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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
APTM50DDAM65T3G Microchip Technology APTM50DAM65T3G 106.2109
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 390W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 500V 51a 78MOHM @ 25.5A，10V 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
HUFA75321D3STQ Fairchild Semiconductor HUFA75321D3STQ 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 HUFA75321 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LDCR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM300 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA），40W（TC） 8-pdfnu（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5A（5A），24a （TC） 30mohm @ 5a，10v 2.5V @ 250µA 17NC @ 10V 966pf @ 30V 逻辑级别门
DMP22D5UDJ-7A Diodes Incorporated DMP22D5UDJ-7A 0.0473
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 DMP22 MOSFET （金属 o化物） 380MW（TA） SOT-963 下载 到达不受影响 31-DMP22D5UDJ-7ATR Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 360ma（ta） 1.9OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.3NC @ 4.5V 17pf @ 15V -
DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMN21D1UDA-7B 0.1017
RFQ
 ECAD 2687 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMN21 MOSFET （金属 o化物） 310MW X2-DFN0806-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 455ma（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.41NC @ 4.5V 31pf @ 15V -
IRF7103PBF Infineon Technologies IRF7103PBF -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF71 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 50V 3a 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 30nc @ 10V 290pf @ 25V -
IRF7331TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7331TRPBF-1 -
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF733 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001555168 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 7a（ta） 30mohm @ 7A，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16V -
MCH6606-TL-E onsemi MCH6606-TL-E -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 MCH6606 - - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
AO4807 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4807 0.8800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 6a 35mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 16NC @ 10V 760pf @ 15V 逻辑级别门
PMDPB95XNE,115 NXP USA Inc. PMDPB95XNE，115 -
RFQ
 ECAD 6669 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 PMDPB95 MOSFET （金属 o化物） 475MW 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.4a 120MOHM @ 2A，4.5V 1.5V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 143pf @ 15V 逻辑级别门
DMN2053UVT-7 Diodes Incorporated DMN2053UVT-7 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2053 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.6a（ta） 35mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5V 369pf @ 10V -
FW217-NMM-TL-E onsemi FW217-NMM-TL-E 0.5500
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 FW217 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
FDC6401N onsemi FDC6401N 0.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6401 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3a 70MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 250µA 4.6NC @ 4.5V 324pf @ 10V -
G1008B Goford Semiconductor G1008B 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G1008 MOSFET （金属 o化物） 3W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 100V 8A（TC） 130MOHM @ 2A，10V 3V @ 250µA 15.5nc @ 10V 690pf @ 25V 标准
SQJ844AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ844AEP-T1_GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ844 MOSFET （金属 o化物） 48W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 8a 16.6mohm @ 7.6a，10v 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1161pf @ 15V -
IRF9395MTRPBF Infineon Technologies IRF9395MTRPBF -
RFQ
 ECAD 4892 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 DirectFet™等距MC IRF9395 MOSFET （金属 o化物） 2.1W DirectFet™MC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001566526 Ear99 8541.29.0095 4,800 2（p 通道（双） 30V 14a 7mohm @ 14a，10v 2.4V @ 50µA 64NC @ 10V 3241pf @ 15V 逻辑级别门
MSCSM70AM025T6AG Microchip Technology MSCSM70AM025T6AG 630.0600
RFQ
 ECAD 2214 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1.882kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM025T6AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 700V 689a（TC） 3.2MOHM @ 240A，20V 2.4V @ 24mA 1290nc @ 20V 27000pf @ 700V -
BUK7K6R2-40EX Nexperia USA Inc. BUK7K6R2-40EX 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k6 MOSFET （金属 o化物） 68W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a 5.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 32.3nc @ 10V 2210pf @ 25V -
BUK9K134-100EX Nexperia USA Inc. BUK9K134-100EX 1.0400
RFQ
 ECAD 2757 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K134 MOSFET （金属 o化物） 32W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 8.5a 159MOHM @ 5A，5V 2.1V @ 1mA 7.4NC @ 5V 755pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7331PBF Infineon Technologies IRF7331pbf -
RFQ
 ECAD 1272 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF733 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001577400 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 7a 30mohm @ 7A，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16V 逻辑级别门
SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 785 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA907 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5A（TC） 57MOHM @ 3.6A，4.5V 1.4V @ 250µA 23nc @ 10V - 逻辑级别门
SQJ504EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_BE3 1.4600
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ504 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 40V 30A（TC） 7.5MOHM @ 8A，10V，17MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 250µA 30nc @ 10V，85nc @ 10V 1900pf @ 25V，4600pf @ 25V -
AUIRFN8458TR Infineon Technologies AUIRFN8458TR 2.5300
RFQ
 ECAD 8841 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN AUIRFN8458 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） PQFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 40V 43A（TC） 10mohm @ 26a，10v 3.9V @ 25µA 33nc @ 10V 1060pf @ 25V -
ALD110800PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110800PCL 6.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD110800 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1018 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V - 500OHM @ 4V 20mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
FDW2516NZ onsemi FDW2516NZ -
RFQ
 ECAD 3455 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.8a 30mohm @ 5.8A，4.5V 1.5V @ 250µA 12nc @ 5V 745pf @ 10V 逻辑级别门
BSD223P Infineon Technologies BSD223P -
RFQ
 ECAD 9206 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 BSD223 MOSFET （金属 o化物） 250MW PG-SOT363-PO 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 390mA 1.2OHM @ 390mA，4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62NC @ 4.5V 56pf @ 15V 逻辑级别门
BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1 0.3700
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 BSD840 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 880mA 400MOHM @ 880mA，2.5V 750mv @ 1.6µA 0.26NC @ 2.5V 78pf @ 10V 逻辑级别门
SI1905BDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1905BDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1905 MOSFET （金属 o化物） 357MW SC-70-6 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 8V 630mA 542MOHM @ 580mA，4.5V 1V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 62pf @ 4V 逻辑级别门
MSCSM120DUM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120DUM31CTBL1NG 166.2400
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 310W - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120DUM31CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1200V 79a 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 1mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
RF1S30P06 Harris Corporation RF1S30P06 -
RFQ
 ECAD 1602 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RF1 - - Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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