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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L35AATMA1 1.2800
RFQ
 ECAD 5813 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 65W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 55V 20A（TC） 35mohm @ 15a，10v 2V @ 27µA 23nc @ 10V 790pf @ 25V 逻辑级别门
TT8K11TCR Rohm Semiconductor TT8K11TCR 0.5400
RFQ
 ECAD 4210 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8K11 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3a 71MOHM @ 3A，10V 2.5V @ 1A 2.5NC @ 5V 140pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
DMN5L06VK-13A Diodes Incorporated DMN5L06VK-13A -
RFQ
 ECAD 7186 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN5L06 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 31-DMN5L06VK-13A Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 50V 280mA（TA） 2ohm @ 50mA，5v 1.2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated DMN601DWKQ-7 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN601 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 305mA（ta） 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 1mA 0.304NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
QH8K26TR Rohm Semiconductor QH8K26TR 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8K26 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 7a（ta） 38mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 2.9nc @ 5V 275pf @ 20V -
UPA2387T1P-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2387T1P-E4-A 0.2000
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 0000.00.0000 1
SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRB40DP-T1-GE3 1.4000
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SIRB40 MOSFET （金属 o化物） 46.2W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 40a（TC） 3.25mohm @ 10a，10v 2.4V @ 250µA 45nc @ 4.5V 4290pf @ 20V -
AONU32320_201 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONU32320_201 -
RFQ
 ECAD 1070 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-powersmd，平面线 AONU323 MOSFET （金属 o化物） 5W（5W），16.5W（TC） 8-DFN （3x3） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AONU32320_201TR Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V （15a）（15A），15a （TC） 13mohm @ 11a，10v 2.3V @ 250µA 40NC @ 10V 1500pf @ 15V -
MSCSM170TAM23CTPAG Microchip Technology MSCSM170TAM23CTPAG 814.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 588W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170TAM23CTPAG Ear99 8541.29.0095 1 6 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 122A（TC） 22.5mohm @ 60a，20v 3.2V @ 5mA 356nc @ 20v 6600pf @ 1000V -
NTHC5513T1G onsemi NTHC5513T1G 1.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHC5513 MOSFET （金属 o化物） 1.1W chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 2.9a，2.2a 80MOHM @ 2.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 4NC @ 4.5V 180pf @ 10V 逻辑级别门
AOSD21311C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD21311C 0.6800
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AOSD213 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 5A（5A） 42MOHM @ 5A，10V 2.2V @ 250µA 23nc @ 10V 720pf @ 15V -
SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L14FE（TE85L，F） 0.4300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L14 MOSFET （金属 o化物） 150MW（TA） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 800mA（ta），720mA（ta） 240MOHM @ 500mA，4.5V，300MOHM @ 400mA，4.5V 1V @ 1mA 2NC @ 4.5V，1.76NC @ 4.5V 90pf @ 10V，110pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N17FU（TE85L，F） 0.4900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N17 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V （100mA）（TA） 20ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 1µA - 7pf @ 3V -
ALD114904ASAL Advanced Linear Devices Inc. Ald114904asal 6.1776
RFQ
 ECAD 6987 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD114904 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1062 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 3.6V 380mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
FDPC8011S-AU01 onsemi FDPC8011S-AU01 1.6283
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC8 MOSFET （金属 o化物） 800MW（ta），900MW（（ PowerClip-33 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-FDPC8011S-AU01TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V （13a）（20a ta）（20a tc），27a（ta（60a tc）（60a tc）（TC） 6mohm @ 13A，10V，1.8MOHM @ 27A，10V 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA 19nc @ 10v，64nc @ 10v 1240pf @ 13V，4335pf @ 13V -
MSCSM120DDUM16CTBL3NG Microchip Technology MSCSM120DUM16CTBL3NNG -
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 560W - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120DUM16CTBL3NG Ear99 8541.29.0095 1 4 n通道，常见来源 1200V 150a 16mohm @ 80a，20v 2.8V @ 2mA 464NC @ 20V 6040pf @ 1000V -
FMM60-02TF IXYS FMM60-02TF 18.8696
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM60 MOSFET （金属 o化物） 125W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 200V 33a 40mohm @ 30a，10v 4.5V @ 250µA 90NC @ 10V 3700pf @ 25V -
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 134.6156
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 （SIC） 20mw 模块 - rohs3符合条件 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 18 2 n通道 1200V 200a（200a tj） 5.63mohm @ 200a，15v 5.55V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V （SIC）
PJL9606_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9606_R2_00001 0.2830
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9606 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9606_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 30V （7a ta），6a（tc） 19mohm @ 6a，10v，30mohm @ 4a，10v 2.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V，7.8NC @ 4.5V 429pf @ 25V，846pf @ 15V -
NVMFD5C680NLT1G onsemi NVMFD5C680NLT1G 1.7500
RFQ
 ECAD 8997 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3W（TA），19w（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 7.5a（ta），26a（tc） 28mohm @ 5a，10v 2.2V @ 13µA 2NC @ 4.5V 350pf @ 25V -
IPB13N03LBG Infineon Technologies IPB13N03LBG 0.4000
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 积极的 IPB13N - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU，RF（d -
RFQ
 ECAD 1977年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N48 MOSFET （金属 o化物） 300MW US6 下载 （1 （无限） SSM6N48FURF（d Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 3.2OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V 逻辑水平门，2.5V
DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated DMG1016VQ-13 0.1418
RFQ
 ECAD 8468 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1016 MOSFET （金属 o化物） 530MW SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMG1016VQ-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V 870mA，640mA 400mohm @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.74NC @ 4.5V 60.67pf @ 16V 逻辑级别门
FDMC8030 onsemi FDMC8030 1.4400
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMC80 MOSFET （金属 o化物） 800MW 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 12a 10mohm @ 12a，10v 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 1975pf @ 20V 逻辑级别门
AONP36332 Alpha & Omega Semiconductor Inc. aonp36332 1.2000
RFQ
 ECAD 1594年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn aonp363 MOSFET （金属 o化物） 3.4W（33W（ta）（33W（ta），3.1W（ta（30W）（30W to）TC） 8-DFN-EP（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （24A）（50a ta）（50a tc），20A（），50a tc（50a tc）（TC） 3.7MOHM @ 20A，10V，4.7MOHM @ 20A，10V 1.9V @ 250µA 40nc @ 10v，30nc @ 10V 1520pf @ 15V 标准
SQJ951EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ951EP-T1_BE3 1.6100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ951 MOSFET （金属 o化物） 56W（TC） POWERPAK®SO-8 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 30A（TC） 17mohm @ 7.5a，10v 2.5V @ 250µA 50NC @ 10V 1680pf @ 10V -
TT8M3TR Rohm Semiconductor tt8m3tr 0.1839
RFQ
 ECAD 6932 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8M3 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 2.5a，2.4a 72MOHM @ 2.5A，4.5V 1V @ 1mA 3.6nc @ 4.5V 260pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
DMC67D8UFDB-7 Diodes Incorporated DMC67D8UFDB-7 0.1241
RFQ
 ECAD 8128 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - DMC67 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMC67D8UFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
APTC60AM18SCG Microchip Technology APTC60AM18SCG 331.0700
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 833W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 600V 143a 18mohm @ 71.5a，10v 3.9V @ 4mA 1036nc @ 10V 28000pf @ 25V -
FDBL86210 Fairchild Semiconductor FDBL86210 -
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDBL862 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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