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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NTTFD021N08C onsemi NTTFD021N08C 3.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-PowerWQFN NTTFD021 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（ta），26W（26W）TC） 12-wqfn（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 80V 6a（6A），24A （TC） 21MOHM @ 7.8A，10V 4V @ 44µA 8.4nc @ 10V 572pf @ 40V -
ALD1102PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1102PAL 8.2700
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD1102 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1006 Ear99 8541.21.0095 50 2（p 通道（双） 10.6V - 270OHM @ 5V 1.2V @ 10µA - 10pf @ 5V -
SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor SSFB12N05 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（TA） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 4,000 n和p通道互补 12V 5A（5A） 32MOHM @ 5A，4.5V，74MOHM @ 4.5A，4.5V 1V @ 250µA 6.6nc @ 4.5V，9.2NC @ 4.5V 495pf @ 6v，520pf @ 6v 标准
APTM20HM10FG Microchip Technology APTM20HM10FG 286.6400
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 694W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 200V 175a 12MOHM @ 87.5A，10V 5V @ 5mA 224nc @ 10V 13700pf @ 25V -
DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated DMP2035UTS-13 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） DMP2035 MOSFET （金属 o化物） 890MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双）公共排水 20V 6.04a 35MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 15.4NC @ 4.5V 1610pf @ 10V 逻辑级别门
NVMFD5853NWFT1G onsemi NVMFD5853NWFT1G -
RFQ
 ECAD 5662 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5853 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 12a 10mohm @ 15a，10v 4V @ 250µA 24NC @ 10V 1225pf @ 25V 逻辑级别门
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208（TE12L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8208 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 5a 50mohm @ 2.5a，4V 1.2V @ 200µA 9.5nc @ 5V 780pf @ 10V 逻辑级别门
NVMFD5483NLT1G onsemi NVMFD5483NLT1G -
RFQ
 ECAD 7589 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5483 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 6.4a 36mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 23.4NC @ 10V 668pf @ 25V 逻辑级别门
DMN65D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ-7 0.4600
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN65 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 180mA 6ohm @ 115mA，10v 2V @ 250µA 0.87NC @ 10V 22pf @ 25V 逻辑级别门
FDMS3602AS onsemi FDMS3602AS -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3602 MOSFET （金属 o化物） 2.2W，2.5W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 15a，26a 5.6mohm @ 15a，10v 3V @ 250µA 27nc @ 10V 1770pf @ 13V 逻辑级别门
AOC3868 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3868 0.3076
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XDFN AOC386 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 6-DFN（2.7x1.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 1.1V @ 250µA 50nc @ 4.5V - -
PJT7802-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJT7802-AU_R1_000A1 0.1400
RFQ
 ECAD 4189 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT7802 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJT7802-AU_R1_000A1TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 500mA（ta） 400mohm @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 39pf @ 10V -
IRF7309TRPBF Infineon Technologies IRF7309TRPBF 1.0400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 4a，3a 50mohm @ 2.4a，10v 1V @ 250µA 25nc @ 4.5V 520pf @ 15V -
TPC8207(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207（TE12L） -
RFQ
 ECAD 4725 0.00000000 东芝半导体和存储 - Digi-Reel® 过时的 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8207 MOSFET （金属 o化物） 750MW 8-SOP（5.5x6.0） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 6a 20mohm @ 4.8A，4V 1.2V @ 200µA 22nc @ 5V 2010pf @ 10V 逻辑级别门
FDS6990AS onsemi FDS6990AS -
RFQ
 ECAD 3532 0.00000000 Onmi PoterTrench®，SyncFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6990 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7.5a 22mohm @ 7.5a，10v 3V @ 1mA 14NC @ 5V 550pf @ 15V 逻辑级别门
FX50SMJ-2#B00 Renesas Electronics America Inc FX50SMJ-2 ＃B00 8.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FX50SMJ - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
2SK2725-E Renesas Electronics America Inc 2SK2725-E 4.5700
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SK2725 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
ALD110808ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808ASCL 8.9544
RFQ
 ECAD 6140 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD110808 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1025 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 4.8V 810mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
BSZ215CHXTMA1 Infineon Technologies BSZ215CHXTMA1 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN BSZ215 MOSFET （金属 o化物） 2.5W PG-TSDSON-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n和p通道互补 20V 5.1a，3.2a 55mohm @ 5.1a，4.5V 1.4V @ 110µA 2.8NC @ 4.5V 419pf @ 10V 逻辑水平门，2.5V
6703 Goford Semiconductor 6703 0.0777
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） SOT-23-6L - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-6703Tr Ear99 8541.29.0000 3,000 - 20V 2.9a（ta），3a（ta） 59MOHM @ 2.5a，2.5V，110MOHM @ 3A，4.5V 1.2V @ 250µA，1V @ 250µA - 300pf @ 10V，405pf @ 10V 标准
DMP4050SSD-13 Diodes Incorporated DMP4050SSD-13 0.9200
RFQ
 ECAD 213 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP4050 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 40V 4a 50mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 13.9nc @ 10V 674pf @ 20V -
BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1 1.1100
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn BSC150 MOSFET （金属 o化物） 26W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 8a 15mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 13.2nc @ 10V 1100pf @ 15V 逻辑级别门
IRF5851 Infineon Technologies IRF5851 -
RFQ
 ECAD 8034 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 IRF58 MOSFET （金属 o化物） 960MW 6-TSOP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 100 n和p通道 20V 2.7a，2.2a 90MOHM @ 2.7a，4.5V 1.25V @ 250µA 6NC @ 4.5V 400pf @ 15V 逻辑级别门
MSCSM120AM03T6LIAG Microchip Technology MSCSM120AM03T6LIAG 1.0000
RFQ
 ECAD 5001 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 3.215kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM03T6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 805a（TC） 3.1MOHM @ 400A，20V 2.8V @ 30mA 2320nc @ 20V 30200pf @ 1000V -
BSS84DW-7 Diodes Incorporated BSS84DW-7 -
RFQ
 ECAD 1390 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 50V 130mA 10ohm @ 100mA，5v 2V @ 1mA - 45pf @ 25V 逻辑级别门
SI7872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7872DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2380 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7872 MOSFET （金属 o化物） 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 6.4a 22mohm @ 7.5a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 4.5V - 逻辑级别门
UPA2755GR-E2-A Renesas Electronics America Inc UPA2755GR-E2-A -
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） UPA2755 - 8-psop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 2.2nc @ 10V 650pf @ 10V -
EMH2407-S-TL-HX onsemi EMH2407-S-TL-HX -
RFQ
 ECAD 2784 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-SMD，平坦的铅 EMH2407 - - 8-emh - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated DMP2200UDW-13 0.4100
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMP2200 MOSFET （金属 o化物） 450MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 900mA 260MOHM @ 880mA，4.5V 1.2V @ 250µA 2.1nc @ 4.5V 184pf @ 10V -
TPC8223-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8223-H，LQ（s -
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPC8223 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 9a 17mohm @ 4.5A，10V 2.3V @ 100µA 17NC @ 10V 1190pf @ 10V 逻辑级别门
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196-LFBGA裸露的垫子

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