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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SI3529DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3529DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2860 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3529 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 40V 2.5a，1.95a 125mohm @ 2.2a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 205pf @ 20V 逻辑级别门
NX7002BKXBZ Nexperia USA Inc. NX7002BKXBZ 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 NX7002 MOSFET （金属 o化物） 285MW DFN1010B-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 260mA 2.8ohm @ 200mA，10v 2.1V @ 250µA 1NC @ 10V 23.6pf @ 10V 逻辑级别门
TQM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM250NB06DCR RLG 3.5800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-POWERTDFN TQM250 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA），58W（tc） 8-pdfnu（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6A（6A），30a （TC） 25mohm @ 6a，10v 3.8V @ 250µA 24NC @ 10V 1398pf @ 30V -
SI4808DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4808DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4808 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a，10v 800mv @ 250µA（250µA） 20NC @ 10V - 逻辑级别门
IRL6372PBF Infineon Technologies IRL6372PBF -
RFQ
 ECAD 5176 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRL6372 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001568406 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 8.1a 17.9mohm @ 8.1a，4.5V 1.1V @ 10µA 11NC @ 4.5V 1020pf @ 25V 逻辑级别门
FD6M043N08 onsemi FD6M043N08 -
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 Onmi Power-SPM™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 EPM15 FD6M043 MOSFET （金属 o化物） - EPM15 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 19 2 n 通道（双） 75V 65a 4.3mohm @ 40a，10v 4V @ 250µA 148nc @ 10V 6180pf @ 25V -
G170P03S2 Goford Semiconductor G170P03S2 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G170 - 1.4W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 9A（TC） 25mohm @ 5A，4.5V 2.5V @ 250µA 18NC @ 10V 1786pf @ 4.5V -
G05N06S2 Goford Semiconductor G05N06S2 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G05N MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n通道 60V 5A（TC） 35mohm @ 5A，4.5V 2.5V @ 250µA 22nc @ 10V 1374pf @ 30V 标准
SI7945DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7945DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6605 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7945 MOSFET （金属 o化物） 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 7a 20mohm @ 10.9a，10v 3V @ 250µA 74NC @ 10V - 逻辑级别门
G06NP06S2 Goford Semiconductor G06NP06S2 0.8300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G06N MOSFET （金属 o化物） 2W（TC），2.5W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 6A（TC） 35MOHM @ 6A，10V，45MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA，3.5V @ 250µA 22nc @ 10v，25nc @ 10V 标准
EFC4601-M-TR onsemi EFC4601-m-tr -
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C 表面安装 4-ufbga，fcbga MOSFET （金属 o化物） 1.6W（TA） EFCP1818-4CA-055 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-EFC4601-M-TR-488 1 2 n通道 24V 6a（6a） 44mohm @ 3A，4.5V 1.3V @ 1mA 8.1nc @ 10V 950pf @ 10V -
ALD114813PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114813PCL 7.1248
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD114813 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1057 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 2.7V 1.26V @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
2SJ418-TL-E onsemi 2SJ418-TL-E 4.5700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SJ418 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 700 -
DMN3012LDG-7 Diodes Incorporated DMN3012LDG-7 -
RFQ
 ECAD 6193 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3012 MOSFET （金属 o化物） 2.2W（TC） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 10A（10A），20A （TC） 12mohm @ 15a，5v，6mohm @ 15a，5v 2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 6.1nc @ 4.5V，12.6nc @ 4.5V 850pf @ 15V，1480pf @ 15V -
2SB808F-SPA-ON onsemi 2SB808F-SPA-ON 0.0500
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SB808 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 1 -
IRF7306PBF Infineon Technologies IRF7306PBF -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001564984 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 30V 3.6a 100mohm @ 1.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 440pf @ 25V 逻辑级别门
DMC25D1UVT-13 Diodes Incorporated DMC25D1UVT-13 0.1276
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC25 MOSFET （金属 o化物） 1.3W TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC25D1UVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 25V，12V 500mA，3.9a 4ohm @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.9NC @ 10V 27.6pf @ 10V -
DMN2024UVT-13 Diodes Incorporated DMN2024UVT-13 0.1395
RFQ
 ECAD 1563年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2024 MOSFET （金属 o化物） 1W TSOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMN2024UVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 7a（ta） 24mohm @ 6.5a，4.5V 900mv @ 250µA 7.1nc @ 4.5V 647pf @ 10V -
BUK9MFF-65PSS,518 Nexperia USA Inc. BUK9MFF-65PSS，518 -
RFQ
 ECAD 1928年 0.00000000 Nexperia USA Inc. TRENCHPLUS 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） Buk9m MOSFET （金属 o化物） 4.75W（TC） 20-so - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 934063228518 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 65V 13.6A（TC） 12.3mohm @ 10a，10v 2V @ 1mA 40.2nc @ 5V 3052pf @ 25V 逻辑级别门
TMC1620-TO Trinamic Motion Control GmbH TMC1620-TO -
RFQ
 ECAD 6221 0.00000000 Trinamic Motion Control GmbH - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD TMC1620 MOSFET （金属 o化物） 3.13W TO-252-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道，普通排水 60V 6.6a，4.7a 36mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 19.2nc @ 4.5V 1560pf @ 25V -
DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated DMC2057UVT-7 0.1084
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2057 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 4A（4A），3.3a（ta） 42MOHM @ 5A，4.5V，70MOHM @ 3.5A，4.5V 1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 10.5nc @ 10V，6.5NC @ 4.5V 416pf @ 10V，536pf @ 10V -
SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-GE3 0.4500
RFQ
 ECAD 1347 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1902 MOSFET （金属 o化物） 420MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.1a 235mohm @ 1A，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 10V 62pf @ 10V 逻辑级别门
BUK9K12-60EX Nexperia USA Inc. BUK9K12-60EX 2.0200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K12 MOSFET （金属 o化物） 68W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 35a 10.7MOHM @ 15A，10V 2.1V @ 1mA 24.5nc @ 5V 3470pf @ 25V 逻辑级别门
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5908DC-T1-E3 1.3900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5908 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.4a 40mohm @ 4.4a，4.5V 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMHC4035LSDQ-13-52 Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ-13-52 0.4578
RFQ
 ECAD 8702 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMHC4035 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-so 下载 31-DMHC4035LSDQ-13-52 Ear99 8541.29.0095 2,500 2n和2p通道（半桥） 40V 4.5a（ta），3.7a（ta） 45mohm @ 3.9a，10v，65mohm @ 4.2a，10v 3V @ 250µA 12.5nc @ 10v，11.1nc @ 10v 574pf @ 20v，587pf @ 20V 标准
MMDF1N05ER2G onsemi MMDF1N05ER2G -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MMDF1 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 50V 2a 300MOHM @ 1.5A，10V 3V @ 250µA 12.5nc @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
SP8K52FRATB Rohm Semiconductor SP8K52FRATB 1.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K52 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 3A（3A） 170MOHM @ 3A，10V 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5V 610pf @ 25V -
DMN2013UFX-7 Diodes Incorporated DMN2013UFX-7 0.2665
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VFDFN暴露垫 DMN2013 MOSFET （金属 o化物） 2.14W W-DFN5020-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 10a（10a） 11.5MOHM @ 8.5A，4.5V 1.1V @ 250µA 57.4NC @ 8V 2607pf @ 10V -
CAB760M12HM3 Wolfspeed, Inc. CAB760M12HM3 2.0000
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB760 （SIC） - 模块 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 1015a（TC） 1.73MOHM @ 760A，15V 3.6V @ 280mA 2724NC @ 15V 79400pf @ 800V -
ALD1103SBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1103SBL 8.2500
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 ECAD 105 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD1103 MOSFET （金属 o化物） 500MW 14-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1009 Ear99 8541.21.0095 50 2n和2p通道匹配对 10.6V 40mA，16mA 75OHM @ 5V 1V @ 10µA - 10pf @ 5V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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