1V @ 250µA（250µA） 8NC @ 10V 290pf @ 25V 逻辑级别门
TSM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06DCR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM300 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA），40W（TC） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6a（6a），25a tc（25a）） 30mohm @ 6a，10v 4.5V @ 250µA 17NC @ 10V 1079pf @ 30V -
NTHD3100CT3G onsemi NTHD3100CT3G -
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD3100 MOSFET （金属 o化物） 1.1W chipfet™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 20V 2.9a，3.2a 80MOHM @ 2.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 165pf @ 10V 逻辑级别门
ZXMN3AMCTA Diodes Incorporated ZXMN3AMCTA -
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 ZXMN3 MOSFET （金属 o化物） 1.7W DFN3020B-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.7a（ta） 120mohm @ 2.5a，10v 3V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 190pf @ 25V -
ALD310702SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310702SCL 6.0054
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 ECAD 2024 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD310702 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1291 Ear99 8541.21.0095 50 4个p通道，匹配对 8V - - 180MV @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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