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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMT3020LDT-7 Diodes Incorporated DMT3020LDT-7 0.2105
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 DMT3020 MOSFET （金属 o化物） 670MW（TA） V-DFN3030-8（k型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMT3020LDT-7TR 1,500 2 n 通道（双） 30V 8.5A（TC） 20mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
ALD1117PAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1117pal 5.7000
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） Ald1117 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1048 Ear99 8541.21.0095 50 2（p 通道（双） 10.6V - 1800OHM @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5V -
SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS9634LDN-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 8140 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SIS9634 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA），17.9w（tc） POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SIS9634LDN-T1-GE3DKR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 6a（6a），6A（6A （TC） 31MOHM @ 5A，10V 3V @ 250µA 11NC @ 10V 420pf @ 30V -
VMM45-02F IXYS VMM45-02F 33.7817
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA VMM45 MOSFET （金属 o化物） 190W TO-240AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 2 n 通道（双） 200V 45a 45mohm @ 22.5a，10v 4V @ 4mA 225nc @ 10V 7500pf @ 25V -
FDG6301N_D87Z onsemi FDG6301N_D87Z -
RFQ
 ECAD 4763 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6301 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 25V 220mA 4ohm @ 220mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V 逻辑级别门
SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5975DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1962年 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5975 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 3.1a 86mohm @ 3.1a，4.5V 450mv @ 1ma （最小） 9NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SSFQ4810 Good-Ark Semiconductor SSFQ4810 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2 n通道 40V 8a（8a） 18mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 21.6nc @ 10V 1450pf @ 25V 标准
NTZD3152PT1H onsemi NTZD3152PT1H -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3152 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 430mA 900MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 175pf @ 16V -
QS8M12TCR Rohm Semiconductor QS8M12TCR 0.3776
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8M12 MOSFET （金属 o化物） 1.5W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 4a 42MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 1mA 3.4NC @ 5V 250pf @ 10V 逻辑级别门
DMC1029UFDB-7 Diodes Incorporated DMC1029UFDB-7 -
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC1029 MOSFET （金属 o化物） 1.4W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V 5.6a，3.8a 29mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 19.6nc @ 8v 914pf @ 6V -
SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1900DL-T1-E3 0.6000
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1900 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 590mA 480MOHM @ 590mA，10V 3V @ 250µA 1.4NC @ 10V - 逻辑级别门
NTLJD2104PTBG onsemi NTLJD2104PTBG -
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD21 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.4a 90MOHM @ 3A，4.5V 800MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 467pf @ 6V 逻辑级别门
IRL6297SDTRPBF Infineon Technologies IRL6297SDTRPBF -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 DirectFet™等距SA IRL6297 MOSFET （金属 o化物） 1.7W DirectFet™SA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,800 2 n 通道（双） 20V 15a 4.9mohm @ 15a，4.5V 1.1V @ 35µA 54NC @ 10V 2245pf @ 10V 逻辑级别门
EFC6601R-TR onsemi EFC6601R-Tr 0.9400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，FCBGA EFC6601 MOSFET （金属 o化物） 2W EFCP2718-6CE-020 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） - - - - 48nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
APTM20HM08FG Microchip Technology APTM20HM08FG 347.3625
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 781W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 200V 208a 10mohm @ 104a，10v 5V @ 5mA 280NC @ 10V 14400pf @ 25V -
AO6604 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6604 0.5200
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO660 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 20V 3.4a，2.5a 65MOHM @ 3.4A，4.5V 1V @ 250µA 3.8NC @ 4.5V 320pf @ 10V 逻辑级别门，4.5V驱动器
APTC60HM70SCTG Microchip Technology APTC60HM70SCTG 178.2800
RFQ
 ECAD 2057 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 600V 39a 70mohm @ 39a，10v 3.9V @ 2.7mA 259nc @ 10V 7000pf @ 25V -
GWM100-0085X1-SMD SAM IXYS GWM100-0085x1-SMD SAM -
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM100 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 85V 103a 6.2MOHM @ 75A，10V 4V @ 250µA 114NC @ 10V - -
BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005 441.3200
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 模块 BSM120 （SIC） 780W 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q7641253 Ear99 8541.29.0095 12 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 120A（TC） - 2.7V @ 22mA - 14000pf @ 10V -
APTMC120HM17CT3AG Microchip Technology APTMC120HM17CT3AG -
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 APTMC120 （SIC） 750W SP3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4 n通道 1200V（1.2kV） 147a（TC） 17mohm @ 100a，20v 4V @ 30mA 332nc @ 5V 5576pf @ 1000V -
BSC072N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1 -
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn BSC072N03 MOSFET （金属 o化物） 57W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 11.5A 7.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 41nc @ 10V 3500pf @ 15V 逻辑级别门
MTM78E2B0LBF Panasonic Electronic Components MTM78E2B0LBF 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 MTM78E2B MOSFET （金属 o化物） 150MW wsmini8-f1-b 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4a 25mohm @ 2A，4V 1.3V @ 1mA - 1100pf @ 10V -
TSM1N45DCS RL Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45DCS RL -
RFQ
 ECAD 9728 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TSM1N MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TSM1N45DCSRL 过时的 0000.00.0000 1 2 n 通道（双） 500mA（ta） 4.25ohm @ 250mA，10V 4.9V @ 250mA -
AO6802L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6802L_001 -
RFQ
 ECAD 8580 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO680 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 3.5a 50mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 15V 逻辑级别门
RFP30N6LER4541 Harris Corporation RFP30N6LER4541 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFP30 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
ALD110814PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110814PCL 6.5006
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD110814 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1028 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 5.4V 1.42V @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
FDD3510H onsemi FDD3510H -
RFQ
 ECAD 4068 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD FDD3510 MOSFET （金属 o化物） 1.3W TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道，普通排水 80V 4.3a，2.8a 80MOHM @ 4.3A，10V 4V @ 250µA 18NC @ 10V 800pf @ 40V 逻辑级别门
MMDF1N05ER2G onsemi MMDF1N05ER2G -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MMDF1 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 50V 2a 300MOHM @ 1.5A，10V 3V @ 250µA 12.5nc @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
EFC4618R-P-TR onsemi EFC4618R-P-Tr -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，FCBGA EFC4618 MOSFET （金属 o化物） 1.6W EFCP1818-4CC-037 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 25.4NC @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HB11BPSA1 263.3300
RFQ
 ECAD 1912年 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 FF4MR12 （SIC） 20mw 模块 - rohs3符合条件 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Ear99 8542.39.0001 15 2 n 通道（半桥） 1200V 170a（TJ） 4mohm @ 200a，18v 5.15V @ 80mA 594nc @ 18V 17600pf @ 800V （SIC）
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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