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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3911DV-T1-E3 | - |  | 5753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3911 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.8a | 145mohm @ 2.2a，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | FDPC1002S | 0.3900 | | 10 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 8-Powerwdfn | FDPC1 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W（ta），2W（ta） | PowerClip-33 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 通道（双） | 25V | （13a）（20a ta）（20a tc），27a（ta（60a tc）（60a tc）（TC） | 6mohm @ 13A，10V，1.8MOHM @ 27A，10V | 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA | 19nc @ 10v，64nc @ 10v | 1240pf @ 13V，4335pf @ 13V | - | |||||
 | DMC2710UVQ-13 | 0.0648 | | 4077 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMC2710 | MOSFET （金属 o化物） | 460MW（TA） | SOT-563 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 31-DMC2710UVQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道 | 20V | 1.1A（ta），800mA（ta） | 400MOHM @ 600mA，4.5V，700MOHM @ 430mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V，0.7NC @ 4.5V | 42pf @ 16v，49pf @ 16V | 标准 | ||
 | AO7600_001 | - | | 1546年 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | AO760 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-70-6 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 20V | 900mA | 300MOHM @ 900mA，4.5V | 900mv @ 250µA | 1.9nc @ 4.5V | 120pf @ 10V | - | |||
 | FDPC8012S | 3.6300 | | 3 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | FDPC8012 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW，900MW | PowerClip-33 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 13a，26a | 7mohm @ 12a，4.5V | 2.2V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 1075pf @ 13V | 逻辑级别门 | ||
 | APTM50AM70FT1G | - | | 6015 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP1 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | SP1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 500V | 50a | 84mohm @ 42a，10v | 5V @ 2.5mA | 340NC @ 10V | 10800pf @ 25V | - | |||
 | DMN66D0LDW-7 | 0.6300 | | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN66 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW（TA） | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 115ma（ta） | 6ohm @ 115mA，5v | 2V @ 250µA | - | 23pf @ 25V | - | ||
 | FDMS7600AS | - | | 8908 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | FDMS7600 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | Power56 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 12a，22a | 7.5mohm @ 12a，10v | 3V @ 250µA | 28nc @ 10V | 1750pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| FDC655N | 0.1900 | | 78 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | FDC655 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | ||||||||||||||
| MSCSM120DUM31TBL2NG | 246.6500 | | 8848 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 310W | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120DUM31TBL2NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n通道，常见来源 | 1200V（1.2kV） | 79a | 31mohm @ 40a，20v | 2.8V @ 3mA | 232nc @ 20v | 3020pf @ 1000V | - | |
 | DMC4050SSDQ-13-52 | 0.2590 | | 7018 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMC4050 | MOSFET （金属 o化物） | 1.8W | 8-so | 下载 | 31-DMC4050SSDQ-13-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道互补 | 40V | 4.2A（ta） | 45mohm @ 3a，10v | 1.8V @ 250µA | 37.56nc @ 10v，33.66nc @ 10v | 1790.8pf @ 20V，1643.17pf @ 20V | 标准 | ||||
 | ECH8659-m-TL-H | - | | 2188 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | ECH8659 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-ech | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 7a | 24mohm @ 3.5A，10V | - | 11.8nc @ 10V | 710pf @ 10V | 逻辑水平门，4V驱动器 | |||
| DMP4026LSDQ-13 | 0.4078 | | 4354 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W（TA） | 8-so | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 31-DMP4026LSDQ-13TR | 2,500 | 2个p通道 | 40V | 6.5A（TA） | 25mohm @ 3a，10v | 1.8V @ 250µA | 45.8NC @ 10V | 2064pf @ 20V | 标准 | |||||
 | MCH6662-TL-W | - | | 7160 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MCH6662 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | SC-88FL/MCPH6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 2a | 160MOHM @ 1A，4.5V | 1.3V @ 1mA | 1.8NC @ 4.5V | 128pf @ 10V | 逻辑水平门，1.8V | ||
| IRFR21496 | 0.3200 | | 993 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | IRFR214 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 993 | - | ||||||||||||||
 | AO4614BL_201 | - | | 6316 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO4614 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 40V | 6a（6a），5a ta（5a ta） | 30mohm @ 6A，10V，45MOHM @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 10.8nc @ 10v，22nc @ 10v | 650pf @ 20v，1175pf @ 20V | - | |||
| MSCSM120AM31CTBL1NG | 166.2400 | | 1220 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 310W | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120AM31CTBL1NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1200V | 79a | 31mohm @ 40a，20v | 2.8V @ 1mA | 232nc @ 20v | 3020pf @ 1000V | - | |
 | FDY2001PZ | 0.0600 | | 161 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | FDY20 | MOSFET （金属 o化物） | 446MW | SOT-563F | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 150mA | 8ohm @ 150mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 100pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
| F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | 225.0528 | | 5688 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | F411MR | - | rohs3符合条件 | 18 | ||||||||||||||||||||
| OP529,005 | 0.4250 | | 8904 | 0.00000000 | Ween半导体 | * | 托盘 | 积极的 | OP529 | - | - | （1 （无限） | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||
 | FDR8702H | 0.7500 | | 254 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-tsop （0.130英寸，3.30mm） | FDR87 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | Supersot™-8 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 3.6a，2.6a | 38mohm @ 3.6A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 650pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
 | CSD75205W1015 | - | | 8868 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-ufbga，DSBGA | CSD75205 | MOSFET （金属 o化物） | 750MW | 6-DSBGA（1x1.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.2a | 120MOHM @ 1A，4.5V | 850mv @ 250µA | 2.2nc @ 4.5V | 265pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | SI4908DY-T1-GE3 | - | | 2840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4908 | MOSFET （金属 o化物） | 2.75W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 5a | 60mohm @ 4.1A，10V | 2.2V @ 250µA | 12nc @ 10V | 355pf @ 20V | - | ||
| ECH8655R-R-TL-H | 0.2757 | | 1035 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | - | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | ECH8655 | - | - | 8-ech | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
 | SP8K24FRATB | 1.4300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8K24 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 45V | 6a（6a） | 25mohm @ 6a，10v | 2.5V @ 1mA | 21.6nc @ 5V | 1400pf @ 10V | - | ||
 | IRF9956 | - | | 5985 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF995 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *IRF9956 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道（双） | 30V | 3.5a | 100mohm @ 2.2a，10v | 1V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 逻辑级别门 | |
 | FDC6304P | 0.2200 | | 7373 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6304 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2 | 2（p 通道（双） | 25V | 460mA | 1.1OHM @ 500mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.5NC @ 4.5V | 62pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||
| VQ1006P-E3 | - | | 2870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | - | VQ1006 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 14浸 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 n通道 | 90V | 400mA | 4.5OHM @ 1A，10V | 2.5V @ 1mA | - | 60pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| MSCSM120TLM11CAG | 807.5900 | | 7187 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 1042W（TC） | SP6C | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120TLM11CAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | （4 n 通道（三级逆变器） | 1200V（1.2kV） | 251A（TC） | 10.4mohm @ 120A，20V | 2.8V @ 3mA | 696nc @ 20V | 9000pf @ 1000V | - | |
 | BSC112N06LDATMA1 | 1.7900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™-T2 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | BSC112 | MOSFET （金属 o化物） | 65W（TC） | PG-TDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 20A（TC） | 11.2Mohm @ 17a，10v | 2.2V @ 28µA | 55nc @ 10V | 4020pf @ 30V | 逻辑级别门 |
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