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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
APTC60HM70T3G Microchip Technology APTC60HM70T3G 90.1800
RFQ
 ECAD 4275 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 600V 39a 70mohm @ 39a，10v 3.9V @ 2.7mA 259nc @ 10V 7000pf @ 25V -
SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ920DT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ920 MOSFET （金属 o化物） 39W，100W 8-Powerpair®（6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 40a 7.1MOHM @ 18.9a，10V 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 1260pf @ 15V -
TPIC1502DW Texas Instruments TPIC1502DW -
RFQ
 ECAD 1602 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） TPIC15 MOSFET （金属 o化物） 2.86W 24-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 - 20V 1.5a 300MOHM @ 1.5A，10V 2.2V @ 1mA 2.1nc @ 10V 98pf @ 14V 逻辑级别门
IRFHM792TR2PBF Infineon Technologies IRFHM792TR2PBF -
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 8-Powervdfn IRFHM792 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 8-pqfn二（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 2 n 通道（双） 100V 2.3a 195MOHM @ 2.9a，10V 4V @ 10µA 6.3nc @ 10V 251pf @ 25V -
AON6908ALS_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6908ALS_101 -
RFQ
 ECAD 9752 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON6908 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（TA），31W tc（TC），2.1W（ta），78W ta（TC） 8-DFN（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 11.5A（ta），46a （TC），17a ta（80a ta），80a tc） 8.9mohm @ 11.5a，10v，3.6mohm @ 20a，10v 2.4V @ 250µA，2V @ 250µA 15nc @ 10v，38nc @ 4.5V 1110pf @ 15V，5260pf @ 15V -
FDY2000PZ onsemi FDY2000PZ -
RFQ
 ECAD 4863 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 FDY20 MOSFET （金属 o化物） 446MW SOT-563F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 350mA 1.2OHM @ 350mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 100pf @ 10V 逻辑级别门
UT6J3TCR1 Rohm Semiconductor UT6J3TCR1 1.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerudfn UT6J3 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） DFN2020-8D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3A（3A） 85MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 8.5nc @ 4.5V 2000pf @ 10V -
FDC6036P_F077 onsemi FDC6036P_F077 -
RFQ
 ECAD 7398 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP FDC6036 MOSFET （金属 o化物） 900MW SuperSot™-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 5a 44mohm @ 5A，4.5V 1.5V @ 250µA 14NC @ 4.5V 992pf @ 10V 逻辑级别门
BUK9K52-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K52-60E，115 1.0300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K52 MOSFET （金属 o化物） 32W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 16a 49mohm @ 5a，10v 2.1V @ 1mA 10NC @ 10V 725pf @ 25V 逻辑级别门
DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated DMN6022SSD-13 0.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN6022 MOSFET （金属 o化物） 1.2W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6A（6A），14A （TC） 29MOHM @ 5A，10V 3V @ 250µA 32NC @ 10V 2110pf @ 30V -
EFC2J022NUZTCG onsemi EFC2J022NUZTCG -
RFQ
 ECAD 5871 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 EFC2J022 - - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 过时的 5,000 -
SIA911EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA911EDJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA911 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a 101MOHM @ 2.7A，4.5V 1V @ 250µA 11NC @ 8V - 逻辑级别门
DMN26D0UDJ-7 Diodes Incorporated DMN26D0UDJ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 DMN26 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-963 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 240mA 3ohm @ 100mA，4.5V 1.05V @ 250µA - 14.1pf @ 15V 逻辑级别门
AO4914 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4914 -
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO491 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AO4914 Ear99 8541.29.0095 100 2 n 通道（双），肖特基 30V 8a（8a） 20.5MOHM @ 8A，10V 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 865pf @ 15V -
FDP2710_SN00168 Fairchild Semiconductor FDP2710_SN00168 1.0000
RFQ
 ECAD 5684 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDP2710 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
MSCSM120AM027CT6AG Microchip Technology MSCSM120AM027CT6AG 1.0000
RFQ
 ECAD 5319 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 2.97kW（TC） SP6C 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM027CT6AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 733a（TC） 3.5mohm @ 360a，20v 2.8V @ 9mA 2088NC @ 20V 27000pf @1000V -
NTGD3148NT1G onsemi NTGD3148NT1G 0.5600
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 NTGD3148 MOSFET （金属 o化物） 900MW 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3a 70MOHM @ 3.5A，4.5V 1.5V @ 250µA 3.8NC @ 4.5V 300pf @ 10V 逻辑级别门
FDPC8011S onsemi FDPC8011 3.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC8 MOSFET （金属 o化物） 800MW（ta），900MW（（ PowerClip-33 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V （13a）（20a ta）（20a tc），27a（ta（60a tc）（60a tc）（TC） 6mohm @ 13A，10V，1.8MOHM @ 27A，10V 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA 19nc @ 10v，64nc @ 10v 1240pf @ 13V，4335pf @ 13V -
PH9130AL,115 Nexperia USA Inc. PH9130AL，115 -
RFQ
 ECAD 2454 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 上次购买 PH9130 - 1
MCGD30P02-TP Micro Commercial Co MCGD30P02-TP 0.7600
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 ECAD 4 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MCGD30 MOSFET （金属 o化物） 21W DFN3333-D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2（p 通道（双） 20V 30a（TA） 19mohm @ 15a，4.5V 1V @ 250µA 72.8NC @ 10V 2992pf @ 10V -
APTC60AM45T1G Microchip Technology APTC60AM45T1G 67.0800
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 600V 49a 45MOHM @ 24.5A，10V 3.9V @ 3mA 150nc @ 10V 7200pf @ 25V -
CSD87355Q5D Texas Instruments CSD87355Q5D 2.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn CSD87355Q5 MOSFET （金属 o化物） 12W 8-lson（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V - - 1.9V @ 250µA 13.7nc @ 4.5V 1860pf @ 15V -
DMP2160UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMP2160UFDBQ-7 0.5500
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP2160 MOSFET （金属 o化物） 1.4W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.8a 70mohm @ 2.8a，4.5V 900mv @ 250µA 6.5nc @ 4.5V 536pf @ 10V -
AO8818 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8818 -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） AO881 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 30V - 18mohm @ 7a，10v 1.5V @ 250µA 14NC @ 4.5V 1060pf @ 15V 逻辑级别门
UPA2751GR-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2751GR-E1-AT 0.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） UPA2751 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-psop - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 9a，8a 15.5MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 21NC @ 10V 1040pf @ 10V 逻辑级别门
STS4C3F60L STMicroelectronics STS4C3F60L -
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 ECAD 5319 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS4C MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 4a，3a 55mohm @ 2a，10v 1V @ 250µA 20.4NC @ 4.5V 1030pf @ 25V 逻辑级别门
AO4840L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4840L_102 -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO484 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 6a（6a） 31mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 8.3nc @ 10V 404pf @ 20V -
NTMD2C02R2G onsemi NTMD2C02R2G -
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMD2C MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 20V 5.2a，3.4a 43mohm @ 4A，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1100pf @ 10V 逻辑级别门
FDS8333C onsemi FDS8333C -
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS83 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 30V 4.1a，3.4a 80MOHM @ 4.1A，10V 3V @ 250µA 6.6nc @ 4.5V 282pf @ 10V 逻辑级别门
FDMA3028N onsemi FDMA3028N -
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 ECAD 7577 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA3028 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.8a 68mohm @ 3.8A，4.5V 1.5V @ 250µA 5.2nc @ 5V 375pf @ 15V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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