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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EFC4630R-Tr | - |  | 9188 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 4-XFBGA | EFC4630 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | EFCP1313-4CC-037 | - | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双）公共排水 | 24V | 6a（6a） | 45mohm @ 3A，4.5V | 1.3V @ 1mA | 7NC @ 4.5V | - | 逻辑水平门，2.5V | |||
 | GWM160-0055X1-SMDSAM | - | | 7041 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 17-SMD，鸥翼 | GWM160 | MOSFET （金属 o化物） | - | ISOPLUS-DIL™ | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 55V | 150a | 3.3MOHM @ 100A，10V | 4.5V @ 1mA | 105nc @ 10V | - | - | |||
 | APTMC120AM16CD3AG | - | | 2840 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | D-3模块 | APTMC120 | （SIC） | 625W | D3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 131a（TC） | 20mohm @ 100a，20v | 2.2V @ 5mA ty（typ） | 246nc @ 20V | 4750pf @ 1000V | - | ||
 | SSM6N815R，LF | 0.4500 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-SMD，平坦的铅 | SSM6N815 | MOSFET （金属 o化物） | 1.8W（TA） | 6-TSOP-F | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 2A（TA） | 103mohm @ 2a，10v | 2.5V @ 100µA | 3.1nc @ 4.5V | 290pf @ 15V | 逻辑水平门，4V驱动器 | |||
 | IRF7104TRPBF | 0.9700 | | 7 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF71 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.3a | 250MOHM @ 1A，10V | 3V @ 250µA | 25nc @ 10V | 290pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | EPC2105engrt | - | | 4940 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 死 | EPC210 | ganfet（n化岩） | - | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 500 | 2 n 通道（半桥） | 80V | 9.5A | 14.5mohm @ 20a，5v | 2.5V @ 2.5mA | 2.5NC @ 5V | 300pf @ 40V | - | ||
 | ZXMN3AM832TA | 0.4000 | | 54 | 0.00000000 | 二极管合并 | * | （CT） | 积极的 | ZXMN3 | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||
 | SI4936ADY-T1-GE3 | 0.9072 | | 5028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4936 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.4a | 36mohm @ 5.9a，10v | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||
 | NTJD4401NT2 | - | | 7333 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | NTJD44 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||
 | ALD110808PCL | 5.9624 | | 8290 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD110808 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1026 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 4.8V | 820mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
 | DMC3071LVT-13 | 0.0948 | | 7607 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | DMC3071 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW（TA） | TSOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 30V | 4.6a（ta），3.3a（ta） | 50mohm @ 3.5a，10v，95mohm @ 3.8a，10v | 2.5V @ 250µA | 4.5nc @ 10V，6.5NC @ 10V | 190pf @ 15V，254pf @ 15V | - | ||
 | DMC2450UV-13 | 0.0863 | | 2777 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMC2450 | MOSFET （金属 o化物） | 450MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | DMC2450UV-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道 | 20V | 1.03a，700mA | 480MOHM @ 200MA，5V | 900mv @ 250µA | 0.5NC @ 4.5V | 37.1pf @ 10V | - | |
 | EPC2104 | 8.7500 | | 3 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 死 | EPC210 | ganfet（n化岩） | - | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n 通道（半桥） | 100V | 23a | 6.3mohm @ 20a，5v | 2.5V @ 5.5mA | 7NC @ 5V | 800pf @ 50V | - | ||
 | DMT3020LFDBQ-7 | 0.5500 | | 5461 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMT3020 | - | 700MW | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 7.7a（ta） | 20mohm @ 9a，10v | 2.5V @ 250µA | 7NC @ 10V | 393pf @ 15V | - | ||||
| APTSM120AM09CD3AG | - | | 8457 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | APTSM120 | （SIC） | 模块 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 1200V（1.2kV） | 337a（TC） | 11mohm @ 180a，20v | 3V @ 9mA | 1224NC @ 20V | 23000pf @ 1000V | - | |||
 | FDS6982AS | - | | 9826 | 0.00000000 | Onmi | PoterTrench®，SyncFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS69 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.3a，8.6a | 28mohm @ 6.3a，10v | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | 610pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | CBB021M12FM3 | 175.5500 | | 7290 | 0.00000000 | Wolfspeed，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | CBB021 | （SIC） | 10MW | - | 下载 | （1 （无限） | 1697-CBB021M12FM3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 18 | （4 n 通道（全桥） | 1200V | 105A（TJ） | 14mohm @ 100a，15v | 3.6V @ 35mA | 324NC @ 15V | 10300pf @ 800V | - | |||
| IRFU024ATU | - | | 1398 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | IRFU024 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
 | SI7972DP-T1-GE3 | 1.1100 | | 5519 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7972 | MOSFET （金属 o化物） | 22W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 8A（TC） | 18mohm @ 11a，10v | 2.7V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | 1050pf @ 30V | - | |||
 | AON3818 | 0.1888 | | 5628 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | AON381 | MOSFET （金属 o化物） | 2.7W | 8-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 24V | 8a | 13.5MOHM @ 8A，4.5V | 1.2V @ 250µA | 15nc @ 4.5V | 840pf @ 12V | 逻辑级别门 | ||
 | CPH5617-TL-E | 0.0700 | | 5844 | 0.00000000 | Sanyo | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 5-SMD，鸥翼 | CPH5617 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | 5-CPH | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 150mA | 3.7OHM @ 80mA，4V | - | 1.58nc @ 10V | 7pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
| JANTX2N7335 | - | | 9646 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/599 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | 2N733 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | MO-036AB | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4个p通道 | 100V | 750mA | 1.4OHM @ 500mA，10V | 4V @ 250µA | - | - | - | ||
 | FDC6322C | - | | 8652 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6322 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 25V | 220mA，460mA | 4ohm @ 400mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.7NC @ 4.5V | 9.5pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
| SI4567DY-T1-GE3 | - | | 8437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4567 | MOSFET （金属 o化物） | 2.75W，2.95W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 40V | 5a，4.4a | 60mohm @ 4.1A，10V | 2.2V @ 250µA | 12nc @ 10V | 355pf @ 20V | - | ||
| EFC8822R-X-TF | - | | 2791 | 0.00000000 | Onmi | * | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | EFC8822 | - | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 5,000 | - | |||||||||||||||
 | FDZ1416NZ | - | | 2441 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-XFBGA，WLCSP | FDZ1416 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 4-WLCSP（1.6x1.4） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | - | - | - | 1.3V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | - | - | ||
 | EMH2308-TL-H | - | | 7162 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | EMH2308 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-emh | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3a | 85MOHM @ 3A，4.5V | - | 4NC @ 4.5V | 320pf @ 10V | 逻辑水平门，1.8V | |||
| IRF9622156 | 0.4400 | | 800 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | IRF9622 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 800 | - | ||||||||||||||||
| FDMS0346 | - | | 3475 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 过时的 | FDMS03 | - | - | 不适用 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||
 | HIP2100IBTS2075 | - | | 2569 | 0.00000000 | Intersil | * | 大部分 | 积极的 | HIP2100 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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