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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
ALD114813PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114813PCL 7.1248
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD114813 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1057 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 2.7V 1.26V @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
DMN5L06DWK-7 Diodes Incorporated DMN5L06DWK-7 -
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN5L06 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 305mA 2ohm @ 50mA，5v 1V @ 250µA - 50pf @ 25V 逻辑级别门
G05N06S2 Goford Semiconductor G05N06S2 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G05N MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n通道 60V 5A（TC） 35mohm @ 5A，4.5V 2.5V @ 250µA 22nc @ 10V 1374pf @ 30V 标准
BUK9MFF-65PSS,518 Nexperia USA Inc. BUK9MFF-65PSS，518 -
RFQ
 ECAD 1928年 0.00000000 Nexperia USA Inc. TRENCHPLUS 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） Buk9m MOSFET （金属 o化物） 4.75W（TC） 20-so - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 934063228518 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 65V 13.6A（TC） 12.3mohm @ 10a，10v 2V @ 1mA 40.2nc @ 5V 3052pf @ 25V 逻辑级别门
BUK7K12-60EX Nexperia USA Inc. BUK7K12-60EX 1.7600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k12 MOSFET （金属 o化物） 68W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 40a 9.3mohm @ 10a，10v 4V @ 1mA 10.4NC @ 10V 617pf @ 25V -
SI7945DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7945DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6605 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7945 MOSFET （金属 o化物） 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 7a 20mohm @ 10.9a，10v 3V @ 250µA 74NC @ 10V - 逻辑级别门
SIA923EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA923EDJ-T4-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 3771 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA923 MOSFET （金属 o化物） 1.9W（ta），7.8W（TC） POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a（ta），4.5a tc） 54mohm @ 3.8A，4.5V 1.4V @ 250µA 25nc @ 8v - -
STL65DN3LLH5 STMicroelectronics STL65DN3LLH5 -
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 ECAD 3639 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL65 MOSFET （金属 o化物） 60W PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 65a 6.5MOHM @ 9.5A，10V 1.5V @ 250µA 12nc @ 4.5V 1500pf @ 25V 逻辑级别门
BSL314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL314PEH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 3466 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL314 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 1.5a 140MOHM @ 1.5A，10V 2V @ 6.3µA 2.9nc @ 10V 294pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
SIA914DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA914DJ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5141 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA914 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.5a 53MOHM @ 3.7A，4.5V 1V @ 250µA 11.5nc @ 8v 400pf @ 10V 逻辑级别门
BSL207NL6327 Infineon Technologies BSL207NL6327 -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL207 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,124 2 n 通道（双） 20V 2.1a 70MOHM @ 2.1a，4.5V 1.2V @ 11µA 2.1nc @ 4.5V 419pf @ 10V 逻辑级别门
PMDT290UCE,115 Nexperia USA Inc. PMDT290UCE，115 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 PMDT290 MOSFET （金属 o化物） 500MW SOT-666 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 800mA，550mA 380MOHM @ 500mA，4.5V 950mv @ 250µA 0.68nc @ 4.5V 83pf @ 10V 逻辑级别门
QS8M11TCR Rohm Semiconductor QS8M11TCR 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 - 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8M11 - - TSMT8 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 3.5a - - - - -
SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2301 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-PowerPair™ SIZ900 MOSFET （金属 o化物） 48W，100W 6-PowerPair™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 24a，28a 7.2MOHM @ 19.4a，10V 2.4V @ 250µA 45nc @ 10V 1830pf @ 15V 逻辑级别门
BUK9K30-80EX Nexperia USA Inc. BUK9K30-80EX 1.5900
RFQ
 ECAD 8297 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k30 MOSFET （金属 o化物） 53W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 80V 17A（TA） 26mohm @ 5a，10v 2.1V @ 1mA 17.5nc @ 5V 2297pf @ 25V 逻辑级别门
SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5905DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5905 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 8V 3a 90MOHM @ 3A，4.5V 450mv @ 250µA（250µA）） 9NC @ 4.5V - 逻辑级别门
IRF9358PBF Infineon Technologies IRF9358PBF -
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF9358 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 30V 9.2a 16.3mohm @ 9.2a，10v 2.4V @ 25µA 38nc @ 10V 1740pf @ 25V 逻辑级别门
SI7998DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3 1.5900
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7998 MOSFET （金属 o化物） 22W，40W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 25a，30a 9.3mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1100pf @ 15V 逻辑级别门
BSS138DW-7-F Diodes Incorporated BSS138DW-7-F 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 200mA 3.5OHM @ 220mA，10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V 逻辑级别门
DMC25D1UVT-13 Diodes Incorporated DMC25D1UVT-13 0.1276
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC25 MOSFET （金属 o化物） 1.3W TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC25D1UVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 25V，12V 500mA，3.9a 4ohm @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.9NC @ 10V 27.6pf @ 10V -
2SJ418-TL-E onsemi 2SJ418-TL-E 4.5700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SJ418 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 700 -
DMN2024UVT-13 Diodes Incorporated DMN2024UVT-13 0.1395
RFQ
 ECAD 1563年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2024 MOSFET （金属 o化物） 1W TSOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMN2024UVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 7a（ta） 24mohm @ 6.5a，4.5V 900mv @ 250µA 7.1nc @ 4.5V 647pf @ 10V -
SQ4937EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_GE3 1.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4937 MOSFET （金属 o化物） 3.3W 8-SOIC 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5A（TC） 75MOHM @ 3.9a，10V 2.5V @ 250µA 15nc @ 10V 480pf @ 25V -
MSCSM120AM02T6LIAG Microchip Technology MSCSM120AM02T6LIAG 1.0000
RFQ
 ECAD 9695 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 3.75kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM02T6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 947a（TC） 2.6MOHM @ 480A，20V 2.8V @ 36mA 2784NC @ 20V 36200pf @ 1000V -
NTK3142PT1H Sanyo NTK3142PT1H 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 NTK3142 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 4,000 -
DMC2053UFDBQ-13 Diodes Incorporated DMC2053UFDBQ-13 0.1109
RFQ
 ECAD 9328 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC2053 MOSFET （金属 o化物） 820MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMC2053UFDBQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 20V 4.6a（ta），3.1a（ta） 35MOHM @ 5A，4.5V，75MOHM @ 3.5A，4.5V 1V @ 250µA 7.7nc @ 10v，12.7nc @ 8v 369pf @ 10V，440pf @ 10V -
NTMFD5C466NT1G onsemi NTMFD5C466NT1G 1.6300
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - - NTMFD5 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 - - - - - - - -
IRF7751 Infineon Technologies IRF7751 -
RFQ
 ECAD 3828 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 2（p 通道（双） 30V 4.5a 35MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 44NC @ 10V 1464pf @ 25V 逻辑级别门
DMC3025LNS-13 Diodes Incorporated DMC3025LNS-13 0.2138
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMC3025 MOSFET （金属 o化物） 1.2W（TA） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 30V 7.2A（ta），6.8a ta（6.8a） 25mohm @ 7a，10v，28mohm @ 7a，10v 2V @ 250µA 4.6nc @ 4.5V，9.5NC @ 4.5V 500pf @ 15V，1188pf @ 15V -
FDW2511NZ onsemi FDW2511NZ -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双）公共排水 20V 7.1a 20mohm @ 7.1a，4.5V 1.5V @ 250µA 17.3nc @ 4.5V 1000pf @ 10V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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